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多級(jí)放大電路

altera Quartus II TLC晶片控制可控制暫存器

altera Quartus II TLC晶片控制可控制暫存器，手動調整內碼。 (含電路)

標簽： Quartus altera TLC 控制

上傳時間： 2016-02-13

上傳用戶：Zxcvbnm
altera Quartus II modelSim 自動模擬搭配

altera Quartus II modelSim 自動模擬搭配，內有範例。 (含電路)

標簽： modelSim Quartus altera II

上傳時間： 2016-02-13

上傳用戶：lz4v4
關於宏晶STC89C51單片機IC芯片的詳細資料

關於宏晶STC89C51單片機IC芯片的詳細資料，內有很多簡單電路。

標簽： STC 89C C51 89

上傳時間： 2013-12-02

上傳用戶：佳期如夢
一篇來自臺灣中華大學的論文--《無線射頻系統標簽晶片設計》

一篇來自臺灣中華大學的論文--《無線射頻系統標簽晶片設計》，彩色版。其摘要為：本論文討論使用於無線射頻辨識系統(RFID)之標籤晶片系統的電路設計和晶片製作，初步設計標籤晶片的基本功能，設計流程包含數位軟體及功能的模擬、基本邏輯閘及類比電路的設計與晶片電路的佈局考量。論文的第一部份是序論、射頻辨識系統的規劃、辨識系統的規格介紹及制定，而第二部份是標籤晶片設計、晶片量測、結論。電路的初步設計功能為:使用電容作頻率緩衝的Schmitt trigger Clock、CRC-16的錯誤偵測編碼、Manchester編碼及使用單一電路做到整流、振盪及調變的功能，最後完成晶片的實作。

標簽： 大學論文無線射頻

上傳時間： 2016-08-27

上傳用戶：tb_6877751
本文是以數位訊號處理器DSP（Digital Singal Processor）之核心架構為主體的數位式溫度控制器開發

本文是以數位訊號處理器DSP（Digital Singal Processor）之核心架構為主體的數位式溫度控制器開發，而其主要分為硬體電路與軟體程式兩部分來完成。而就硬體電路來看分為量測電路模組、DSP周邊電路及RS232通訊模組、輸出模組三個部分，其中在輸出上可分為電流輸出、電壓輸出以及binary command給加熱驅動裝置, RS232 除了可以與PC聯絡外也可以與具有CPU的熱能驅動器做命令傳輸。在計畫中分析現有工業用加熱驅動裝置和溫度曲線的關係，並瞭解其控制情況。軟體方面即是溫控器之中央處理器程式，亦即DSP控制程式，其中包括控制理論、感測器線性轉換程式、I/O介面及通訊協定相關程式。在控制法則上，提出一個新的加熱體描述模型，然後以前饋控制為主並輔以PID控制，得到不錯的控制結果。

標簽： Processor Digital Singal DSP

上傳時間： 2013-12-24

上傳用戶：zjf3110
在通訊系統中常見到的cordic

在通訊系統中常見到的cordic，是個用很少複雜度就能實現三角函數的電路，檔案中有C語言的CORDIC程式

標簽： cordic 系統

上傳時間： 2017-03-07

上傳用戶：lepoke
一份射頻PCB設計的經驗總結。涉及到手機

一份射頻PCB設計的經驗總結。涉及到手機，GPS，等高頻電路的PCB設計方法。

標簽： PCB

上傳時間： 2017-07-21

上傳用戶：sssl
運算放大器

理想的放大器目前，廠商在線性IC研發上都有重大的突破。使IC型運算放大器的特性和理想相當接近。尤其在低頻操作下，OP Amp電路的工作情形實在太像一個理想放大器，幾乎與理論的推測完全相符。→理想的放大器該具備什麼特性？

標簽： 算放大器原理

上傳時間： 2016-07-16

上傳用戶：WALTER
ESD Protection in CMOS ICs

在互補式金氧半(CMOS)積體電路中，隨著量產製程的演進，元件的尺寸已縮減到深次微米(deep-submicron)階段，以增進積體電路(IC)的性能及運算速度，以及降低每顆晶片的製造成本。但隨著元件尺寸的縮減，卻出現一些可靠度的問題。在次微米技術中，為了克服所謂熱載子(Hot-Carrier)問題而發展出 LDD(Lightly-Doped Drain) 製程與結構; 為了降低 CMOS 元件汲極(drain)與源極(source)的寄生電阻(sheet resistance) Rs 與 Rd，而發展出 Silicide 製程; 為了降低 CMOS 元件閘級的寄生電阻 Rg，而發展出 Polycide 製程 ; 在更進步的製程中把 Silicide 與 Polycide 一起製造，而發展出所謂 Salicide 製程

標簽： Protection CMOS ESD ICs in

上傳時間： 2020-06-05

上傳用戶：shancjb
ESD_Technology

在互補式金氧半(CMOS)積體電路中，隨著量產製程的演進，元件的尺寸已縮減到深次微米(deep-submicron)階段，以增進積體電路(IC)的性能及運算速度，以及降低每顆晶片的製造成本。但隨著元件尺寸的縮減，卻出現一些可靠度的問題。

標簽： ESD_Technology

上傳時間： 2020-06-05

上傳用戶：shancjb