本文介紹了50KW三相并網(wǎng)光伏逆變器的設(shè)計(jì)方案,分別從硬件電路設(shè)計(jì)和軟件設(shè)計(jì)進(jìn)行介紹。硬件電路設(shè)計(jì)包括主電路設(shè)計(jì)和控制電路設(shè)計(jì),主電路設(shè)計(jì)給出了組成主電路的主要元件的選型參數(shù),控制電路介紹了各部分設(shè)計(jì)過程。軟件設(shè)計(jì)包括主程序和中斷程序兩部分及每部分的設(shè)計(jì)內(nèi)容。
標(biāo)簽: 光伏逆變器
上傳時間: 2022-04-13
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基于STM32單相逆變器的SPWM程序的資料,分享給大家一起看看。
上傳時間: 2022-05-04
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TMS320F28335光伏離網(wǎng)并網(wǎng)逆變器設(shè)計(jì)原理圖+PCB+DSP軟件源碼,可做為你的設(shè)計(jì)參考。
標(biāo)簽: tms320f28335 光伏 并網(wǎng) 逆變器
上傳時間: 2022-05-14
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雙向正弦波逆變器,AD18,原理圖,PCB原創(chuàng)產(chǎn)品文件。SPWM正弦波逆變橋反向工作時兼做全橋開關(guān);逆變升壓管充電時兼做同步整流管;包含本人的正弦波逆變器電路夢的專利技術(shù)(已申報(bào))。絕對的原創(chuàng)作品!
標(biāo)簽: 正弦波逆變器
上傳時間: 2022-05-15
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1000W逆變器的PROTEL 99SE原理圖+PCB圖,Protel 99se 設(shè)計(jì),包括原理圖及PCB印制板圖,可用Protel或 Altium Designer(AD)軟件打開或修改,可作為你產(chǎn)品設(shè)計(jì)的參考。
標(biāo)簽: 逆變器 protel99se pcb
上傳時間: 2022-05-15
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本人對逆變器感興趣,參考各類資料后,經(jīng)過兩次改版,制作了這一款純正弦波逆變器。設(shè)計(jì)功率在300W。從DC升壓到SPWM產(chǎn)生正弦波,均采用stm32c8t6(STM32C8T6數(shù)據(jù)手冊)作為主控芯片,并同時提供高壓,低壓,過功率,和短路保護(hù)功能。現(xiàn)開源。希望和喜歡做逆變的朋友交流,共同提高。 SPWM穩(wěn)壓方式暫時采用310/DC求調(diào)制比的方式。從調(diào)試到現(xiàn)在已經(jīng)燒毀了5片stm32都是cpu短路,等有空查查是什么原因。 本機(jī)帶載過手電鉆,豆?jié){機(jī),電視機(jī),和一臺臺式電腦。豆?jié){機(jī)空載沒問題,放上豆子后,幾秒鐘后會觸發(fā)保護(hù)。臺式電腦工作10分鐘后電瓶沒電了,就沒再試。
上傳時間: 2022-06-10
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電動汽車、混合動力汽車、燃料電池汽車為代表的新能源汽車是實(shí)現(xiàn)節(jié)能減排目標(biāo)的重要行業(yè)之一。IGBT模塊作為新能源汽車的核心,其發(fā)展受到廣泛關(guān)注.IGBT模塊發(fā)展的關(guān)鍵在于改善封裝方式。本文指出了日前的封裝材料在電動汽車逆變器大功率IGBT模塊的封裝過程中存在的缺陷,引入了新型連接材料納米銀焊膏。為了驗(yàn)證納米銀焊膏的連接性能,以確定其能否應(yīng)用在所需的1GBT模塊的制作過程中,本文首先設(shè)計(jì)了單個模擬芯片的燒結(jié)連接實(shí)驗(yàn),通過微x射線斷層掃描儀、剪切實(shí)驗(yàn)、1描電鏡等檢測手段,對燒結(jié)后的連接層進(jìn)行了全方位的檢測,結(jié)果發(fā)現(xiàn)雖然連接層沒有發(fā)現(xiàn)明顯的缺陷,但是剪切強(qiáng)度較低,經(jīng)過分析猜想可能是磁控濺射鍍層的質(zhì)量并不十分可靠,因此又設(shè)計(jì)用真芯片和小塊鍍銀銅板的燒結(jié)連接實(shí)驗(yàn),連接傳況良好,剪切實(shí)驗(yàn)的過程中,發(fā)現(xiàn)是芯片先出現(xiàn)破損,這證明了連接的質(zhì)量是可靠的。因此可以將納米銀焊膏應(yīng)用在IGBT模塊的制作中。本文重點(diǎn)介紹了整個IGBT模塊的制作方法。采用和之前單個芯片燒結(jié)相類似的操作過程,完成整個模塊的燒結(jié)。燒結(jié)完成后通過微 射線斷層掃描儀對燒結(jié)的質(zhì)量進(jìn)行了檢測,通過檢測發(fā)現(xiàn)連接層質(zhì)量良好。模塊燒結(jié)連接之后,更做出最終成型的IGBT模塊,還需要經(jīng)過外殼設(shè)計(jì)與制造、打線、灌度、組裝等工T藝,從而得到最終的成品,并通過晶體管特性測試儀對模塊的基本電性能進(jìn)行了檢測。
上傳時間: 2022-06-20
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摘要:對幾種三相逆變器中常用的IGBT驅(qū)動專用集成電路進(jìn)行了詳細(xì)的分析,對TLP250,EXB系列和M579系列進(jìn)行了深入的討論,給出了它們的電氣特性參數(shù)和內(nèi)部功能方框圖,還給出了它們的典型應(yīng)用電路。討論了它們的使用要點(diǎn)及注意事項(xiàng),對每種驅(qū)動芯片進(jìn)行了IGBT的驅(qū)動實(shí)驗(yàn),通過有關(guān)的波形驗(yàn)證了它們的特點(diǎn),最后得出結(jié)論:IGBT驅(qū)動集成電路的發(fā)展趨勢是集過流保護(hù)、驅(qū)動信號放大功能、能夠外接電源且具有很強(qiáng)抗干擾能力等于一體的復(fù)合型電路。關(guān)鍵詞:絕緣柵雙極晶體管:集成電路;過流保護(hù)1前言電力電子變換技術(shù)的發(fā)展,使得各種各樣的電力電子器件得到了迅速的發(fā)展.20世紀(jì)80年代,為了給高電壓應(yīng)用環(huán)境提供一種高輸入阻抗的器件,有人提出了絕緣門極雙極型品體管(IGBT)[1].在IGBT中,用一個MoS門極區(qū)來控制寬基區(qū)的高電壓雙極型晶體管的電流傳輸,這藏產(chǎn)生了一種具有功率MOSFET的高輸入阻抗與雙極型器件優(yōu)越通態(tài)特性相結(jié)合的非常誘人的器件,它具有控制功率小、開關(guān)速度快和電流處理能力大、飽和壓降低等性能。在中小功率、低噪音和高性能的電源、逆變器、不間斷電源(UPS)和交流電機(jī)調(diào)速系統(tǒng)的設(shè)計(jì)中,它是日前最為常見的一種器件。
上傳時間: 2022-06-21
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1前言萊鋼型鋼廠大型生產(chǎn)線傳動系統(tǒng)采用西門子SIMOVERT MASTER系列PWM交-直-交電壓型變頻器供電,變頻器采用公共直流母線式結(jié)構(gòu);冷床傳輸鏈采用4臺電機(jī)單獨(dú)傳動,每臺電機(jī)分別由獨(dú)立的逆變單元控制,逆變單元的控制方式為無速度編碼器的矢量控制,相互之間依靠速度給定的同時性保持同步。自2005年投入生產(chǎn)以來,冷床傳輸鏈運(yùn)行較為穩(wěn)定,但2007年2月以后,冷床傳輸鏈逆變單元頻繁出現(xiàn)絕緣柵雙極型晶體管(Insolated Gate Bipolar Transistor,IGBT)損壞現(xiàn)象,具體故障情況統(tǒng)計(jì)見表1由表1可知,冷床傳輸鏈4臺逆變器都出現(xiàn)過IGBT損壞的現(xiàn)象,故障代碼是F025和F0272原因分析1)IGBT損壞一般是由于輸出短路或接地等外部原因造成。但從實(shí)際情況上看,檢查輸出電纜及電機(jī)等外部條件沒有問題,并且更換新的IGBT后,系統(tǒng)可以立即正常運(yùn)行,從而排除了輸出短路或接地等外部條件造成IGBT損壞。2)IGBT存在過壓。該系統(tǒng)采用公共直流母線控制方式,制動電阻直接掛接于直流母線上,當(dāng)逆變單元的反饋能量使直流母線電壓超過DC 715 V時,制動單元動作,進(jìn)行能耗制動;此外掛接于該直流母線上的其他逆變單元并沒有出現(xiàn)IGBT損壞的現(xiàn)象,因此不是由于制動反饋過壓造成IGBT燒壞。3)由于負(fù)荷分配不均造成出力大的IGBT損壞。從實(shí)際運(yùn)行波形上看,負(fù)荷分配相對較為均勻,相互差別僅為2%左右,應(yīng)該不會造成IGBT損壞。此外,4只逆變單元都出現(xiàn)了IGBT損壞現(xiàn)象,如果是由于負(fù)荷分配不均造成,應(yīng)該出力大的逆變單元IGBT總是燒壞,因此排除由于負(fù)荷分配不均造成IGBT損壞。4)逆變單元容量選擇不合適,裝置容量偏小造成長期過流運(yùn)行,從而導(dǎo)致IGBT燒毀。逆變單元型號及電機(jī)參數(shù):額定功率90kw,額定電流186A,負(fù)載電流169 A,短時電流254 A,中間同路額定電流221 A,電源電流205 A,電機(jī)功率110kw,電機(jī)額定電流205 A,電機(jī)正常運(yùn)行時的電流及轉(zhuǎn)矩波形如圖1所示。
上傳時間: 2022-06-22
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利用c語言編寫的dsp產(chǎn)生spwm波,可以用于逆變器的控制
上傳時間: 2022-06-22
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