內(nèi)容簡介 介紹了一般微處押器核鮒設(shè)計(jì)原理、基于微處邦器核的SoC設(shè)計(jì)的其本機(jī)念甜方法,通過對(duì)ARM系列處理器核和 CPU核的詳小描述,說明微處理器及外接口的設(shè)計(jì)原理和方法。同時(shí)也綜述了ARM系列她理器核和最新ARM核的 研發(fā)戰(zhàn)果以政ARM和Thmb踹積模型,對(duì)SC設(shè)計(jì)中涉及到的行儲(chǔ)器層次、 Cache存儲(chǔ)器管誣、片上總線片|:調(diào)和 產(chǎn)品測(cè)試等主要間黥進(jìn)行了論述。在此基礎(chǔ)上給出了幾個(gè)基于ARM核的SoC嵌人式應(yīng)用的實(shí)例。最后對(duì)基于異步設(shè)計(jì) 的ARM核 AMCLET及異步SUC子系統(tǒng) AMUlET3打的研究進(jìn)行了介紹 木書的特點(diǎn)是將基于ARM微處理器核的SC設(shè)計(jì)和實(shí)際恢人式系統(tǒng)的應(yīng)用集成于一體,對(duì)于基于ARM核的S設(shè)計(jì) 和嵌λ式系統(tǒng)開發(fā)者來說是一本很好的參考手冊(cè)。可用作計(jì)算機(jī)科學(xué)拉術(shù)與應(yīng)用電氣T程、電∫科學(xué)與技術(shù)專業(yè)科牛及碩 研究生的教材,也可作為從事集成電路設(shè)計(jì)的[程技術(shù)人員、于ARM的嵌入式系統(tǒng)應(yīng)用開發(fā)技術(shù)入員的參考書。
上傳時(shí)間： 2020-04-02
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系統(tǒng)辨識(shí)理論及Matlab仿真[劉金琨,沉?xí)匀?趙龍][程序源代碼]
標(biāo)簽： 系統(tǒng)辨識(shí)理論及Matlab仿真[劉金琨 趙龍][程序源代碼]
上傳時(shí)間： 2020-07-13
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杰理AC1082解碼板
上傳時(shí)間： 2021-10-31
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基于TI IWR1642 77G mmWave 毫米波雷達(dá)的身理訊號(hào)量測(cè)方案基于TI IWR1642 77G mmWave 毫米波雷達(dá)的身理訊號(hào)量測(cè)方案
上傳時(shí)間： 2022-01-01
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杰理藍(lán)牙最新SDK，AC692x_SDK_release_V2.6.3.zip，這是杰理官方給出的SDK
上傳時(shí)間： 2022-04-08
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開關(guān)電源中功率器件的失效原因分析及解決方案 開關(guān)電源各重要器件的失效分析
標(biāo)簽： 開關(guān)電源 功率器件
上傳時(shí)間： 2022-04-16
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杰理AC692x系列藍(lán)牙板原廠開發(fā)包。
標(biāo)簽： 杰理 ac692x sdk 藍(lán)牙板
上傳時(shí)間： 2022-05-01
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杰理的藍(lán)牙音頻芯片功能好不錯(cuò)，適合小強(qiáng)度的藍(lán)牙音箱的開發(fā)
上傳時(shí)間： 2022-05-23
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近年來，對(duì)器件的失效分析已經(jīng)成為電力電子領(lǐng)域中一個(gè)研究熱點(diǎn)。本論文基于現(xiàn)代電力電子裝置中應(yīng)用最廣的IGBT器件，利用靜態(tài)測(cè)試儀3716，SEM（Scanning Electrom Microscope，掃描電子顯微鏡）、EDX（Energy Dispersive X-Ray Spectroscopy、能量色散x射線光譜儀）、FIB（Focused lon beam，聚焦高子束）切割、TEM（Thermal Emmision Microscope，高精度熱成像分析儀）等多種分析手段對(duì)模塊應(yīng)用當(dāng)中失效的1GBT芯片進(jìn)行電特性分析、芯片解剖并完成失效分析，并基于相應(yīng)的失效模式提出了封裝改進(jìn)方案。1，對(duì)于柵極失效的情況，本論文先經(jīng)過電特性測(cè)試完成預(yù)分析，并利用THEMOS分析出柵極漏電流通路，找到最小點(diǎn)并進(jìn)行失效原因分析，針對(duì)相應(yīng)原因提出改進(jìn)方案。2，針對(duì)開通與關(guān)斷瞬態(tài)過電流失效，采用研磨、劃片等手段進(jìn)行芯片的解剖。并用SEM與EDX對(duì)芯片損傷程度進(jìn)行評(píng)估分析，以文獻(xiàn)為參考進(jìn)行失效原因分析，利用saber仿真進(jìn)行失效原因驗(yàn)證。3，針對(duì)通態(tài)過電流失效模式，采用解剖分析來評(píng)估損傷情況，探究失效原因，并采用電感鉗位電路進(jìn)行實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證。4，針對(duì)過電壓失效模式，采用芯片解剖方式來分析失效點(diǎn)以及失效情況，基于文獻(xiàn)歸納并總結(jié)出傳統(tǒng)失效原因，并通過大量實(shí)驗(yàn)得出基于封裝的失效原因，最后采用saber仿真加以驗(yàn)證。
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上傳時(shí)間： 2022-06-21
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封裝作為微電子產(chǎn)業(yè)的三大支柱之一，在微電子產(chǎn)業(yè)中的地位越來越重要。隨著微電子產(chǎn)業(yè)不斷的發(fā)展，輕型化，薄型化，小型化的微小間距封裝成為發(fā)展需要。而封裝的相關(guān)失效成為制約封裝向前發(fā)展的瓶頸。本文通過大量的調(diào)研文獻(xiàn)，對(duì)封裝失效分析的目的，內(nèi)容和現(xiàn)狀進(jìn)行總結(jié)，并對(duì)封裝失效分析的未來發(fā)展進(jìn)行展望。本文的主題是對(duì)封裝中最重要的兩個(gè)方面引線鍵合和塑料封裝材料產(chǎn)生的相關(guān)失效進(jìn)行歸納總結(jié)。本文從封裝在微電子產(chǎn)業(yè)中的作用出發(fā)，引出對(duì)封裝的失效進(jìn)行分析的重要性，并說明了國內(nèi)外封裝產(chǎn)業(yè)的差距。對(duì)失效的基礎(chǔ)概念，失效的分類進(jìn)行了闡述；總結(jié)了進(jìn)行失效分析的相關(guān)流程和進(jìn)行失效分析最基本的方法和儀器。對(duì)封裝中最普遍的引線鍵合工藝和塑封工藝分別進(jìn)行了分析。對(duì)比了傳統(tǒng)的Au線，Al線與Cu線鍵合工藝，說明了Cu引線鍵合技術(shù)代替?zhèn)鹘y(tǒng)的鍵合技術(shù)成為主流鍵合工藝的必然性；對(duì)Cu引線鍵合技術(shù)中出現(xiàn)的相關(guān)失效問題和國內(nèi)外的研究結(jié)果進(jìn)行了分析歸納。對(duì)塑料封裝材料的發(fā)展進(jìn)行了說明，指出環(huán)氧樹脂為主流塑料封裝材料的原因；對(duì)環(huán)氧樹脂的組成以及在使用環(huán)氧樹脂過程中出現(xiàn)的相關(guān)失效進(jìn)行了歸納，并總結(jié)了環(huán)氧樹脂未來的發(fā)展方向。
上傳時(shí)間： 2022-06-24
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