電子電源，有需要得可以下載學(xué)習(xí)。相鄰層不同的電源平面要避免交疊放置，以防止噪 聲的互擾 v 模擬電源和模擬地；數(shù)字電源和數(shù)字地，在平面層 分割時(shí)要嚴(yán)格分開，不要在平面上存在容性耦合 v 電源的分割區(qū)域要正確，模擬電源區(qū)域上要避免有 數(shù)字信號和數(shù)字器件，數(shù)字電源區(qū)域上要避免有模 擬信號和模擬器件，以防止噪聲的互擾。 v 信號不允許跨越分割平面,如不可避免，要適當(dāng)加跨 接電容形成信號回流通道。 v 電源層要比地層內(nèi)縮1mm,并在內(nèi)縮區(qū)域每隔150mil 打屏蔽地過孔
上傳時(shí)間： 2022-02-05
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PCB聯(lián)盟網(wǎng)-科普知識--《電子封裝材料與工藝》 學(xué)習(xí)筆記 54頁本人主要從事 IC 封裝化學(xué)材料（電子膠水）工作，為更好的理解 IC 封裝產(chǎn)業(yè)的動態(tài)和技術(shù)，自學(xué)了《電子封裝材料 與工藝》，貌似一本不錯(cuò)的教材，在此總結(jié)出一些個(gè)人的學(xué)習(xí)筆記和大家分享。此筆記原發(fā)在本人的“電子中，有興趣的朋友可以前去查看一起探討第一章 集成電路芯片的發(fā)展與制造 1、原子結(jié)構(gòu)：原子是由高度密集的質(zhì)子和中子組成的原子核以及圍繞它在一定軌道（或能級）上旋 轉(zhuǎn)的荷負(fù)電的電子組成（Neils Bohr 于 1913 年提出）。當(dāng)原子彼此靠近時(shí)，它們之間發(fā)生交互作用 的形成所謂的化學(xué)鍵，化學(xué)鍵可以分成離子鍵、共價(jià)鍵、分子鍵、氫鍵或金屬鍵； 2、真空管（電子管）： a.真空管問世于 1883 年 Edison（愛迪生）發(fā)明白熾燈時(shí)，1903 年英格蘭的 J.A.Fleming 發(fā)現(xiàn)了真 空管類似極管的作用。在愛迪生的真空管里，燈絲為陰極、金屬板為陽極； b.當(dāng)電子管含有兩個(gè)電極（陽極和陰極）時(shí)，這種電路被稱為二極管，1906 年美國發(fā)明家 Lee DeForest 在陰極和陽極之間加入了一個(gè)柵極（一個(gè)精細(xì)的金屬絲網(wǎng)），此為最早的三極管，另外更 多的電極如以致柵極和簾柵極也可以密封在電子管中，以擴(kuò)大電子管的功能； c.真空管盡管廣泛應(yīng)用于工業(yè)已有半個(gè)多世紀(jì)，但是有很多缺點(diǎn)，包括體積大，產(chǎn)生的熱量大、容 易燒壞而需要頻繁地更換，固態(tài)器件的進(jìn)展消除了真空管的缺點(diǎn)，真空管開始從許多電子產(chǎn)品的使 用中退出； 3、半導(dǎo)體理論： a.在 IC 芯片制造中使用的典型半導(dǎo)體材料有元素半導(dǎo)體硅、鍺、硒，半導(dǎo)體化合物有砷化鎵（GaAs）、 磷砷化鎵（GaAsP）、磷化銦（InP）； b.二極管（一個(gè) p-n 結(jié)），當(dāng)結(jié)上為正向偏壓時(shí)可以導(dǎo)通電流，當(dāng)反向偏壓時(shí)則電流停止； c.結(jié)型雙極晶體管：把兩個(gè)或兩個(gè)以上的 p-n 結(jié)組合成一個(gè)器件，導(dǎo)致了之！
上傳時(shí)間： 2022-02-06
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虛擬現(xiàn)實(shí)技術(shù)的國內(nèi)外研究現(xiàn)狀與發(fā)展-許微虛擬現(xiàn)實(shí)技術(shù)的國內(nèi)外研究現(xiàn)狀與發(fā)展 許 微 (中國地質(zhì)大學(xué)(武漢) 信息工程學(xué)院 ,湖北 武漢 430074) 摘 要 :虛擬現(xiàn)實(shí)技術(shù)是一門新興邊緣的技術(shù) ,研究內(nèi)容涉及多個(gè)領(lǐng)域 ,應(yīng)用十分廣泛 ,被公認(rèn)為是 21 世紀(jì)重要的發(fā) 展學(xué)科以及影響人們生活的重要技術(shù)之一。從虛擬現(xiàn)實(shí)的概念出發(fā) ,對虛擬現(xiàn)實(shí)技術(shù)的國內(nèi)外研究現(xiàn)狀進(jìn)行了充分論述 , 并展望了虛擬現(xiàn)實(shí)的發(fā)展趨勢。 關(guān)鍵詞 :虛擬現(xiàn)實(shí) ;研究現(xiàn)況 ;發(fā)展趨勢 中圖分類號 : F061. 3 文獻(xiàn)標(biāo)識碼 :A 文章編號 :167223198 (2009) 0220279202 1 虛擬現(xiàn)實(shí) 虛擬現(xiàn)實(shí)(Virtual Reality ,簡稱 VR) ,又譯為臨境 , 靈 境等。從應(yīng)用上看它是一種綜合計(jì)算機(jī)圖形技術(shù)、多媒體 技術(shù)、人機(jī)交互技術(shù)、網(wǎng)絡(luò)技術(shù)、立體顯示技術(shù)及仿真技術(shù) 等多種科學(xué)技術(shù)綜合發(fā)展起來的計(jì)算機(jī)領(lǐng)域的最新技術(shù) , 也是力學(xué)、數(shù)學(xué)、光學(xué)、機(jī)構(gòu)運(yùn)動學(xué)等各種學(xué)科的綜合應(yīng)用。 這種計(jì)算機(jī)領(lǐng)域最新技術(shù)的特點(diǎn)在于以模仿的方式為用戶 創(chuàng)造一種虛擬的環(huán)境 ,通過視、聽、觸等感知行為使得用戶 產(chǎn)生一種沉浸于虛擬環(huán)境的感覺 ,并與虛擬環(huán)境相互作用 從而引起虛擬環(huán)境的實(shí)時(shí)變化?，F(xiàn)在與虛擬現(xiàn)實(shí)有關(guān)的內(nèi) 容已經(jīng)擴(kuò)大到與之相關(guān)的許多方面 ,如“人工現(xiàn)實(shí)”(Artifi2 cial Reality) 、“遙在”( Telepresence) 、“虛擬環(huán)境”( Virtual Environment) “、賽博空間”(Cyberspace) 等等。 2 國外虛擬現(xiàn)實(shí)技術(shù)研究現(xiàn)狀 計(jì)算機(jī)的發(fā)展提供了一種計(jì)算工具和分析工具 ,并因 此導(dǎo)致了許多解決問題的新方法的產(chǎn)生。虛擬現(xiàn)實(shí)技術(shù)的 產(chǎn)生與發(fā)展也同樣如此 ,概括的國內(nèi)外虛擬現(xiàn)實(shí)技術(shù) ,它主 要涉及到三個(gè)研究領(lǐng)域 :通過計(jì)算圖形方式建立實(shí)時(shí)的三 維視覺效果 ;建立對虛擬世界的觀察界面 ;使用虛擬現(xiàn)實(shí)技 術(shù)加強(qiáng)諸如科學(xué)計(jì)算技術(shù)等方面的應(yīng)用。 2. 1 VR 技術(shù)在美國的研究現(xiàn)狀 美國是虛擬現(xiàn)實(shí)技術(shù)研究的發(fā)源地 ,虛擬現(xiàn)實(shí)技術(shù)可 以追溯到上世紀(jì) 40 年代。最初的研究應(yīng)用主要集中在美 國軍方對飛行駕駛員與宇航員的模擬訓(xùn)練。然而 , 隨著冷 戰(zhàn)后美國軍費(fèi)的削減 ,這些技術(shù)逐步轉(zhuǎn)為民用. 目前美國在 該領(lǐng)域的基礎(chǔ)研究主要集中在感知、用戶界面、后臺軟件和 硬件四個(gè)方面。 上世紀(jì) 80 年代 ,美國宇航局 (NASA) 及美國國防部組 織了一系列有關(guān)虛擬現(xiàn)實(shí)技術(shù)的研究 ,并取得了令人矚目 的研究成果 ,美國宇航局 Ames 實(shí)驗(yàn)室致力于一個(gè)叫“虛擬 行星探索”(VPE) 的實(shí)驗(yàn)計(jì)劃?，F(xiàn) NASA 已經(jīng)建立了航空、
標(biāo)簽： 虛擬現(xiàn)實(shí)
上傳時(shí)間： 2022-03-17
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內(nèi) 容 簡 介 本書以最新流行的不需要外部晶振與復(fù)位電路的可仿真的高速 STC15 系列單片機(jī)為核心，詳細(xì)介紹了 單片機(jī)內(nèi)部功能模塊，比如定時(shí)器、中斷、串口、SPI 接口、片內(nèi)比較器、ADC 轉(zhuǎn)換器、可編程計(jì)數(shù)器陣列 (CCP/PCA/PWM)等。每個(gè)重要知識點(diǎn)都有簡短精煉的實(shí)例作驗(yàn)證，然后就是單片機(jī)常用外圍接口的介紹與 STC15 系列單片機(jī)的實(shí)際產(chǎn)品運(yùn)用實(shí)例分析。另外對單片機(jī)開發(fā)必須掌握的 C 語言基礎(chǔ)知識與 Keil 開發(fā)環(huán) 境也作了較為詳細(xì)的介紹，對于沒有學(xué)習(xí)過 C 語言的讀者通過本書也能輕松進(jìn)入以 C 語言開發(fā)單片機(jī)的學(xué) 習(xí)狀態(tài)。 為了快速驗(yàn)證本書的理論知識，作者設(shè)計(jì)了與本書配套的雙核（兩個(gè)仿真型單片機(jī)）實(shí)驗(yàn)板，功能強(qiáng) 大，操作簡單，直觀，除用于本書實(shí)驗(yàn)測試外，也可用于產(chǎn)品前期開發(fā)。 本書可作為普通高校計(jì)算機(jī)類、電子類、自動控制類、儀器儀表類、機(jī)電一體化類等相關(guān)專業(yè)教學(xué)用書， 對已有一定設(shè)計(jì)經(jīng)驗(yàn)的單片機(jī)工程師也有重要參考價(jià)值
標(biāo)簽： 51單片機(jī)
上傳時(shí)間： 2022-03-24
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本文對PWM全橋軟開關(guān)直流變換器進(jìn)行了研究。具體闡述了PWM全橋ZS軟開關(guān)直流變換器的工作原理和軟開關(guān)的實(shí)現(xiàn)條件，就基本的移相控制FB ZVS PWM變換器存在的問題給予分析并對兩種改進(jìn)方案進(jìn)行了研究：1、能在全部工作范圍內(nèi)實(shí)現(xiàn)零電壓開關(guān)的改進(jìn)型全橋移相zvs-PWM DCDC變換器，文中通過對其開關(guān)過程的分析，得出實(shí)現(xiàn)全負(fù)載范圍內(nèi)零電壓開關(guān)的條件。采用改進(jìn)方案設(shè)計(jì)了一臺48V~6 VDC/DC變換器，實(shí)驗(yàn)結(jié)果證明其比基本的 ZVS-PWM變換器具有更好的軟開關(guān)性能。2、采用輔助網(wǎng)絡(luò)的全橋移相 ZVZCS-PWM DCDC變換器，文中具體分析了其工作原理及變換器特性，并進(jìn)行實(shí)驗(yàn)研究隨著電力電子技術(shù)的發(fā)展，功率變換器在開關(guān)電源、不間斷電源、CPU電源照明、電機(jī)驅(qū)動控制、感應(yīng)加熱、電網(wǎng)的無功補(bǔ)償和諧波治理等眾多領(lǐng)域得到日益廣泛的應(yīng)用，電力電子技術(shù)高頻化的發(fā)展趨勢使功率變換器的重量大大減輕體積大大減小，提高了產(chǎn)品的性能價(jià)格比，但采用傳統(tǒng)的硬開關(guān)技術(shù)，開關(guān)損耗將隨著開關(guān)頻率的提高而成正比地增加，限制了開關(guān)的高頻化提高功率開關(guān)器件本身的開關(guān)性能，可以減少開關(guān)損耗，另一方面，從變換器結(jié)構(gòu)和控制上改善功率開關(guān)器件的開關(guān)性能，可以減少開關(guān)損耗。如緩沖技術(shù)、無損緩沖技術(shù)、軟開關(guān)技術(shù)等軟開關(guān)技術(shù)在減少功率開關(guān)器件的開關(guān)損耗方面效果比較好，理論上可使開關(guān)損耗減少為零。12軟開關(guān)技術(shù)的原理和類型功率變換器通常采用PwM技術(shù)來實(shí)現(xiàn)能量的轉(zhuǎn)換。硬開關(guān)技術(shù)在每次開關(guān)通斷期間功率器件突然通斷全部的負(fù)載電流，或者功率器件兩端電壓在開通時(shí)通過開關(guān)釋放能量，這種方式的工作狀況下必將造成比較大的開關(guān)損耗和開關(guān)應(yīng)力，使開關(guān)頻率不能做得很高。軟開關(guān)技術(shù)是利用感性和容性元件的諧振原理，在導(dǎo)通前使功率開關(guān)器件兩端的電壓降為零，而關(guān)斷時(shí)先使功率開關(guān)器件中電流下降到零，實(shí)現(xiàn)功率開關(guān)器件的零損耗開通和關(guān)斷，并且減少開關(guān)應(yīng)力。
標(biāo)簽： 移相全橋
上傳時(shí)間： 2022-03-29
上傳用戶：jason_vip1
論文介紹了當(dāng)前流行的幾種無線充電技術(shù)，并提出了一種帶金屬物體檢測的多線圈無線充電系統(tǒng)的設(shè)計(jì)方案該方案采用電磁感應(yīng)的技術(shù)原理，具有成本低、效率高等特點(diǎn)。另外，相比于其他電磁感應(yīng)技術(shù)的無線充電方案，本文方案的特點(diǎn)是低功耗、多線圈及帶金屬物體檢測功能硬件方面，本文提出的無線充電系統(tǒng)采用美國德州儀器公司的BQ500410A及BQ51013B作為發(fā)射端電路和接收端電路的主控部分，并輔以MSP430G2101實(shí)現(xiàn)低功耗電路為了擴(kuò)大負(fù)載設(shè)備的充電面積，發(fā)射端電路采用三線圈的方案，自動選擇最優(yōu)的線圈來提供能量傳輸通道。此外，本文方案還設(shè)計(jì)了寄生金屬物體檢測及外來物體檢測功能，避免了能量傳輸通道上存在的金屬物體產(chǎn)生的渦流發(fā)熱對無線充電系統(tǒng)的影響。軟件方面，本文采用“反向散播調(diào)制技術(shù)”進(jìn)行信號調(diào)制，并定義了物理層、數(shù)據(jù)鏈路層、邏輯層協(xié)議，規(guī)范了發(fā)射端電路與接收端電路之問數(shù)據(jù)通信。在傳輸功率控制方面，本文采用的是離散PID控制算法，并結(jié)合動態(tài)整流控制算法提高系統(tǒng)的瞬態(tài)響應(yīng)速度。最后，本文測試了上述軟硬件設(shè)計(jì)的主要功能，證實(shí)了本文設(shè)計(jì)方案的可行性關(guān)鍵詞：無線充電、電磁感應(yīng)、低功耗、金屬物體檢測、多線圈
標(biāo)簽： 無線充電系統(tǒng)
上傳時(shí)間： 2022-04-02
上傳用戶：XuVshu
設(shè)計(jì)功率MOSFET驅(qū)動電路時(shí)需重點(diǎn)考慮寄生參數(shù)對電路的影響。米勒電容作為MOSFET器件的一項(xiàng)重要參數(shù),在驅(qū)動電路的設(shè)計(jì)時(shí)需要重點(diǎn)關(guān)注。重點(diǎn)觀察了MOSFET的開通和關(guān)斷過程中柵極電壓、漏源極電壓和漏源極電流的變化過程,并分析了米勒電容、寄生電感等寄生參數(shù)對漏源極電壓和漏源極電流的影響。分析了柵極電壓在米勒平臺附近產(chǎn)生振蕩的原因,并提出了抑制措施,對功率MOSFET的驅(qū)動設(shè)計(jì)具有一定的指導(dǎo)意義。When designing the drive circuit of power MOSFET,the influence of parasitic parameters on the circuit should be concerned.As an important parameter of MOSFET device,Miller capacitance should be considered in the design of drive circuit.The variation of gate voltage,drain source voltage and drain source current during the turn-on and turn-off of MOSFET were observed.The influences of parasitic parameters such as Miller capacitance and parasitic inductance on drain source voltage and drain source current were analyzed.The reasons of gate voltage oscillation nearby Miller plateau were analyzed,and the restraining measures were put forward.This research was instructive for the drive design of power MOSFET.
標(biāo)簽： mosfet
上傳時(shí)間： 2022-04-02
上傳用戶：默默
IC封裝前仿和后仿的PI/SI/EMC分析直流壓降-仿真直流壓降，電流密度分布，功率密度分布，電阻網(wǎng)絡(luò)2.電源完整性-分析電源分配系統(tǒng)的性能，評估不同的疊層，電容容值選擇和放置方法，最佳性價(jià)比優(yōu)化去耦電容3.信號完整性一分析信號回流路徑的不連續(xù)性，分析串?dāng)_和SSN/SS0，分析信號延遲，畸變，抖動和眼圖4.電磁兼容一分析電磁干擾和輻射寬帶模型抽取-提取電源分配網(wǎng)絡(luò)的精確寬帶模型，信號和電源/地模型
標(biāo)簽： sip
上傳時(shí)間： 2022-04-03
上傳用戶：qdxqdxqdxqdx
【作 者】（美）霍華德·約翰遜（Howard Johnson），（美）Martin Graham著；沈立等譯本教材結(jié)合了數(shù)字和模擬電路理論，對高速數(shù)字電路系統(tǒng)設(shè)計(jì)中的信號完整性和EMC方面的問題進(jìn)行了討論和研究。書中詳細(xì)討論了涉及信號完整性方面的傳輸線、時(shí)鐘偏移和抖動、端接、過孔等問題。第1章 基礎(chǔ)知識 18 1.1 頻率與時(shí)間 18 1.2 時(shí)間與距離 21 1.3 集總與分布系統(tǒng) 22 1.4 關(guān)于3 dB和RMS頻率的解釋 24 1.5 4種類型的電抗 25 1.6 普通電容 26 1.7 普通電感 31 1.8 估算衰減時(shí)間的更好方法 35 1.9 互容 37 1.10 互感 40第2章 邏輯門電路的高速特性 47 2.1 一種年代久遠(yuǎn)的數(shù)字技術(shù)的發(fā)展歷史 47 2.2 功率 31 2.3 速度 66 2.4 封裝 71第3章 測量技術(shù) 84第4章 傳輸線 123第5章 地平面和疊層 169第6章 端接 195第7章 通孔 214第8章 電源系統(tǒng) 225第9章 連接器 249第10章 扁平電纜 271第11章 時(shí)鐘分配 285第12章 時(shí)鐘振蕩器 304
標(biāo)簽： 高速數(shù)字設(shè)計(jì)
上傳時(shí)間： 2022-04-16
上傳用戶：wangshoupeng199
支持在線安裝方式，永遠(yuǎn)保持最新版本持常用的110-115200bps波特率，端口號、校驗(yàn)位、數(shù)據(jù)位和停止位均可設(shè)置動檢測枚舉本機(jī)串口號，支持虛擬串口持設(shè)置分包參數(shù)(最大包長、分包時(shí)間)，防止接收時(shí)數(shù)據(jù)粘包持ASCII/Hex發(fā)送,發(fā)送和接收的數(shù)據(jù)可以在16進(jìn)制和AscII碼之間任意轉(zhuǎn)換，支持發(fā)送和顯示漢字接收數(shù)據(jù)能夠自動儲存到文檔支持系統(tǒng)日志接受方式：接受內(nèi)容時(shí)自動顯示信息時(shí)間戳等基本信息支持隨意間距發(fā)送，循環(huán)系統(tǒng)發(fā)送接受和發(fā)送文本支持ANSI與UTF8二種編碼方式支持頁面對話框的背景圖及其字體樣式定制支持多個(gè)串口同時(shí)處理現(xiàn)在發(fā)布了V1.1.21版本了正在加入圖形分析研究的功能后續(xù)我會持續(xù)更新，同步推送
標(biāo)簽： stduart 串口調(diào)試
上傳時(shí)間： 2022-04-25
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