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實(shí)(shí)時(shí)傳輸

protel99se 經(jīng)典實(shí)例

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標(biāo)簽： protel 99 se

上傳時(shí)間： 2013-06-21

上傳用戶：咔樂(lè)塢
FPGA可促進(jìn)嵌入式系統(tǒng)設(shè)計(jì)改善即時(shí)應(yīng)用性能

FPGA可促進(jìn)嵌入式系統(tǒng)設(shè)計(jì)改善即時(shí)應(yīng)用性能，臺(tái)灣人寫(xiě)的，關(guān)于FPGA應(yīng)用的技術(shù)文章

標(biāo)簽： FPGA 嵌入式系統(tǒng) 性能

上傳時(shí)間： 2013-08-20

上傳用戶：liuwei6419
工業(yè)監(jiān)控和便攜式儀器的6通道SAR型ADC

14 位 LTC®2351-14 是一款 1.5Msps、低功率 SAR 型 ADC，具有 6 個(gè)同時(shí)采樣差分輸入通道。它采用單 3V 工作電源，並具有 6 個(gè)獨(dú)立的采樣及保持放大器 (S/HA) 和一個(gè) ADC。

標(biāo)簽： SAR ADC 工業(yè)監(jiān)控便攜式

上傳時(shí)間： 2013-11-16

上傳用戶：dbs012280
pcb layout design(臺(tái)灣硬件工程師15年經(jīng)驗(yàn)

PCB LAYOUT 術(shù)語(yǔ)解釋(TERMS)1. COMPONENT SIDE(零件面、正面)︰大多數(shù)零件放置之面。2. SOLDER SIDE(焊錫面、反面)。3. SOLDER MASK(止焊膜面)︰通常指Solder Mask Open 之意。4. TOP PAD︰在零件面上所設(shè)計(jì)之零件腳PAD，不管是否鑽孔、電鍍。5. BOTTOM PAD：在銲錫面上所設(shè)計(jì)之零件腳PAD，不管是否鑽孔、電鍍。6. POSITIVE LAYER：?jiǎn)巍㈦p層板之各層線路；多層板之上、下兩層線路及內(nèi)層走線皆屬之。7. NEGATIVE LAYER：通常指多層板之電源層。8. INNER PAD：多層板之POSITIVE LAYER 內(nèi)層PAD。9. ANTI-PAD：多層板之NEGATIVE LAYER 上所使用之絕緣範(fàn)圍，不與零件腳相接。10. THERMAL PAD：多層板內(nèi)NEGATIVE LAYER 上必須零件腳時(shí)所使用之PAD，一般稱為散熱孔或?qū)住?1. PAD (銲墊)：除了SMD PAD 外，其他PAD 之TOP PAD、BOTTOM PAD 及INNER PAD 之形狀大小皆應(yīng)相同。12. Moat : 不同信號(hào)的 Power& GND plane 之間的分隔線13. Grid : 佈線時(shí)的走線格點(diǎn)2. Test Point : ATE 測(cè)試點(diǎn)供工廠ICT 測(cè)試治具使用ICT 測(cè)試點(diǎn) LAYOUT 注意事項(xiàng):PCB 的每條TRACE 都要有一個(gè)作為測(cè)試用之TEST PAD(測(cè)試點(diǎn))，其原則如下：1. 一般測(cè)試點(diǎn)大小均為30-35mil，元件分布較密時(shí)，測(cè)試點(diǎn)最小可至30mil.測(cè)試點(diǎn)與元件PAD 的距離最小為40mil。2. 測(cè)試點(diǎn)與測(cè)試點(diǎn)間的間距最小為50-75mil，一般使用75mil。密度高時(shí)可使用50mil,3. 測(cè)試點(diǎn)必須均勻分佈於PCB 上，避免測(cè)試時(shí)造成板面受力不均。4. 多層板必須透過(guò)貫穿孔(VIA)將測(cè)試點(diǎn)留於錫爐著錫面上(Solder Side)。5. 測(cè)試點(diǎn)必需放至於Bottom Layer6. 輸出test point report(.asc 檔案powerpcb v3.5)供廠商分析可測(cè)率7. 測(cè)試點(diǎn)設(shè)置處:Setup􀃆pads􀃆stacks

標(biāo)簽： layout design pcb 硬件工程師

上傳時(shí)間： 2013-10-22

上傳用戶：pei5
降壓-升壓型控制器簡(jiǎn)化手持式產(chǎn)品的DCDC轉(zhuǎn)換器設(shè)計(jì)

對(duì)於輸出電壓處?kù)遁斎腚妷汗?fàn)圍之內(nèi) (這在鋰離子電池供電型應(yīng)用中是一種很常見(jiàn)的情形) 的 DC/DC 轉(zhuǎn)換器設(shè)計(jì)，可供采用的傳統(tǒng)解決方案雖有不少，但迄今為止都不能令人非常滿意

標(biāo)簽： DCDC 降壓升壓型控制器

上傳時(shí)間： 2013-11-19

上傳用戶：urgdil
四相升壓型轉(zhuǎn)換器提供348W功率而無(wú)需采用散熱器

在汽車、工業(yè)和電信行業(yè)的設(shè)計(jì)師當(dāng)中，使用高功率升壓型轉(zhuǎn)換器的現(xiàn)像正變得越來(lái)越普遍。當(dāng)需要 300W 或更高的功率時(shí)，必須在功率器件中實(shí)現(xiàn)高效率 (低功率損耗)，以免除增設(shè)龐大散熱器和采用強(qiáng)迫通風(fēng)冷卻的需要

標(biāo)簽： 348W 升壓型轉(zhuǎn)換器功率散熱器

上傳時(shí)間： 2014-12-01

上傳用戶：lhc9102
透過(guò)MOSFET電壓電流最佳化控制傳導(dǎo)性及輻射性EMI

經(jīng)由改變外部閘極電阻(gate resistors)或增加一個(gè)跨在汲極(drain)和源極(source)的小電容來(lái)調(diào)整MOSFET的di/dt和dv/dt，去觀察它們?nèi)绾螌?duì)EMI產(chǎn)生影響。然後我們可了解到如何在效率和EMI之間取得平衡。我們拿一個(gè)有著單組輸出+12V/4.1A及初級(jí)側(cè)MOSFET AOTF11C60 (αMOSII/11A/600V/TO220F) 的50W電源轉(zhuǎn)接器(adapter)來(lái)做傳導(dǎo)性及輻射性EMI測(cè)試。

標(biāo)簽： MOSFET EMI 電壓電流控制

上傳時(shí)間： 2014-09-08

上傳用戶：swing
DDR記憶體電源

CMOS 邏輯系統(tǒng)的功耗主要與時(shí)脈頻率、系統(tǒng)內(nèi)各閘極輸入電容及電源電壓有關(guān)，裝置尺寸縮小後，電源電壓也隨之降低，使得閘極大幅降低功耗。這種低電壓裝置擁有更低的功耗和更高的運(yùn)作速度，因此系統(tǒng)時(shí)脈頻率可升高至 Ghz 範(fàn)圍。

標(biāo)簽： DDR 記憶體電源

上傳時(shí)間： 2013-10-14

上傳用戶：immanuel2006
折衷選擇輸入電容鏈波電流的線壓范圍

透過(guò)增加輸入電容，可以在獲得更多鏈波電流的同時(shí)，還能藉由降低輸入電容的壓降來(lái)縮小電源的工作輸入電壓範(fàn)圍。這會(huì)影響電源的變壓器圈數(shù)比以及各種電壓與電流應(yīng)力(current stresscurrent stress current stresscurrent stress current stress current stress )。電容鏈波電流額定值越大，應(yīng)力越小，電源效率也就越高。

標(biāo)簽： 輸入電容電流

上傳時(shí)間： 2013-11-11

上傳用戶：jelenecheung
HT45F23 OPA 功能

HT45F23 MCU 含有兩個(gè)運(yùn)算放大器，OPA1 和OPA2，可用於用戶特定的模擬信號(hào)處理，通過(guò)控制暫存器，OPA 相關(guān)的應(yīng)用可以很容易實(shí)現(xiàn)。本文主要介紹OPA 的操作，暫存器設(shè)定以及基本OPA 應(yīng)用，例如：同相放大器、反相放大器和電壓跟隨器。 HT45F23 運(yùn)算放大器OPA1/OPA2 具有多個(gè)開(kāi)關(guān)，輸入路徑可選以及多種參考電壓選擇，此外OPA2 內(nèi)部有8 種增益選項(xiàng)，直接通過(guò)軟體設(shè)定。適應(yīng)於各種廣泛的應(yīng)用。

標(biāo)簽： 45F F23 OPA HT

上傳時(shí)間： 2013-11-21

上傳用戶：immanuel2006