一種以硅單晶為基本材料的P1N1P2N2四層三端器件，創制于1957年，由于它特性類似 雙向可控硅 于真空閘流管，所以國際上通稱為硅晶體閘流管，簡稱可控硅T。又由于可控硅最初應用于可控整流方面所以又稱為硅可控整流元件，簡稱為可控硅SCR。 在性能上，可控硅不僅具有單向導電性，而且還具有比硅整流元件（俗稱“死硅 ”）更為可貴的可控性。它只有導通和關斷兩種狀態。 可控硅能以毫安級電流控制大功率的機電設備，如果超過此頻率，因元件開關損耗顯著增加，允許通過的平均電流相降低，此時，標稱電流應降級使用。 可控硅的優點很多，例如：以小功率控制大功率，功率放大倍數高達幾十萬倍；反應極快，在微秒級內開通、關斷；無觸點運行，無火花、無噪音；效率高，成本低等等。 可控硅的弱點：靜態及動態的過載能力較差；容易受干擾而誤導通。
標簽： 雙向可控硅實用電路500例
上傳時間： 2015-05-07
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高速超大規模集成電路的尺寸的不斷減小，功耗的不斷降低，要求 供電電壓也越來越低，而輸出電流則越來越大。 z 電源本身的高輸出電流、低成本、高頻化（ 500kHz～1MHz）高 功率密度、高可靠性、高效率的方向發展。 z 在低電壓、大電流輸出DC-DC變換器的整流管，其功耗占變換器 全部功耗的50～60％。 z用低導通電阻MOSFET代替常規肖特基整流/續流二極管，可以大大 降低整流部分的功耗，提高變換器的性能，實現電源的高效率，高功 率密度。
標簽： 同步整流技術
上傳時間： 2015-11-18
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SVPWM 寬度調制是一種模擬控制方式，其根據相應載荷的變化來調制晶體管基極或MOS管柵極的偏置，來實現晶體管或MOS管導通時間的改變，從而實現開關穩壓電源輸出的改變
標簽： svpwm
上傳時間： 2019-07-09
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場效應管的驅動輸出是一個比較常見的問題。雖然場效應管導通電阻比晶體管要低很多很多，但要讓它完全導通與關閉并不簡單。比較簡單的驅動辦法是用專門的集成電路。美國IR2110芯片系常用的雙通道驅動場效應管的集成芯片。設計為高、低雙通道驅動輸出。本電路不同點在于舍去了低通道驅動輸出，采用高通道獨立驅動場效應管輸出的電路接法。這種驅動電路并不常見。但應用領域還是比較廣泛的，
標簽： 2110 IR 芯片 單通道 場效應管 輸出
上傳時間： 2020-05-02
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BUCKBOOST電路原理分析uck變換器：也稱降壓式變換器，是一種輸出電壓小于輸入電壓的單管不隔離直流變換器。 圖中，Q為開關管，其驅動電壓一般為PWM(Pulse、width、modulation脈寬調制)信號，信號周期為Ts，則信號頻率為f=1/Ts，導通時間為Ton，關斷時間為Toff，則周期Ts=Ton+Toff，占空比Dy=、Ton/Ts。 Boost變換器：也稱升壓式變換器，是一種輸出電壓高于輸入電壓的單管不隔離直流變換器。 開關管Q也為PWM控制方式，但最大占空比Dy必須限制，不允許在Dy=1的狀態下工作。電感Lf在輸入側，稱為升壓電感。Boost變換器也有CCM和DCM兩種工作方式 Buck/Boost變換器：也稱升降壓式變換器，是一種輸出電壓既可低于也可高于輸入電壓的單管不隔離直流變換器，但其輸出電壓的極性與輸入電壓相反。Buck/Boost變換器可看做是Buck變換器和Bo
標簽： buckboost 電路
上傳時間： 2021-10-18
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電路主要包括以下七個單元電路：正弦波產生電路、正弦波放大及電平變換電路、峰值檢測電路、增益控制電路、三角波產生電路、比較電路、低通濾波電路。正弦波產生電路采用文氏橋正弦波振蕩電路，由放大電路、反饋電路（正反饋）、選頻網絡（和反饋電路一起）、穩幅電路構成，它的振蕩頻率為：f=1/(2Π*RC)，由R4和C1構成RC并聯振蕩，產生正弦波，與R5和C2構成選頻網絡，同時R5和C2又構成該電路的正反饋；穩幅電路是由該電路的負反饋構成，當振幅過大時，二極管導通，R3短路，Av=1+（R2+R3）/R1減小，振幅減小，反之Av=1+（R2+R3）/R1增大，振幅增大，達到穩幅效果，從而保證正弦波的正常產生。正弦波放大及電平變換電路由R10，R7分別與R15滑動電阻部分相連，通過滑動R15來分VCC和VEE的電壓，通過放大器正相來抬高或降低正弦波來達到特定范圍內的幅值，滑動電阻R6與地相連，又與放大器反相端相連，滑動R6分壓來改變振幅，后又由R9和R8構成反饋來達到放大的效果，從而達到正弦波放大及電平變化的目的。峰值檢測電路是由正弦波放大及電平變換電路產生的正弦波送入電壓跟隨器的正相端，通過兩個反向二極管后再連電容，快速充放電達到峰值，然后再送回正弦波放大及電平變換電路的反相端，構成負反饋，達到增益穩幅控制效果三角波產生電路主要由兩個NPN型三極管Q3Q4，一個PNP型三極管Q2，兩個電容C3C4，兩個非門，一個滑動電阻R16組成，通過充放電后經過非門產生三角波。比較電路產生的正弦波送入放大器的正相端，產生的三角波送入放大器的反相端，通過作差比較產SPWM波，后又經過由R22和C8組成的低通濾波電路，還原正弦波。
標簽： spwm 產生
上傳時間： 2021-10-30
本書共11章。 第1章簡要介紹了高電壓功率器件的可能應用， 定義了理想功率開關的電特性， 并與典型器件的電特性進行了比較。 第2章和第3章分析了硅基功率晶閘管和碳化硅基功率晶閘管。 第4章討論了硅門極關斷 （GTO） 晶閘管結構。 第5章致力于分析硅基IGBT結構， 以提供對比分析的標準。 第6章和第7章分析了碳化硅MOSFET和碳化硅IGBT的結構。 碳化硅MOSFET 和IGBT的結構設計重點在于保護柵氧化層， 以防止其提前擊穿。 另外， 必須屏蔽基區，以避免擴展擊穿。 這些器件的導通電壓降由溝道電阻和緩沖層設計所決定。 第8章和第9章討論了金屬氧化物半導體控制晶閘（MCT） 結構和基極電阻控制晶閘管 （BRT） 結構， 后者利用MOS柵控制晶閘管的導通和關斷。 第10章介紹了發射極開關晶閘（EST）， 該種結構也利用一種MOS柵結構來控制晶閘管的導通與關斷， 并可利用IGBT加工工藝來制造。 這種器件具有良好的安全工作區。本書最后一章比較了書中討論的所有高壓功率器件結構。本書的讀者對象包括在校學生、 功率器件設計制造和電力電子應用領域的工程技術人員及其他相關專業人員。 本書適合高等院校有關專業用作教材或專業參考書， 亦可被電力電子學界和廣大的功率器件和裝置生產企業的工程技術人員作為參考書之用。
標簽： 大功率器件
上傳時間： 2021-11-02
ROHM最近推出了SiCMOSFET的新系列產品“SCT3xxxxR系列”。SCT3xxxxR系列采用最新的溝槽柵極結構，進一步降低了導通電阻；同時通過采用單獨設置柵極驅動器用源極引腳的4引腳封裝，改善了開關特性，使開關損耗可以降低35%左右。此次，針對SiCMOSFET采用4引腳封裝的原因及其效果等議題，我們采訪了ROHM株式會社的應用工程師。關于SiCMOSFET的SCT3xxxxR系列，除了導通電阻很低，還通過采用4引腳封裝使開關損耗降低了35%，對此我們非常感興趣。此次，想請您以4引腳封裝為重點介紹一下該產品。首先，請您大致講一下4引腳封裝具體是怎樣的封裝，采用這種封裝的背景和目的是什么。首先，采用4引腳封裝是為了改善SiCMOSFET的開關損耗。包括SiCMOSFET在內的電源開關用MOSFET和IGBT，被作為開關元件廣泛應用于各種電源應用和電源線路中。必須盡可能地降低這種開關元件產生的開關損耗和傳導損耗，但不同的應用，其降低損耗的方法也不盡相同。作為其中的一種手法，近年來發布了一種4引腳的新型封裝，即在MOSFET的源極、漏極、柵極三個引腳之外，另外設置了驅動器源極引腳。此次的SCT3xxxxR系列，旨在通過采用最新的溝槽柵極結構，實現更低的導通電阻和傳導損耗；通過采用4引腳封裝，進一步發揮出SiC本身具有的高速開關性能，并降低開關損耗。那么，我想詳細了解一下剛剛您的概述中出現的幾個要點。首先，什么是“驅動器源極引腳”？驅動器源極引腳是應用了開爾文連接原理的源極引腳。開爾文連接是通過電阻測量中的4個引腳或四線檢測方式，在電流路徑基礎上加上兩條測量電壓的線路，以極力消除微小電阻測量或大電流條件下測量時不可忽略的線纜電阻和接觸電阻的影響的方法，是一種廣為人知的方法。這種4引腳封裝僅限源極，通過使連接柵極驅動電路返回線的源極電壓引腳與流過大電流的電源源極引腳獨立，來消除ID對柵極驅動電路的影響。
標簽： sic mosfet 封裝
上傳時間： 2021-11-07
隨著開關電源的發展，軟開關技術得到了廣泛的發展和應用，已研究出了不少高效率的電路拓撲，主要為諧振型的軟開關拓撲和PWM型的軟開關拓撲。近幾年來，隨著半導體器件制造技術的發展，開關管的導通電阻，寄生電容和反向恢復時間越來越小了，這為諧振變換器的發展提供了又一次機遇。對于諧振變換器來說，如果設計得當，能實現軟開關變換，從而使得開關電源具有較高的效率。LLC諧振變換器實際上來源于不對稱半橋電路，后者用調寬型(PWM)控制，而LLC諧振是調頻型（PFM）。
標簽： l6599
上傳時間： 2021-11-25
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開關電源中的開關管從導通到截止，嚴格來說是一個非常復雜的過程，但我們在進行工作原理分析的時候，一般都會先對一些非主要問題進行簡單化。例如，當電源開關管導通或截止的時候，我們就把它看成是一個理想的開關，其工作時只有兩種狀態，通或斷。但實際上開關管的導通和關斷都是一個很復雜的過程，它除了通或斷之外，還有一個在高頻時不能忽視的問題，就是開關管導通時，是從截止區到放大區，然后再由放大區到飽和區的工作過程。這個工作過程需要用微分方程才能求解，在這里我不想對你介紹得太復雜。
標簽： 開關電源
上傳時間： 2021-12-04
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