<li id="ymgsw"></li> 在使用一些專用開(kāi)發(fā)工具如Authorware時(shí)，常遇到不支持COM組件調(diào)用的問(wèn)題。文中介紹了將COM組件和ActiveX控件的轉(zhuǎn)化方法以解決這種問(wèn)題。根據(jù)組件的函數(shù)和數(shù)據(jù)成員在控件中添加相應(yīng)的屬性、方法和事件來(lái)設(shè)計(jì)控件。文中以一個(gè)語(yǔ)音識(shí)別組件來(lái)詳細(xì)說(shuō)明轉(zhuǎn)化方法和流程。最后，在Authorware工具中調(diào)用語(yǔ)音識(shí)別控件并能夠識(shí)別出文本。
標(biāo)簽： 語(yǔ)音識(shí)別 控件 轉(zhuǎn)化
上傳時(shí)間： 2013-11-03
上傳用戶：XLHrest
計(jì)數(shù)器是一種重要的時(shí)序邏輯電路，廣泛應(yīng)用于各類(lèi)數(shù)字系統(tǒng)中。介紹以集成計(jì)數(shù)器74LS161和74LS160為基礎(chǔ)，用歸零法設(shè)計(jì)N進(jìn)制計(jì)數(shù)器的原理與步驟。用此方法設(shè)計(jì)了3種36進(jìn)制計(jì)數(shù)器，并用Multisim10軟件進(jìn)行仿真。計(jì)算機(jī)仿真結(jié)果表明設(shè)計(jì)的計(jì)數(shù)器實(shí)現(xiàn)了36進(jìn)制計(jì)數(shù)的功能。基于集成計(jì)數(shù)器的N進(jìn)制計(jì)數(shù)器設(shè)計(jì)方法簡(jiǎn)單、可行，運(yùn)用Multisim 10進(jìn)行電子電路設(shè)計(jì)和仿真具有省時(shí)、低成本、高效率的優(yōu)越性。
標(biāo)簽： 歸零法 N進(jìn)制計(jì)數(shù)器原
上傳時(shí)間： 2013-10-11
上傳用戶：gtzj
聲光雙控?zé)?
標(biāo)簽： 聲光雙控
上傳時(shí)間： 2013-11-21
上傳用戶：lu2767
在理論模型的基礎(chǔ)上探討了電子勢(shì)壘的形狀以及勢(shì)壘形狀隨外加電壓的變化, 并進(jìn)行定量計(jì)算, 得出隧穿電壓隨雜質(zhì)摻雜濃度的變化規(guī)律。所得結(jié)論與硅、鍺p-n 結(jié)實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)相吻合, 證明了所建立的理論模型在定量 研究p-n 結(jié)的隧道擊穿中的合理性與實(shí)用性。該理論模型對(duì)研究一般材料或器件的隧道擊穿具有重要的借鑒意義。
上傳時(shí)間： 2013-10-31
上傳用戶：summery
電子發(fā)燒友網(wǎng)為大家提供了新一代高速定位模塊QD75M詳解，希望看完之后你對(duì)高速定位模塊QD75M有一個(gè)全面的認(rèn)識(shí)。
上傳時(shí)間： 2013-10-22
上傳用戶：stvnash
能實(shí)現(xiàn)VCO 功能的電路很多，常用的有分立器件構(gòu)成的振蕩器和集成壓控振蕩器。如串聯(lián)諧振電容三點(diǎn)式電路、壓控晶體振蕩器，積分-施密特電路、射級(jí)耦合多諧振蕩器、變?nèi)荻O管調(diào)諧LC 振蕩器和數(shù)字門(mén)電路等幾種。它們之間各有優(yōu)缺點(diǎn)，下面做簡(jiǎn)要分析，并選擇最合適的方案。
上傳時(shí)間： 2013-11-06
上傳用戶：tdyoung
聲控開(kāi)關(guān)和光控開(kāi)關(guān)的制作
標(biāo)簽： 聲控開(kāi)關(guān) 光控開(kāi)關(guān)
上傳時(shí)間： 2013-10-27
上傳用戶：shaoyun666
計(jì)一種基于Howland電流源電路的精密壓控電流源，論述了該精密壓控電流源的原理。該電路以V/I轉(zhuǎn)換電路作為核心，Howland電流源做為誤差補(bǔ)償電路，進(jìn)一步提高了電流源的精度，使絕對(duì)誤差仿真值達(dá)到nA級(jí)，實(shí)際電路測(cè)量值絕對(duì)誤差達(dá)到?滋A級(jí)，得到高精度的壓控電流源。仿真和實(shí)驗(yàn)測(cè)試均證明該方案是可行的。
上傳時(shí)間： 2014-12-24
上傳用戶：sklzzy
三相橋式全控整流電路的工作原理
上傳時(shí)間： 2013-10-23
上傳用戶：Miyuki
N+緩沖層設(shè)計(jì)對(duì)PT-IGBT器件特性的影響至關(guān)重要。文中利用Silvaco軟件對(duì)PT-IGBT的I-V特性進(jìn)行仿真。提取相同電流密度下，不同N+緩沖層摻雜濃度PT-IGBT的通態(tài)壓降，得到了通態(tài)壓降隨N+緩沖層摻雜濃度變化的曲線，該仿真結(jié)果與理論分析一致。對(duì)于PT-IGBT結(jié)構(gòu)，N+緩沖層濃度及厚度存在最優(yōu)值，只要合理的選取可以有效地降低通態(tài)壓降。
上傳時(shí)間： 2013-11-12
上傳用戶：thesk123
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