一直以來, 電子電路斷路器( E C B ) 都是由一個MOSFET、一個 MOSFET 控制器和一個電流檢測電阻器所組成的。
上傳時間: 2013-10-18
上傳用戶:qwerasdf
特點 精確度0.1%滿刻度 ±1位數(shù) 可量測 交直流電流/交直流電壓/電位計/傳送器/Pt-100/荷重元/電阻 等信號 顯示范圍-1999-9999可任意規(guī)劃 具有異常值與異常次數(shù)記錄保留功能 異常信號過高或過低或范圍內(nèi)或范圍外檢測可任意設(shè)定 報警繼電器復(fù)歸方式可任意設(shè)定 尺寸小,穩(wěn)定性高 2.主要規(guī)格 精確度: 0.1% F.S. ±1 digit 0.2% F.S. ±1 digit(AC) 取樣時間: 16 cycles/sec. 顯示值范圍: -1999 - +9999 digit adjustable 啟動延遲動作時間: 0-99.9 second adjustable 繼電器延遲動作時間: 0-99.9 second adjustable 繼電器復(fù)歸方式: Manual (N) / latch(L) can be modified 繼電器動作方向: HI /LO/GO/HL can be modified 繼電器容量: AC 250V-5A, DC 30V-7A 過載顯示: "doFL" 溫度系數(shù): 50ppm/℃ (0-50℃) 顯示幕: Red high efficiency LEDs high 14.22mm(.56")(PV) Red high efficiency LEDs high 7.0mm(.276")(NO) 參數(shù)設(shè)定方式: Touch switches 記憶型式 : Non-volatile E2PROM memory 絕緣耐壓能力: 2KVac/1 min. (input/output/power) 1600Vdc(input/output 使用環(huán)境條件 : 0-50℃(20 to 90% RH non-condensed) 存放環(huán)境條件: 0-70℃(20 to 90% RH non-condensed) CE認(rèn)證: EN 55022:1998/A1:2000 Class A EN 61000-3-2:2000 EN 61000-3-3:1995/A1:2001 EN 55024:1998/A1:2001
上傳時間: 2013-11-02
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特點: 精確度0.05%滿刻度±1位數(shù) 可量測交直流電流/交直流電壓/電位計/傳送器/Pt-100/熱電偶/荷重元/電阻 等信號 顯示范圍-19999~99999可任意規(guī)劃 具有自動歸零或保持或雙顯示功能 (optional) 小數(shù)點可任意規(guī)劃 尺寸小,穩(wěn)定性高
上傳時間: 2013-11-20
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特點: 精確度0.05%滿刻度±1位數(shù) 可量測交直流電流/交直流電壓/電位計/傳送器/Pt-100/熱電偶/荷重元/電阻等信號 顯示范圍-19999-99999可任意規(guī)劃 具有自動歸零或保持或開根號或雙顯示功能 小數(shù)點可任意規(guī)劃 尺寸小,穩(wěn)定性高
上傳時間: 2013-10-17
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特點 精確度0.05%滿刻度 ±1位數(shù) 可量測 交直流電流/交直流電壓/電位計/傳送器/Pt-100/荷重元/電阻 等信號 顯示范圍0- ±19999可任意規(guī)劃 具有自動歸零與保持(開根號)功能 具有9段線性折補功能 4組警報功能 15BIT 類比輸出功能 數(shù)位RS-485界面
上傳時間: 2013-10-12
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特點 精確度0.05%滿刻度 ±1位數(shù) 可量測交直流電流/交直流電壓/電位計/傳送器/Pt-100/熱電偶/荷重元/電阻 等信號 顯示范圍-19999-99999可任意規(guī)劃 具有自動歸零或保持或開根號或雙顯示功能 小數(shù)點可任意規(guī)劃 尺寸小,穩(wěn)定性高
上傳時間: 2013-11-22
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特點 精確度0.05%滿刻度 ±1位數(shù) 可量測交直流電流/交直流電壓/電位計/傳送器/Pt-100/荷重元/電阻等信號 顯示范圍0- ±19999可任意規(guī)劃 數(shù)位化指撥設(shè)定操作簡易 具有自動歸零與保持功能 4組警報功能 15BIT 類比輸出功能 數(shù)位RS-485界面
上傳時間: 2013-10-18
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關(guān)於一些面板的介紹,包括音波式面板、電阻式面板、電容式面板等資料。
標(biāo)簽: 面板
上傳時間: 2013-12-07
上傳用戶:啊颯颯大師的
在互補式金氧半(CMOS)積體電路中,隨著量產(chǎn)製程的演進(jìn),元件的尺寸已縮減到深次微 米(deep-submicron)階段,以增進(jìn)積體電路(IC)的性能及運算速度,以及降低每顆晶片的製造 成本。但隨著元件尺寸的縮減,卻出現(xiàn)一些可靠度的問題。 在次微米技術(shù)中,為了克服所謂熱載子(Hot-Carrier)問題而發(fā)展出 LDD(Lightly-Doped Drain) 製程與結(jié)構(gòu); 為了降低 CMOS 元件汲極(drain)與源極(source)的寄生電阻(sheet resistance) Rs 與 Rd,而發(fā)展出 Silicide 製程; 為了降低 CMOS 元件閘級的寄生電阻 Rg,而發(fā)展出 Polycide 製 程 ; 在更進(jìn)步的製程中把 Silicide 與 Polycide 一起製造,而發(fā)展出所謂 Salicide 製程
標(biāo)簽: Protection CMOS ESD ICs in
上傳時間: 2020-06-05
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SMT(Surface mount technology)是可在“板面上”滿及焊牢棲多敷“表面黏裝零件的電子裝配技術(shù).侵貼:1.可在板上雨成同特焊接,封裝密度提高50~70%.WW2.l短,提高博輸速度3.可使用更高刪敷.4.自勤化,快速,成本低.1.表面貼裝零件SOIC(small outline integrate circle)RESISTANCE(電阻)CAPACITANCE(電容)AMPLCC(plastic leaded chip carriers)CONNECT etc.(結(jié)器)封裝材料1.)陶瓷(BeO):精度高,密封度高(CTE:5~7PPM/℃)封板子熟膨服要求高2.)聚硫胺醚(Polyetherimide):一可用玻璃逛行封合的耐高溫熟塑性塑廖,機械,電子性能侵良AwIR各波皆敏感,易分解,生“酸泡”現(xiàn)象.3.)熔融矽砂(Fused silica),暖氧橫脂
標(biāo)簽: fpc
上傳時間: 2022-07-27
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