PCB LAYOUT 術語解釋(TERMS)1. COMPONENT SIDE(零件面、正面)︰大多數零件放置之面。2. SOLDER SIDE(焊錫面、反面)。3. SOLDER MASK(止焊膜面)︰通常指Solder Mask Open 之意。4. TOP PAD︰在零件面上所設計之零件腳PAD，不管是否鑽孔、電鍍。5. BOTTOM PAD：在銲錫面上所設計之零件腳PAD，不管是否鑽孔、電鍍。6. POSITIVE LAYER：單、雙層板之各層線路；多層板之上、下兩層線路及內層走線皆屬之。7. NEGATIVE LAYER：通常指多層板之電源層。8. INNER PAD：多層板之POSITIVE LAYER 內層PAD。9. ANTI-PAD：多層板之NEGATIVE LAYER 上所使用之絕緣範圍，不與零件腳相接。10. THERMAL PAD：多層板內NEGATIVE LAYER 上必須零件腳時所使用之PAD，一般稱為散熱孔或導通孔。11. PAD (銲墊)：除了SMD PAD 外，其他PAD 之TOP PAD、BOTTOM PAD 及INNER PAD 之形狀大小皆應相同。12. Moat : 不同信號的 Power& GND plane 之間的分隔線13. Grid : 佈線時的走線格點2. Test Point : ATE 測試點供工廠ICT 測試治具使用ICT 測試點 LAYOUT 注意事項:PCB 的每條TRACE 都要有一個作為測試用之TEST PAD(測試點)，其原則如下：1. 一般測試點大小均為30-35mil，元件分布較密時，測試點最小可至30mil.測試點與元件PAD 的距離最小為40mil。2. 測試點與測試點間的間距最小為50-75mil，一般使用75mil。密度高時可使用50mil,3. 測試點必須均勻分佈於PCB 上，避免測試時造成板面受力不均。4. 多層板必須透過貫穿孔(VIA)將測試點留於錫爐著錫面上(Solder Side)。5. 測試點必需放至於Bottom Layer6. 輸出test point report(.asc 檔案powerpcb v3.5)供廠商分析可測率7. 測試點設置處:Setuppadsstacks
上傳時間： 2013-10-22
上傳用戶：pei5
半導體的產品很多，應用的場合非常廣泛，圖一是常見的幾種半導體元件外型。半導體元件一般是以接腳形式或外型來劃分類別，圖一中不同類別的英文縮寫名稱原文為 PDID：Plastic Dual Inline Package SOP：Small Outline Package SOJ：Small Outline J-Lead Package PLCC：Plastic Leaded Chip Carrier QFP：Quad Flat Package PGA：Pin Grid Array BGA：Ball Grid Array 雖然半導體元件的外型種類很多，在電路板上常用的組裝方式有二種，一種是插入電路板的銲孔或腳座，如PDIP、PGA，另一種是貼附在電路板表面的銲墊上，如SOP、SOJ、PLCC、QFP、BGA。 從半導體元件的外觀，只看到從包覆的膠體或陶瓷中伸出的接腳，而半導體元件真正的的核心，是包覆在膠體或陶瓷內一片非常小的晶片，透過伸出的接腳與外部做資訊傳輸。圖二是一片EPROM元件，從上方的玻璃窗可看到內部的晶片，圖三是以顯微鏡將內部的晶片放大，可以看到晶片以多條銲線連接四周的接腳，這些接腳向外延伸並穿出膠體，成為晶片與外界通訊的道路。請注意圖三中有一條銲線從中斷裂，那是使用不當引發過電流而燒毀，致使晶片失去功能，這也是一般晶片遭到損毀而失效的原因之一。 圖四是常見的LED，也就是發光二極體，其內部也是一顆晶片，圖五是以顯微鏡正視LED的頂端，可從透明的膠體中隱約的看到一片方型的晶片及一條金色的銲線，若以LED二支接腳的極性來做分別，晶片是貼附在負極的腳上，經由銲線連接正極的腳。當LED通過正向電流時，晶片會發光而使LED發亮，如圖六所示。 半導體元件的製作分成兩段的製造程序，前一段是先製造元件的核心─晶片，稱為晶圓製造；後一段是將晶中片加以封裝成最後產品，稱為IC封裝製程，又可細分成晶圓切割、黏晶、銲線、封膠、印字、剪切成型等加工步驟，在本章節中將簡介這兩段的製造程序。
上傳時間： 2014-01-20
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經由改變外部閘極電阻(gate resistors)或增加一個跨在汲極(drain)和源極(source)的小電容來調整MOSFET的di/dt和dv/dt，去觀察它們如何對EMI產生影響。然後我們可了解到如何在效率和EMI之間取得平衡。我們拿一個有著單組輸出+12V/4.1A及初級側MOSFET AOTF11C60 (αMOSII/11A/600V/TO220F) 的50W電源轉接器(adapter)來做傳導性及輻射性EMI測試。
上傳時間： 2014-09-08
上傳用戶：swing
在電源設計中，工程人員時常會面臨控制 IC 驅動電流不足的問題，或者因為閘極驅動損耗導致控制 IC 功耗過大。為解決這些問題，工程人員通常會採用外部驅動器。目前許多半導體廠商都有現成的 MOSFET 積體電路驅動器解決方案，但因為成本考量，工程師往往會選擇比較低價的獨立元件。
上傳時間： 2013-11-19
上傳用戶：阿譚電器工作室
交直流轉換器 AT-VA2-D-A3-DD-ADL 1．產品說明 AT系列轉換器/分配器主要設計使用于一般訊號迴路中之轉換與隔離；如 4~20mA、0~10V、熱電偶(Type K, J, E, T)、熱電阻(Rtd-Pt100Ω)、荷重元、電位計(三線式)、電阻(二線式)及交流電壓/電流等訊號，機種齊全。 此款薄型設計的轉換器/分配器，除了能提供兩組訊號輸出（輸出間隔離）或24V激發電源供傳送器使用外，切換式電源亦提供了安裝的便利性。上方并設計了電源、輸入及輸出指示燈及可插拔式接線端子方便現場施工及工作狀態檢視。 2.產品特點 可選擇帶指撥開關切換，六種常規輸出信號0-5V/0~10V/1~5V/2~10V/4~20mA/ 0~20mA 可自行切換。 雙回路輸出完全隔離，可選擇不同信號。 設計了電源、輸入及輸出LED指示燈，方便現場工作狀態檢視。 規格選擇表中可指定選購0.1%精度 17.55mm薄型35mm導軌安裝。 依據CE國際標準規范設計。 3.技術規格 用途：信號轉換及隔離 過載輸入能力：電流：10×額定10秒 第二組輸出：可選擇 精確度: 交流: ≦±0.5% of F.S. 直流: ≦±0.2% of F.S. 輸入耗損: 交流電流:≤ 0.1VA; 交流電壓:≤ 0.15VA 反應時間: ≤ 250msec (10%~90% of FS) 輸出波紋: ≤ ±0.1% of F.S. 滿量程校正范圍:≤ ±10% of F.S.，2組輸出可個別調整 零點校正范圍:≤ ±10% of F.S.，2組輸出可個別調整 隔離:AC 2.0 KV 輸出1與輸出2之間 隔離抗阻：DC 500V 100MΩ 工作電源: AC 85~265V/DC 100~300V, 50/60Hz 或 AC/DC 20~56V (選購規格) 消耗功率: DC 4W, AC 6.0VA 工作溫度: 0~60 ºC 工作濕度: 20~95% RH, 無結露 溫度系數: ≤ 100PPM/ ºC (0~50 ºC) 儲存溫度: -10~70 ºC 保護等級: IP 42 振動測試: 1~800 Hz, 3.175 g2/Hz 外觀尺寸: 94.0mm x 94.0mm x 17.5mm 外殼材質: ABS防火材料，UL94V0 安裝軌道: 35mm DIN導軌 (EN50022) 重量: 250g 安全規范(LVD): IEC 61010 (Installation category 3) EMC: EN 55011:2002; EN 61326:2003 EMI: EN 55011:2002; EN 61326:2003 常用規格：AT-VA2-D-A3-DD-ADL 交直流轉換器，2組輸出，輸入交流輸入0-19.99mA，輸出1:4-20mA,輸出2：4-20mA，工作電源AC/DC20-56V
上傳時間： 2013-11-22
上傳用戶：nem567397
STC庫文件+STC89頭文件 集合了截止2012年12月份的STC庫文件包含了（STC的所有單片機型號）、STC89頭文件，是變成必備武器。
上傳時間： 2013-11-15
上傳用戶：hfnishi
提出了采用兩段式同軸波紋慢波結構實現雙頻高功率微波輸出的相對論返波振蕩器， 推導了該結構的TM0n模式色散方程，數值求解了兩段式同軸波紋慢波結構TM0n模色散曲線，分析了該器件X波段雙頻高功率微波輸出的產生機理， 分析中考慮了電子注在慢波結構第二段工作效率不變和下降時的雙頻工作點情況，并運用2.5 維全電磁粒子模擬程序驗證了雙頻微波信號的可靠性。關鍵詞高功率微波；雙頻；X 波段；相對論返波振蕩器 當前， 應用于高功率微波效應的微波器件只有一個主頻率，已有的實驗結果表明，在現有條件下，單頻高功率微波用于攻擊敵方的電子系統所需的功率遠遠大于單只高功率微波源所能產生的功率，即破壞閾值很高[1]。但是，如果用兩個或多個頻率相近的高功率微波波束產生拍頻后用于攻擊電子系統，那么所需的功率密度將大大減小，即效應閾值大大下降， 采用這種方式將有可能在現有的技術下使高功率微波實用化[2]，但是雙頻及多頻高功率微波源器件的研究目前是十分前沿的課題，處于剛起步階段，在國內外極少有報道[2～4]，因而，用單個微波源器件產生穩定輸出的雙頻甚至多頻高功率微波具有重要的實際應用價值和學術價值，是高功率微波領域又一個新興的研究方向， 在高功率微波武器和新體制雷達等方面將有良好的應用前景。
上傳時間： 2013-10-31
上傳用戶：kxyw404582151
基于單片機技術的光電檢測研究胡助理，安文源，李 玲，歐陽小東關鍵詞：單片機，激光，光電檢測，脈沖信號摘 要：目前光電檢測技術已經越來越廣泛地應用于高科技武器、精密制造等行業中。本文主要介紹一種基于單片機技術的激光檢測方法。利用單片機進行激光脈沖信號的調制、控制發射，再結合單片機與光電檢測的相關技術設計了檢測電路，從而實現利用激光傳載信號，進行多路控制。
上傳時間： 2013-10-12
上傳用戶：ayfeixiao
設計一種應用于某全地形ATV車載武器裝置中的中控系統，該系統設計是以TMS320F2812型DSP為核心，采用模塊化設計思想，對其硬件部分進行系統設計，能夠完成對武器裝置高低、回轉方向的運動控制，實現靜止或行進狀態中對目標物的測距，自動瞄準以及按既定發射模式發射彈丸和各項安全性能檢測等功能。通過編制相應的軟件，對其進行系統調試，驗證了該設計運行穩定。 Abstract: A central control system applied to an ATV vehicle weapons is designed. The system design is based on TMS320F2812 DSP as the core， uses modular design for its hardware parts. The central control system can complete the motion control of the level of weapons and equipment， rotation direction， to achieve a state of static or moving objects on the target ranging， auto-targeting and according to the established target and the projectile and the launch of the security performance testing and other functions. Through the development of appropriate software and to carry out system testing to verify the stability of this design and operation.
上傳時間： 2013-11-02
上傳用戶：jshailingzzh
反輻射導彈是現代戰爭條件下通信設備等電磁輻射源所面對的最具威脅性的武器之一，而有源誘偏是對抗反輻射導彈攻擊的一種相對簡單而有效的方法。基于有源相參和有源非相參條件下的幾種模型，從反輻射導彈的攻擊過程入手，得到Matlab仿真結果。最后根據仿真彈著點位置分布和位置分布的概率統計曲線，為通信輻射源的布設提供理論依據。
上傳時間： 2013-11-16
上傳用戶：solmonfu
