等離子體鎢極氬弧焊接槍為研究對(duì)象，通過求等離子體弧柱區(qū)域的能量方程、動(dòng)量守恒、質(zhì)量守恒及電流連續(xù)性方程。得到溫度、速度、電流密度分布。
上傳時(shí)間： 2013-10-14
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本書內(nèi)容翔實(shí)、精煉，介紹了進(jìn)行電源設(shè)計(jì)必須了解的幾乎所有相關(guān)的知識(shí)，包括以下幾個(gè)方面。 拓?fù)涓攀?mdash;—常用的15種拓?fù)洌还β书_關(guān)管的最大電流應(yīng)力和最大電壓應(yīng)力；對(duì)于有確定的輸入輸出電壓、輸出功率的功率開關(guān)管，最佳拓?fù)涞倪x擇；最佳拓?fù)涞倪x擇；最佳功率開關(guān)管的選擇。 高頻磁原理——鐵氧體磁心磁帶、集膚效應(yīng)和鄰近效應(yīng)損耗。 變壓器設(shè)計(jì)——與頻率、磁密度、鐵心面積和繞線面積以及拓?fù)溆嘘P(guān)的函數(shù)公式推導(dǎo)；磁心、線圈、變壓器總損耗，以及溫升的計(jì)算；使用常用拓?fù)涞淖儔浩髟O(shè)計(jì)實(shí)例。 直流電流偏置電感設(shè)計(jì)——導(dǎo)通直流偏置電流的電感設(shè)計(jì)。 磁放大器、緩沖器的設(shè)計(jì)以及諧振變換器。 反饋環(huán)穩(wěn)定性。 主要拓?fù)涞木_波形。 本書第二版增加了該領(lǐng)域內(nèi)目前最受關(guān)注的關(guān)于電流的章節(jié)，包括功率因數(shù)校正、熒火燈使用的高頻鎮(zhèn)流器和筆記本電腦設(shè)計(jì)的低輸入電壓電源。 內(nèi)容簡(jiǎn)介本書從最基本的開關(guān)變換器分析入手，系統(tǒng)地闡述開關(guān)電源電路（設(shè)計(jì)）的功率轉(zhuǎn)換和脈寬調(diào)制原理、驅(qū)動(dòng)電路與閉環(huán)反饋的穩(wěn)定性及磁性元件的設(shè)計(jì)原則；對(duì)各功率變換器器件的參數(shù)選擇和變換器各部分波形進(jìn)行了定量分析；利用閉環(huán)反饋振蕩機(jī)理，詳細(xì)討論了開關(guān)電源電流、電壓環(huán)反饋系統(tǒng)的穩(wěn)定性；論述高頻開關(guān)電源在功率因數(shù)校正技術(shù)、軟開關(guān)技術(shù)，以及電子鎮(zhèn)流器技術(shù)等方面的最新動(dòng)態(tài)和發(fā)展趨勢(shì)。內(nèi)容上不僅對(duì)各功率變換器的原理有詳盡、系統(tǒng)的論述，同時(shí)給出多種新型的拓?fù)浼皩?duì)應(yīng)電路反饋環(huán)的設(shè)計(jì)實(shí)例。 本書可以作為學(xué)習(xí)、研究高頻開關(guān)電源的高校師生的教材，也可作為從事開關(guān)電源設(shè)計(jì)、開發(fā)的工程師的設(shè)計(jì)參考資料。
標(biāo)簽： Switching_Power_Supply_Design Second_Edition 開關(guān)電源設(shè)計(jì)
上傳時(shí)間： 2013-11-21
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As logic systems get larger and more complex, theirsupply current requirements continue to rise. Systemsrequiring 100A are fairly common. A high current powersupply to meet such requirements usually requires parallelingseveral power regulators to alleviate the thermalstress on the individual power components. A powersupply designer is left with the choice of how to drive theseparalleled regulators: brute-force single-phase or smartPolyPhaseTM.
標(biāo)簽： 高效率 密度 多相轉(zhuǎn)換器 高電流
上傳時(shí)間： 2013-10-08
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變壓器的設(shè)計(jì)步驟和計(jì)算公式： 1.1 變壓器的技術(shù)要求: 輸入電壓范圍; 輸出電壓和電流值; 輸出電壓精度; 效率η; 磁芯型號(hào); 工作頻率f; 最大導(dǎo)通占空比Dmax; 最大工作磁通密度Bmax; 其它要求。
標(biāo)簽： 開關(guān)電源變壓器 設(shè)計(jì)教程
上傳時(shí)間： 2013-12-24
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半導(dǎo)體激光器是一種高功率密度并具有極高量子效率的器件，微小的電流變化將導(dǎo)致光功率輸出的極大變化和器件參數(shù)（如激射波長(zhǎng)、噪聲性能、模式跳動(dòng)）的變化，這些變化直接影響器件的安全工作和應(yīng)用要求。 本公司設(shè)計(jì)和生產(chǎn)的半導(dǎo)體激光電源LDD-AAVV-T是連續(xù)可調(diào)恒流電源，采用了目前國際先進(jìn)的半導(dǎo)體激光電源方案，選用優(yōu)質(zhì)元器件生產(chǎn)。具有輸出噪聲小、恒流特性好、電流穩(wěn)定、抗干擾能力強(qiáng)等優(yōu)點(diǎn)，并具有防過沖、反沖和反浪涌的穩(wěn)壓、恒流雙重保護(hù)電路，保證激光器的穩(wěn)定工作和使用壽命。LDD-AAVV型半導(dǎo)體激光電源采用單片機(jī)管理和控制，是一種智能化高精度恒流型開關(guān)電源，可作為半導(dǎo)體激光打標(biāo)機(jī)的配套電源。針對(duì)激光打標(biāo)設(shè)備的特點(diǎn)，電源還可管理水泵、指示光、振鏡和Q開關(guān)幾部分的開關(guān)。電源有LCD液晶顯示，能提供電源工作的各個(gè)參數(shù)及其工作狀態(tài)的顯示，具備過壓、過流、水溫和水壓報(bào)警功能，實(shí)為半導(dǎo)體激光器的理想電源。本電源還可以作為其它高精度恒流源，供設(shè)備使用。
上傳時(shí)間： 2013-11-10
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特點(diǎn)：1．全封閉印刷線路板直接焊接安裝、使用方便、外形美觀；2．結(jié)構(gòu)緊湊、堅(jiān)固、抗振、防潮、阻燃、抗電強(qiáng)度高；3．體積小、功率密度大；4．經(jīng)濟(jì)適用，價(jià)格低。
上傳時(shí)間： 2013-11-01
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在DCM狀態(tài)下選擇：Uin－電源輸入直流電壓Uinmin－電源輸入直流電壓最小值D－占空比Np－初級(jí)繞組匝數(shù)Lp－初級(jí)繞組電感量Ae－磁芯有效面積Ip－初級(jí)峰值電流f－開關(guān)頻率Ton－開關(guān)管導(dǎo)通時(shí)間I－初級(jí)繞組電流有效值η－開關(guān)電源效率J－電流密度
標(biāo)簽： 反激式開關(guān) 電源設(shè)計(jì) 磁芯
上傳時(shí)間： 2013-12-16
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數(shù)據(jù)中心功率密度和設(shè)備多樣性的增強(qiáng)正促使動(dòng)力及制冷系統(tǒng)發(fā)生改變。關(guān)鍵業(yè)務(wù)服務(wù)器及通信設(shè)備的性能及可靠性亦取決于動(dòng)力及制冷系統(tǒng)。 由于各公司均配備新應(yīng)用程序以提高業(yè)務(wù)對(duì)數(shù)據(jù)中心系統(tǒng)的依存度，不斷上升的設(shè)備密度使得系統(tǒng)的重要性不斷增加。同時(shí)，隨著服務(wù)器外形不斷縮小，整套設(shè)施及獨(dú)立機(jī)架可為越來越多的設(shè)備提供支持。 上述變化提出了對(duì)動(dòng)態(tài)數(shù)據(jù)中心基礎(chǔ)設(shè)施的更高需求。當(dāng)關(guān)鍵基礎(chǔ)設(shè)施系統(tǒng)能更好的適應(yīng)新技術(shù)及新業(yè)務(wù)變化帶來的密度、容量及可用性方面的改變時(shí)，即可大大提高運(yùn)行的靈活性，從而可實(shí)現(xiàn)更高的系統(tǒng)可用性并降低總成本。 在關(guān)鍵電源領(lǐng)域，動(dòng)態(tài)基礎(chǔ)設(shè)施必須包括UPS系統(tǒng)、配電系統(tǒng)及在架式電源管理。
標(biāo)簽： 數(shù)據(jù)中心 電源轉(zhuǎn)換
上傳時(shí)間： 2013-11-05
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DSP的使用正呈爆炸式發(fā)展。OFDM、GPS相關(guān)器、FFT、FIR濾波器或H.264之類計(jì)算密集型算法在從移動(dòng)電話到汽車的各種應(yīng)用中都很常見。設(shè)計(jì)人員實(shí)現(xiàn)DSP有三種選擇：他們可以使用DSP處理器、FPGA或掩膜ASIC。ASIC具有最高的吞吐量、最低的功耗和最低的成本，但其極大的NRE和較長(zhǎng)研制周期使其對(duì)許多設(shè)計(jì)而言并不適用。定制ASIC的研制周期可達(dá)一年之久，比最終產(chǎn)品的使用壽命都長(zhǎng)。FPGA已占居較大的市場(chǎng)份額，因?yàn)槠淠芴峁┍菵SP處理器更好的吞吐量，而且沒有ASIC的極大NRE和較長(zhǎng)研制周期。 因此，常常將基于ARM的MCU和FPGA結(jié)合使用來實(shí)現(xiàn)這些設(shè)計(jì)，其中FPGA實(shí)現(xiàn)設(shè)計(jì)的DSP部分。然而，F(xiàn)PGA也有其自身的不足--最突出的是功耗很高(靜態(tài)功耗接近2W)，且性能比ASIC慢。FPGA時(shí)鐘用于邏輯執(zhí)行時(shí)通常限制為50MHz，而ASIC可以400MHz或更高頻率執(zhí)行邏輯。其他缺點(diǎn)還包括在IP載入基于SRAM的FPGA時(shí)安全性還不夠理想，成本也較高。盡管FPGA成本已迅速降低，但價(jià)格通常在10,000片左右就不再下降，因此仍比較昂貴。 新型可定制Atmel處理器（CAP）MCU具有的門密度、單元成本、性能和功耗接近基于單元的ASIC，而NRE較低且開發(fā)時(shí)間較快。與基于ARM的非可定制標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品MCU一樣，不需要單獨(dú)的ARM許可。 可定制MCU利用新型金屬可編程單元結(jié)構(gòu)（MPCF）ASIC技術(shù)，其門密度介于170K門/mm2與210K門/mm2之間，與基于單元的ASIC相當(dāng)。例如，實(shí)現(xiàn)D觸發(fā)器（DFF）的MPCF單元與標(biāo)準(zhǔn)的單元DFF都使用130nm的工藝，所用面積差不多相同。
上傳時(shí)間： 2013-10-29
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提出了采用兩段式同軸波紋慢波結(jié)構(gòu)實(shí)現(xiàn)雙頻高功率微波輸出的相對(duì)論返波振蕩器， 推導(dǎo)了該結(jié)構(gòu)的TM0n模式色散方程，數(shù)值求解了兩段式同軸波紋慢波結(jié)構(gòu)TM0n模色散曲線，分析了該器件X波段雙頻高功率微波輸出的產(chǎn)生機(jī)理， 分析中考慮了電子注在慢波結(jié)構(gòu)第二段工作效率不變和下降時(shí)的雙頻工作點(diǎn)情況，并運(yùn)用2.5 維全電磁粒子模擬程序驗(yàn)證了雙頻微波信號(hào)的可靠性。關(guān)鍵詞高功率微波；雙頻；X 波段；相對(duì)論返波振蕩器 當(dāng)前， 應(yīng)用于高功率微波效應(yīng)的微波器件只有一個(gè)主頻率，已有的實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明，在現(xiàn)有條件下，單頻高功率微波用于攻擊敵方的電子系統(tǒng)所需的功率遠(yuǎn)遠(yuǎn)大于單只高功率微波源所能產(chǎn)生的功率，即破壞閾值很高[1]。但是，如果用兩個(gè)或多個(gè)頻率相近的高功率微波波束產(chǎn)生拍頻后用于攻擊電子系統(tǒng)，那么所需的功率密度將大大減小，即效應(yīng)閾值大大下降， 采用這種方式將有可能在現(xiàn)有的技術(shù)下使高功率微波實(shí)用化[2]，但是雙頻及多頻高功率微波源器件的研究目前是十分前沿的課題，處于剛起步階段，在國內(nèi)外極少有報(bào)道[2～4]，因而，用單個(gè)微波源器件產(chǎn)生穩(wěn)定輸出的雙頻甚至多頻高功率微波具有重要的實(shí)際應(yīng)用價(jià)值和學(xué)術(shù)價(jià)值，是高功率微波領(lǐng)域又一個(gè)新興的研究方向， 在高功率微波武器和新體制雷達(dá)等方面將有良好的應(yīng)用前景。
上傳時(shí)間： 2013-10-31
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