采用射頻等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積(RF2PECVD)技術(shù)制備非晶硅(a2Si)NIP 太陽(yáng)能電池,其中電池的窗口層采用P 型晶化硅薄膜,電池結(jié)構(gòu)為Al/ glass/ SnO2 / N(a2Si :H) / I(a2Si :H) / P(cryst2Si : H) / ITO/ Al。為了使P 型晶化硅薄膜能夠在a2Si 表面成功生長(zhǎng),電池制備過(guò)程中采用了H 等離子體處理a2Si 表面的方法。通過(guò)調(diào)節(jié)電池P 層和N 層厚度和H 等離子體處理a2Si 表面的時(shí)間,優(yōu)化了太陽(yáng)能電池的制備工藝。結(jié)果表明,使用H 等離子體處理a2Si 表面5 min ,可以在a2Si 表面獲得高電導(dǎo)率的P 型晶化硅薄膜,并且這種結(jié)構(gòu)可以應(yīng)用到電池上;當(dāng)P 型晶化硅層沉積時(shí)間12. 5 min ,N 層沉積12 min ,此種結(jié)構(gòu)電池特性最好,效率達(dá)6. 40 %。通過(guò)調(diào)整P 型晶化硅薄膜的結(jié)構(gòu)特征,將能進(jìn)一步改善電池的性能。
標(biāo)簽：
NIP
非晶硅
薄膜太陽(yáng)能電池
上傳時(shí)間：
2013-11-21
上傳用戶：wanqunsheng
石英具有非凡的機(jī)械和壓電特性, 使得從19 世紀(jì)40 年代中期以來(lái)一直作為基本的時(shí)鐘器件. 盡管在陶瓷, 硅晶和RLC電路方面有60 多年的研究, 在此之前沒(méi)有哪種材料或技術(shù)能替代石英振蕩器, 鑒于其異常的溫度穩(wěn)定性和相位噪聲特性. 估計(jì)2006 年將有100億顆石英振蕩器被制造出來(lái)并放置到汽車(chē), 數(shù)碼相機(jī), 工業(yè)設(shè)備, 游戲設(shè)備, 寬帶設(shè)備,蜂窩電話, 以及事實(shí)上每一種數(shù)字產(chǎn)品當(dāng)中. 石英振蕩器的制造數(shù)量比地球上的人口還要多.
標(biāo)簽：
MEMS
石英晶體
振蕩器
硅
上傳時(shí)間：
2013-10-17
上傳用戶：xinshou123456
