本文主要超薄芯片的背面金屬化中的一些問題，闡述了兩種主要的背面金屬化工藝的建立，并解決了這兩個工藝中關(guān)鍵問題，使得工藝獲得好的成品率，提高了產(chǎn)品的可靠性，實現(xiàn)了大規(guī)模量產(chǎn)。流程（一）介紹了一種通過技術(shù)轉(zhuǎn)移在上海先進半導(dǎo)體制造有限公司（ASMC）開發(fā)的一種特殊工藝，工藝采用特殊背面去應(yīng)力工藝，通過機械應(yīng)力和背銀沾污的控制，將背面金屬和硅片的黏附力和金硅接觸電阻大大改善。論文同時闡述了一種自創(chuàng)的檢驗黏附力的方法，通過這種方法的監(jiān)控，大幅度提高了產(chǎn)品良率，本論文的研究課題來源于企業(yè)的大規(guī)模生產(chǎn)實踐，對于同類的低壓低導(dǎo)通電阻VDMOS產(chǎn)品有實用的參考意義。流程（二）討論了在半導(dǎo)體器件中應(yīng)用最為廣泛的金-硅合金工藝的失效模式及其解決辦法。并介紹了我公司獨創(chuàng)的刻蝕-淀積-合金以及應(yīng)力控制同時完成的方案。通過這種技術(shù)，使得金硅合金質(zhì)量得到大步的提升，并同時大大減少了背金工藝中的碎片問題，為企業(yè)獲得了很好的效益。
標簽：
超薄芯片
backend工藝
上傳時間：
2022-06-26
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