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安全問(wèn)題

  • 基于MIMO技術(shù)的無線物理層安全傳輸研究

    不同于傳統(tǒng)秘鑰加密技術(shù),無線物理層安全理論技術(shù)是根據(jù)主竊信道傳輸速率的差值等特征信息來從信息論的角度降低竊聽者獲取的有用信息量。 在理想的竊聽信道模型中,只要保密容量(主竊聽信道容量差)大于0,系統(tǒng)就可以達(dá)到保密通信。%在引入信號(hào)衰落之后,保密通信只以一定的概率實(shí)現(xiàn)。 本文通過建立中斷概率模型來對(duì)通信系統(tǒng)的保密性進(jìn)行仿真。 本文主要研究性能中的保密速率和主竊信道信噪比這兩個(gè)指標(biāo)。在系統(tǒng)所需保密速率是定值的條件下,主竊信道信噪比之差越低,通信的保密性越好。通過采用MIMO技術(shù)中的波速成形技術(shù),合法信道中的信道容量可以被大幅度提高,進(jìn)而大幅度降低中斷概率。環(huán)形干擾技術(shù)不僅可以降低竊聽信道信噪比,而且對(duì)主信道的傳輸速率不會(huì)產(chǎn)生負(fù)面影響。經(jīng)過使用Alamouti編碼技術(shù),可以很好的解決由于天線數(shù)量增多而導(dǎo)致譯碼復(fù)雜度增加的問題。

    標(biāo)簽: MIMO 無線 安全傳輸 物理層

    上傳時(shí)間: 2020-03-17

    上傳用戶:成成愛吃魚

  • GB 21861-2014 機(jī)動(dòng)車安全技術(shù)檢驗(yàn)項(xiàng)目和方法

    GB 21861-2014 機(jī)動(dòng)車安全技術(shù)檢驗(yàn)項(xiàng)目和方法

    標(biāo)簽: 21861 2014 GB 機(jī)動(dòng)車 安全技術(shù) 項(xiàng)目

    上傳時(shí)間: 2020-05-27

    上傳用戶:iexiao

  • GB 4706.15-2008家用和類似用途電器的安全 皮膚及毛發(fā)護(hù)理器具的特殊要求

    GB 4706.15-2008家用和類似用途電器的安全 皮膚及毛發(fā)護(hù)理器具的特殊要求

    標(biāo)簽: GB4706.15

    上傳時(shí)間: 2020-05-30

    上傳用戶:下壹站興福

  • GB 4706.19-2008 家用和類似用途電器的安全 液體加熱器的特殊要求

    GB 4706.19-2008 家用和類似用途電器的安全 液體加熱器的特殊要求

    標(biāo)簽: GB4706.19

    上傳時(shí)間: 2020-05-30

    上傳用戶:下壹站興福

  • GB 4706.25-2008 家用和類似用途電器的安全 洗碗機(jī)的特殊要求

    GB 4706.25-2008 家用和類似用途電器的安全 洗碗機(jī)的特殊要求

    標(biāo)簽: GB4706.25

    上傳時(shí)間: 2020-05-30

    上傳用戶:下壹站興福

  • GB 4706.48-2009 家用和類似用途電器的安全 加濕器的特殊要求

    GB 4706.48-2009 家用和類似用途電器的安全 加濕器的特殊要求

    標(biāo)簽: GB4706.48

    上傳時(shí)間: 2020-05-30

    上傳用戶:下壹站興福

  • GB 12350-2009 小功能電動(dòng)機(jī)的安全要求

    GB 12350-2009 小功能電動(dòng)機(jī)的安全要求

    標(biāo)簽: GB 12350-2009

    上傳時(shí)間: 2020-05-30

    上傳用戶:下壹站興福

  • ESD Protection in CMOS ICs

    在互補(bǔ)式金氧半(CMOS)積體電路中,隨著量產(chǎn)製程的演進(jìn),元件的尺寸已縮減到深次微 米(deep-submicron)階段,以增進(jìn)積體電路(IC)的性能及運(yùn)算速度,以及降低每顆晶片的製造 成本。但隨著元件尺寸的縮減,卻出現(xiàn)一些可靠度的問題。 在次微米技術(shù)中,為了克服所謂熱載子(Hot-Carrier)問題而發(fā)展出 LDD(Lightly-Doped Drain) 製程與結(jié)構(gòu); 為了降低 CMOS 元件汲極(drain)與源極(source)的寄生電阻(sheet resistance) Rs 與 Rd,而發(fā)展出 Silicide 製程; 為了降低 CMOS 元件閘級(jí)的寄生電阻 Rg,而發(fā)展出 Polycide 製 程 ; 在更進(jìn)步的製程中把 Silicide 與 Polycide 一起製造,而發(fā)展出所謂 Salicide 製程

    標(biāo)簽: Protection CMOS ESD ICs in

    上傳時(shí)間: 2020-06-05

    上傳用戶:shancjb

  • ESD_Technology

    在互補(bǔ)式金氧半(CMOS)積體電路中,隨著量產(chǎn)製程 的演進(jìn),元件的尺寸已縮減到深次微米(deep-submicron)階 段,以增進(jìn)積體電路(IC)的性能及運(yùn)算速度,以及降低每 顆晶片的製造成本。但隨著元件尺寸的縮減,卻出現(xiàn)一些 可靠度的問題。

    標(biāo)簽: ESD_Technology

    上傳時(shí)間: 2020-06-05

    上傳用戶:shancjb

  • 安全防范工程技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)

    安全防范工程技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)是目前最新的安防技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)

    標(biāo)簽: 安全防范 工程技術(shù) 標(biāo)準(zhǔn)

    上傳時(shí)間: 2020-06-19

    上傳用戶:bailing3816

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