隨著高頻微波在日常生活上的廣泛應用，例如行動電話、無線個人計算機、無線網(wǎng)絡等，高頻電路的技術也日新月異。良好的高頻電路設計的實現(xiàn)與改善，則建立在于精確的組件模型的基礎上。被動組件如電感、濾波器等的電路模型與電路制作的材料、制程有緊密的關系，而建立這些組件等效電路模型的方法稱為參數(shù)萃取。 早期的電感制作以金屬繞線為主要的材料與技術，而近年來，由于高頻與高速電路的應用日益廣泛，加上電路設計趨向輕薄短小，電感制作的材質(zhì)與技術也不斷的進步。例如射頻機體電路（RFIC）運用硅材質(zhì)，微波集成電路則廣泛的運用砷化鎵（GaAs）技術；此外，在低成本的無線通訊射頻應用上，如混合（Hybrid）集成電路則運用有機多芯片模塊（MCMs）結(jié)合傳統(tǒng)的玻璃基板制程，以及低溫共燒陶瓷（LTCC）技術，制作印刷式平面電感等，以提升組件的質(zhì)量與效能，并減少體積與成本。 本章的重點包涵探討電感的原理與專有名詞，以及以常見的電感結(jié)構，并分析影響電感效能的主要因素與其電路模型，最后將以電感的模擬設計為例，說明電感參數(shù)的萃取。
上傳時間： 2013-11-20
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高速電路信號完整性分析之應用篇
上傳時間： 2013-11-19
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隨著數(shù)字儀控系統(tǒng)在工業(yè)行業(yè)應用的日益廣泛，效率及可靠性更高的開關電源在數(shù)字儀控系統(tǒng)設計中的應用也越來越多。針對數(shù)字儀控系統(tǒng)工程中開關電源的典型應用配電回路，在電源擴容、電源冗余可靠性設計方面進行分析描述，同時結(jié)合試驗分析由此設計而產(chǎn)生的電源模塊均流問題對配電回路可靠性的影響。
上傳時間： 2013-10-14
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利用四分之三波長折疊微帶線與四分之一波長微帶線級聯(lián)，并在輸入端口引入四分之一波長短路線，設計出一種新型的超寬帶功率分配器。采用奇偶模的方法進行理論分析，導出設計參數(shù)方程，并通過HFSS進行仿真優(yōu)化。仿真和測量結(jié)果表明， 輸入回波損耗從3 GHz~10.9 GHz均大于10 dB。插入損耗從2.6 GHz~9.5 GHz均小于1 dB，從9.5 GHz~10.8 GHz均小于1.3 dB。輸出端口的回波損耗和隔離度從3 GHz~12.7 GHz均大于10 dB。高頻的帶外抑制在14.2 GHz時達到20 dB。
上傳時間： 2013-11-08
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為研究功率型鋰離子電池性能，對某35 Ah功率型鋰離子電池單體進行了充放電特性試驗和分析，由此獲得功率型電池在不同溫度和不同倍率下的充放電特性、內(nèi)阻特性和溫升特性。研究結(jié)果表明，低溫下電池的充放電內(nèi)阻較大，充放電性能衰減顯著；常溫下電池的內(nèi)阻較小，充放電溫升較小，大電流充放電的容量穩(wěn)定性好，質(zhì)量比能量高，作為電傳動車輛主要或輔助動力源具有良好的應用前景。
上傳時間： 2013-11-13
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結(jié)合功率MOSFET管不同的失效形態(tài)，論述了功率MOSFET管分別在過電流和過電壓條件下?lián)p壞的模式，并說明了產(chǎn)生這樣的損壞形態(tài)的原因，也分析了功率MOSFET管在關斷及開通過程中發(fā)生失效形態(tài)的差別，從而為失效在關斷或在開通過程中發(fā)生損壞提供了判斷依據(jù)。給出了測試過電流和過電壓的電路圖。同時分析了功率MOSFET管在動態(tài)老化測試中慢速開通、在電池保護電路應用中慢速關斷及較長時間工作在線性區(qū)時損壞的形態(tài)。最后，結(jié)合實際應用，論述了功率MOSFET通常會產(chǎn)生過電流和過電壓二種混合損壞方式損壞機理和過程。
上傳時間： 2013-11-14
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微弧氧化是一種新型的表面處理方法，利用該電路可輸出雙端不對稱的高壓脈沖，且脈沖幅值、頻率、占空比均在一定范圍內(nèi)連續(xù)可調(diào)。本文首先介紹了微弧氧化電源技術的發(fā)展現(xiàn)狀，然后對試驗中使用過的幾種IGBT驅(qū)動模塊M57959、2ED300、2SD315 3種驅(qū)動電路的結(jié)構、工作原理和使用性能做了詳細分析對比。實驗表明，Eupec系列的2ED300驅(qū)動電路結(jié)構簡單，可靠性高，適用于大功率微弧氧化電源的驅(qū)動。
標簽： 鎂合金 氧化 可靠性分析 電源驅(qū)動電路
上傳時間： 2014-01-21
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電路如果存在不穩(wěn)定性因素，就有可能出現(xiàn)振蕩。本文對比分析了傳統(tǒng)LDO和無片電容LDO的零極點，運用電流緩沖器頻率補償設計了一款無片外電容LDO，電流緩沖器頻率補償不僅可減小片上補償電容而且可以增加帶寬。對理論分析結(jié)果在Cadence平臺基上于CSMC0.5um工藝對電路進行了仿真驗證。本文無片外電容LDO的片上補償電容僅為3 pF，減小了制造成本。它的電源電壓為3.5~6 V，輸出電壓為3.5 V。當在輸入電源電壓6 V時輸出電流從100 μA到100 mA變化時，最小相位裕度為830，最小帶寬為4.58 MHz
標簽： LDO 無片外電容 穩(wěn)定性分析
上傳時間： 2014-12-24
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A3機芯開關電源電路分析與檢修
上傳時間： 2013-10-14
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在RC橋式正弦波振蕩電路的研究中，一般文獻只給出電路的振蕩條件、起振條件、振蕩頻率等技術指標，而不涉及電路輸出幅值的大小。本文通過理論分析、Multisim仿真實驗測試，研究了決定電路輸出幅值的因素，即輸出電壓的幅值與電路起振時電壓放大倍數(shù)的大小有關，在電路的線性工作范圍內(nèi)，起振時電壓放大倍數(shù)比3大得越多，最后的穩(wěn)定輸出電壓幅值也越大。研究結(jié)論有利于系統(tǒng)地研究振蕩電路的構成及電路元件參數(shù)的選擇。
上傳時間： 2013-11-03
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