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  • 一種高電源抑制比全工藝角低溫漂CMOS基準電壓源

    基于SMIC0.35 μm的CMOS工藝,設計了一種高電源抑制比,同時可在全工藝角下的得到低溫漂的帶隙基準電路。首先采用一個具有高電源抑制比的基準電壓,通過電壓放大器放大得到穩定的電壓,以提供給帶隙核心電路作為供電電源,從而提高了電源抑制比。另外,將電路中的關鍵電阻設置為可調電阻,從而可以改變正溫度電壓的系數,以適應不同工藝下負溫度系數的變化,最終得到在全工藝角下低溫漂的基準電壓。Cadence virtuoso仿真表明:在27 ℃下,10 Hz時電源抑制比(PSRR)-109 dB,10 kHz時(PSRR)達到-64 dB;在4 V電源電壓下,在-40~80 ℃范圍內的不同工藝角下,溫度系數均可達到5.6×10-6 V/℃以下。

    標簽: CMOS 高電源抑制 工藝 基準電壓源

    上傳時間: 2014-12-03

    上傳用戶:88mao

  • 德州儀器技術專家分享:LDO噪聲詳解

      隨著通信信道的復雜度和可靠性不斷增加,人們對于電信系統的要求和期望也不斷提高。這些通信系統高度依賴于高性能、高時鐘頻率和數據轉換器器 件,而這些器件的性能又非常依賴于系統電源軌的質量。當使用一個高噪聲電源供電時,時鐘或者轉換器 IC 無法達到最高性能。僅僅只是少量的電源噪聲,便會對性能產生極大的負面影響。本文將對一種基本 LDO 拓撲進行仔細研究,找出其主要噪聲源,并給出最小化其輸出噪聲的一些方法。   表明電源品質的一個關鍵參數是其噪聲輸出,它常見的參考值為 RMS 噪聲測量或者頻譜噪聲密度。為了獲得最低 RMS 噪聲或者最佳頻譜噪聲特性,線性電壓穩壓器(例如:低壓降電壓穩壓器,LDO),始終比開關式穩壓器有優勢。這讓其成為噪聲敏感型應用的選擇。   基本 LDO 拓撲   一個簡單的線性電壓穩壓器包含一個基本控制環路,其負反饋與內部參考比較,以提供恒定電壓—與輸入電壓、溫度或者負載電流的變化或者擾動無關。    圖 1 顯示了一個 LDO 穩壓器的基本結構圖。紅色箭頭表示負反饋信號通路。輸出電壓 VOUT 通過反饋電阻 R1 和 R2 分壓,以提供反饋電壓 VFB。VFB 與誤差放大器負輸入端的參考電壓 VREF 比較,提供柵極驅動電壓 VGATE。最后,誤差信號驅動輸出晶體管 NFET,以對 VOUT 進行調節。    圖 1 LDO 負反饋環路    簡單噪聲分析以圖 2 作為開始。藍色箭頭表示由常見放大器差異代表的環路子集(電壓跟隨器或者功率緩沖器)。這種電壓跟隨器電路迫使 VOUT 跟隨 VREF。VFB 為誤差信號,其參考 VREF。在穩定狀態下,VOUT 大于 VREF,其如方程式 1 所描述:

    標簽: LDO 德州儀器

    上傳時間: 2013-11-11

    上傳用戶:jiwy

  • 三相電路PPT課件

    三相電路PPT課件

    標簽: 三相電路

    上傳時間: 2013-11-18

    上傳用戶:tuilp1a

  • 開關電源占空比學習實例及全圖

    開關電源占空比學習實例及全圖

    標簽: 開關電源

    上傳時間: 2013-10-08

    上傳用戶:wtrl

  • Power/Vac VB2型12kV戶內高壓真空斷路器

    功能、性能、特點 采用電磁場優化分布的設計原理,使局部放電和局部過熱最小。 小型化、高功能的真空滅弧室利用縱向旋轉磁場滅弧原理, 有效地保證了截流值小于3A,  使開斷性能極為穩定。 彈簧儲能機構采用模塊化設計,一件多用,使機構主件分布合理,結構簡單,性能穩定。 絕緣性能優越可靠,順利通過了凝露試驗,適合在最惡劣的環境條件下運行,并具有比IEC和GB標準要求更高的爬電距離和電氣間隙。 接地方式可靠,確保了斷路器從工作位置到試驗位置接地的連續性。

    標簽: Power Vac VB2 12

    上傳時間: 2013-12-28

    上傳用戶:ommshaggar

  • 一種高電源抑制比帶隙基準電壓源的設計

    摘要:采用共源共柵運算放大器作為驅動,設計了一種高電源抑制比和低溫度系數的帶隙基準電壓源電路,并在TSMC0.18Um CMOS工藝下,采用HSPICE進行了仿真.仿真結果表明:在-25耀115益溫度范圍內電路的溫漂系數為9.69伊10-6/益,電源抑制比達到-100dB,電源電壓在2.5耀4.5V之間時輸出電壓Vref的擺動為0.2mV,是一種有效的基準電壓實現方法.關鍵詞:帶隙基準電壓源;電源抑制比;溫度系數

    標簽: 高電源抑制 帶隙基準 電壓源

    上傳時間: 2013-11-19

    上傳用戶:王成林。

  • 電源紋波噪聲測試方法

    今天的電子電路(比如手機、服務器等領域)的切換速度、信號擺率比以前更高,同時芯片的封裝和信號擺幅卻越來越小,對噪聲更加敏感。因此,今天的電路設計者們比以前會更關心電源噪聲的影響。實時示波器是用來進行電源噪聲測量的一種常用工具,但是如果使用方法不對可能會帶來完全錯誤的測量結果,筆者在和用戶交流過程中發現很多用戶的測試方法不盡正確,所以把電源紋波噪聲測試中需要注意的一些問題做一下總結,供大家參考。 由于電源噪聲帶寬很寬,所以很多人會選擇示波器做電源噪聲測量。但是不能忽略的是,實時寬帶數字示波器以及其探頭都有其固有的噪聲。如果要測量的噪聲與示波器和探頭的噪聲在相同數量級,那么要進行精確測量將是非常困難的一件事情。

    標簽: 電源 測試方法 紋波噪聲

    上傳時間: 2013-11-06

    上傳用戶:zq70996813

  • 分比功率架構和V•I晶片靈活、優越的功率系統方案

    當今電子系統如高端處理器及記憶體,對電源的需求是趨向更低電壓、更高電流的應用。同時、對負載的反應速度也要提高。因此功率系統工程師要面對的挑戰,是要設計出符合系統要求的細小、價廉但高效率的電源系統。而這些要求都不是傳統功率架構能夠完全滿足的。Vicor提出的分比功率架構(Factorized Power Architecture FPA)以及一系列的整合功率元件,可提供革命性的功率轉換方案,應付以上提及的各項挑戰。這些功率元件稱為V•I晶片。

    標簽: 8226 功率架構 功率

    上傳時間: 2013-11-15

    上傳用戶:yan2267246

  • 具有高傳輸比的“泵式”結構矩陣變換器

    針對目前矩陣變換器電壓傳輸比多數只能達到0.866的問題,進行了深入研究,設計了一種泵式矩陣變換器結構,使電壓傳輸比任意可調,并從機理上解決了矩陣式變換器的傳輸比低的問題。

    標簽: 傳輸 矩陣變換器

    上傳時間: 2013-11-19

    上傳用戶:hanhanj

  • RL78G13開發套件_MCU板原理圖

    這是一個芯片的的開發的套件原理圖!

    標簽: 78G G13 MCU RL

    上傳時間: 2013-11-17

    上傳用戶:weiwolkt

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