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導(dǎo)彈發(fā)射

透過MOSFET電壓電流最佳化控制傳導(dǎo)性及輻射性EMI

經(jīng)由改變外部閘極電阻(gate resistors)或增加一個(gè)跨在汲極(drain)和源極(source)的小電容來調(diào)整MOSFET的di/dt和dv/dt，去觀察它們?nèi)绾螌?duì)EMI產(chǎn)生影響。然後我們可了解到如何在效率和EMI之間取得平衡。我們拿一個(gè)有著單組輸出+12V/4.1A及初級(jí)側(cè)MOSFET AOTF11C60 (αMOSII/11A/600V/TO220F) 的50W電源轉(zhuǎn)接器(adapter)來做傳導(dǎo)性及輻射性EMI測(cè)試。

標(biāo)簽： MOSFET EMI 電壓電流控制

上傳時(shí)間： 2014-09-08

上傳用戶：swing
CMOS射頻功率放大器中的變壓器合成技術(shù)

設(shè)計(jì)了一種可在CMOS射頻功率放大器中用于功率合成的寬帶變壓器。通過對(duì)變壓器的并聯(lián)和串聯(lián)兩種功率合成形式進(jìn)行分析與比較，指出了匝數(shù)比、功率單元數(shù)目以及寄生電阻對(duì)變壓器功率合成性能的影響；提出了一種片上變壓器的設(shè)計(jì)方法，即采用多層金屬疊層并聯(lián)以及將功放單元內(nèi)置于變壓器線圈中的方式，解決了在CMOS工藝中設(shè)計(jì)變壓器時(shí)面臨的寄生電阻過大及有效耦合長(zhǎng)度不足等困難。設(shè)計(jì)的變壓器在2～3 GHz頻段內(nèi)的損耗小于1．35 dB，其功率合成效率高達(dá)76 以上，適合多模多頻段射頻前端的應(yīng)用。

標(biāo)簽： CMOS 射頻功率放大器變壓器合成技術(shù)

上傳時(shí)間： 2014-12-24

上傳用戶：ewtrwrtwe
基于NRF9E5射頻無線遙控系統(tǒng)的設(shè)計(jì)

介紹了一種基于8051內(nèi)核的無線射頻傳輸芯片nRF9E5，采用該芯片制作了撲翼微型飛行器的遙控系統(tǒng)，對(duì)遙控系統(tǒng)的收發(fā)裝置進(jìn)行了硬件設(shè)計(jì)，并對(duì)設(shè)計(jì)出的硬件系統(tǒng)進(jìn)行了軟件編程和系統(tǒng)的調(diào)試，實(shí)驗(yàn)表明，該系統(tǒng)具有成本少、功耗低、尺寸小的特點(diǎn)，能以較高質(zhì)量在100～150米范圍內(nèi)進(jìn)行信號(hào)的無線傳輸。

標(biāo)簽： NRF9E5 射頻無線遙控系統(tǒng)

上傳時(shí)間： 2013-11-17

上傳用戶：1234xhb
關(guān)于Si4432的無線射頻收發(fā)系統(tǒng)設(shè)計(jì)

本文設(shè)計(jì)了一種基于無線收發(fā)芯片Si4432和C8051F930單片機(jī)的無線射頻收發(fā)系統(tǒng)。該系統(tǒng)由發(fā)送模塊和接收模塊組成。發(fā)送模塊主要將要發(fā)送的數(shù)據(jù)經(jīng)C8051F930處理后，通過Si4432發(fā)送出去；在接收模塊中，Si4432則將數(shù)據(jù)正確接收后通過液晶顯示出來，從而實(shí)現(xiàn)短距離的無線通信。該系統(tǒng)實(shí)現(xiàn)了低功耗、小體積、高靈敏度條件下的高質(zhì)量無線數(shù)據(jù)傳輸。

標(biāo)簽： 4432 Si 無線射頻收發(fā)

上傳時(shí)間： 2013-10-09

上傳用戶：段璇琮*
基于單片機(jī)的紅外轉(zhuǎn)射頻遙控系統(tǒng)

基于C51 單片機(jī)設(shè)計(jì)了一種紅外轉(zhuǎn)射頻的遙控系統(tǒng)，在不改變紅外遙控對(duì)象原有內(nèi)部電路的基礎(chǔ)上，實(shí)現(xiàn)了將紅外遙控轉(zhuǎn)換為射頻遙控的功能。這種遙控系統(tǒng)可以增加遙控的距離，擴(kuò)展遙控對(duì)象的種類和數(shù)量。經(jīng)實(shí)驗(yàn)證明，可以達(dá)到預(yù)期的目的。

標(biāo)簽： 單片機(jī) 紅外轉(zhuǎn)射頻遙

上傳時(shí)間： 2014-12-28

上傳用戶：a1054751988
射頻電路PCB的設(shè)計(jì)技巧

針對(duì)多層線路板中射頻電路板的布局和布線，根據(jù)本人在射頻電路PCB設(shè)計(jì)中的經(jīng)驗(yàn)積累，總結(jié)了一些布局布線的設(shè)計(jì)技巧。并就這些技巧向行業(yè)里的同行和前輩咨詢，同時(shí)查閱相關(guān)資料，得到認(rèn)可，是該行業(yè)里的普遍做法。多次在射頻電路的PCB設(shè)計(jì)中采用這些技巧，在后期PCB的硬件調(diào)試中得到證實(shí)，對(duì)減少射頻電路中的干擾有很不錯(cuò)的效果，是較優(yōu)的方案。

標(biāo)簽： PCB 射頻電路設(shè)計(jì)技巧

上傳時(shí)間： 2013-10-21

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基于FPGA的射頻熱療系統(tǒng)的設(shè)計(jì)

采用高精度數(shù)字溫度傳感器DS18B20與可編程邏輯器件FPGA實(shí)現(xiàn)溫度測(cè)量與控制，并進(jìn)行溫度場(chǎng)的測(cè)量與控制實(shí)驗(yàn)。實(shí)驗(yàn)表明，一維控制器控制精度不夠，溫度超調(diào)比較大（1 ℃），而二維控制器的溫度超調(diào)就比較?。?.5 ℃）。因此，所設(shè)計(jì)的射頻溫度場(chǎng)溫度測(cè)量與控制的方法滿足熱療要求。與傳統(tǒng)方法相比，該系統(tǒng)具有設(shè)計(jì)靈活、現(xiàn)場(chǎng)可編程、調(diào)試簡(jiǎn)單和體積小等特點(diǎn)。

標(biāo)簽： FPGA 射頻熱療

上傳時(shí)間： 2013-11-20

上傳用戶：wwwe
基于射頻識(shí)別物聯(lián)網(wǎng)電磁場(chǎng)原理的研究

為了了解物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用拓展，探索RFID（射頻識(shí)別技術(shù)）技術(shù)，文章從理論上對(duì)射頻識(shí)別技術(shù)電磁場(chǎng)原理進(jìn)行了探討，從天線的電流模型出發(fā)，通過理論推導(dǎo)得出電磁量的計(jì)算公式，該公式對(duì)物聯(lián)網(wǎng)具體的技術(shù)應(yīng)用有一定的理論指導(dǎo)作用，對(duì)射頻信號(hào)自動(dòng)識(shí)別目標(biāo)對(duì)象并獲取相關(guān)數(shù)據(jù)，起到理論支撐作用。

標(biāo)簽： 射頻識(shí)別物聯(lián)網(wǎng) 電磁場(chǎng)

上傳時(shí)間： 2013-10-31

上傳用戶：manking0408
用于RFID接收器的基帶電路

射頻識(shí)別 (RFID) 技術(shù)采用輻射和反射 RF 功率來識(shí)別和跟蹤各種目標(biāo)。典型的 RFID 繫統(tǒng)由一個(gè)閱讀器和一個(gè)轉(zhuǎn)發(fā)器 (或標(biāo)簽) 組成。

標(biāo)簽： RFID 接收器基帶電路

上傳時(shí)間： 2013-11-17

上傳用戶：huyanju
基于AT89S51和CC1100射頻識(shí)別閱讀器的設(shè)計(jì)與研究

射頻識(shí)別閱讀器的設(shè)計(jì)

標(biāo)簽： 1100 89S S51 AT

上傳時(shí)間： 2013-11-17

上傳用戶：JIUSHICHEN