GB6109.11-1990漆包圓繞組線 第11部分：200級聚酯亞胺 聚酰胺酰亞胺復合漆包銅圓線
上傳時間： 2013-07-06
上傳用戶：eeworm
專輯類----單片機專輯 AVR450為SLA、NiCd、NiMH-和Li-Ion-電池設計的充電器-45頁-0.7M-PDF版.rar
上傳時間： 2013-07-31
上傳用戶：jjq719719
專輯類-Pro-E教程及相關資料專輯-134冊-38.9G Pro-E-2.0工程圖-視頻教程-628M-avi版.zip
上傳時間： 2013-04-24
上傳用戶：PresidentHuang
專輯類-單片機專輯-258冊-4.20G AVR450為SLA、NiCd、NiMH-和Li-Ion-電池設計的充電器-45頁-0.7M-PDF版.pdf
上傳時間： 2013-06-12
上傳用戶：siguazgb
磁共振成像（MRI）由于自身獨特的成像特點，使得其處理方法不同于一般圖像.根據不同的應用目的，該文分別提出了MRI圖像去噪和分割兩個算法.首先，該文針對MRI重建后圖像噪聲分布的實際特點，提出了基于小波變換的MRI圖像去噪算法.該算法詳細闡明了MRI圖像Rician噪聲的特點，首先對與噪聲和邊緣相關的小波系數進行建模，然后利用最大似然估計來進行參數估計，同時利用連續尺度間的尺度相關性特點來進行函數升級，以便獲得最佳萎縮函數，進一步提高圖像的質量，最終取得了一定的效果.與此同時，該文對MRI圖像的進一步的分析與應用展開了一定研究，提出了一種改進的快速模糊C均值聚類魯棒分割算法.該算法先用K均值聚類方法得到初始聚類中心點，同時考慮鄰域對分割結果的影響，對目標函數加以改進，用來克服噪聲和非均勻場對MRI圖像分割的影響，達到魯棒分割的目的，為進一步圖像處理和分析打下基礎.通過實驗，我們發現，無論是針對模擬圖像還是實際圖像，該文所提出的兩個算法都取得了較好的效果，達到了預期的目的.
上傳時間： 2013-04-24
上傳用戶：zhichenglu
LI-OV5653電路原理圖，OV5653的原理圖，通過調試！
上傳時間： 2013-04-24
上傳用戶：zl5712176
模糊C-均值聚類算法是一種無監督圖像分割技術，但存在著初始隸屬度矩陣隨機選取的影響，可能收斂到局部最優解的缺點。提出了一種粒子群優化與模糊C-均值聚類相結合的圖像分割算法，根據粒子群優化算法強大的全局搜索能力，有效地避免了傳統的FCM對隨機初始值的敏感，容易陷入局部最優的缺點。實驗表明，該算法加快了收斂速度，提高了圖像的分割精度。
上傳時間： 2013-10-25
上傳用戶：llandlu
半導體的產品很多，應用的場合非常廣泛，圖一是常見的幾種半導體元件外型。半導體元件一般是以接腳形式或外型來劃分類別，圖一中不同類別的英文縮寫名稱原文為 PDID：Plastic Dual Inline Package SOP：Small Outline Package SOJ：Small Outline J-Lead Package PLCC：Plastic Leaded Chip Carrier QFP：Quad Flat Package PGA：Pin Grid Array BGA：Ball Grid Array 雖然半導體元件的外型種類很多，在電路板上常用的組裝方式有二種，一種是插入電路板的銲孔或腳座，如PDIP、PGA，另一種是貼附在電路板表面的銲墊上，如SOP、SOJ、PLCC、QFP、BGA。 從半導體元件的外觀，只看到從包覆的膠體或陶瓷中伸出的接腳，而半導體元件真正的的核心，是包覆在膠體或陶瓷內一片非常小的晶片，透過伸出的接腳與外部做資訊傳輸。圖二是一片EPROM元件，從上方的玻璃窗可看到內部的晶片，圖三是以顯微鏡將內部的晶片放大，可以看到晶片以多條銲線連接四周的接腳，這些接腳向外延伸並穿出膠體，成為晶片與外界通訊的道路。請注意圖三中有一條銲線從中斷裂，那是使用不當引發過電流而燒毀，致使晶片失去功能，這也是一般晶片遭到損毀而失效的原因之一。 圖四是常見的LED，也就是發光二極體，其內部也是一顆晶片，圖五是以顯微鏡正視LED的頂端，可從透明的膠體中隱約的看到一片方型的晶片及一條金色的銲線，若以LED二支接腳的極性來做分別，晶片是貼附在負極的腳上，經由銲線連接正極的腳。當LED通過正向電流時，晶片會發光而使LED發亮，如圖六所示。 半導體元件的製作分成兩段的製造程序，前一段是先製造元件的核心─晶片，稱為晶圓製造；後一段是將晶中片加以封裝成最後產品，稱為IC封裝製程，又可細分成晶圓切割、黏晶、銲線、封膠、印字、剪切成型等加工步驟，在本章節中將簡介這兩段的製造程序。
上傳時間： 2014-01-20
上傳用戶：蒼山觀海
Li智能充電電路圖
上傳時間： 2013-10-25
上傳用戶：縹緲
基于槽式聚光熱電聯供系統，深入分析晶硅電池陣列和砷化鎵電池陣列在高倍聚光下的輸出特性及輸出功率的影響因素+ 研究結果表明，聚光光強下砷化鎵電池陣列輸出性能優于晶硅電池陣列，高光強會導致光伏電池禁帶寬度變窄，短路電流成倍增加，增加輸出功率，但同時耗盡層復合率變大，開路電壓降低，制約陣列的輸出功率；高光強還引起電池溫度升高，電池陣列串聯內阻增加+ 分析表明聚光作用下電池陣列串聯內阻對輸出功率影響巨大，串聯內阻從&!增加!!，四種電池陣列輸出功率分別損失$*,*(-，*.,’)-，**,)&-和%(,&!- +
上傳時間： 2013-10-18
上傳用戶：趙一霞a
