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導(dǎo)熱硅脂

臺灣六相公司-導(dǎo)熱絕緣硅膠片-pdf.zip

專輯類-實(shí)用電子技術(shù)專輯-385冊-3.609G 臺灣六相公司-導(dǎo)熱絕緣硅膠片-pdf.zip

標(biāo)簽： zip 六相導(dǎo)熱

上傳時(shí)間： 2013-06-18

上傳用戶：xoxoliguozhi
硅微機(jī)械傳感器-316頁-8.4M.pdf

專輯類-傳感器專輯-87冊-901M 硅微機(jī)械傳感器-316頁-8.4M.pdf

標(biāo)簽： 316 8.4 硅微機(jī)械

上傳時(shí)間： 2013-07-15

上傳用戶：姚燚666
硅穩(wěn)壓管-92頁-1.4M.pdf

專輯類-元器件樣本專輯-116冊-3.03G 硅穩(wěn)壓管-92頁-1.4M.pdf

標(biāo)簽： 1.4 92 硅

上傳時(shí)間： 2013-04-24

上傳用戶：liu_yuankang
對硅微諧振式加速度計(jì)的數(shù)據(jù)采集電路開展研究工作

項(xiàng)目的研究內(nèi)容是對硅微諧振式加速度計(jì)的數(shù)據(jù)采集電路開展研究工作。硅微諧振式加速度計(jì)敏感結(jié)構(gòu)輸出的是兩路差分的頻率信號，因此硅微諧振式加速度計(jì)數(shù)據(jù)采集電路完成的主要任務(wù)是測出兩路頻率信號的差值。測量要求是：實(shí)現(xiàn)10ms內(nèi)對中心諧振頻率為20kHz、標(biāo)度因數(shù)為100Hz/g、量程為±50g、分辨率為1mg的硅微諧振式加速度計(jì)輸出的頻率信號的測量，等效測量誤差為±1mg。電路的控制核心為單片機(jī)，具有串行接口以便將測量結(jié)果傳送給PC機(jī)從而分析、保存測量結(jié)果。\\r\\n按研究內(nèi)容設(shè)計(jì)了軟硬件。軟件采用多周期同步法

標(biāo)簽： 硅微加速度計(jì) 數(shù)據(jù)采集電路諧振式

上傳時(shí)間： 2013-08-11

上傳用戶：csgcd001
BTB06-800C（雙晶硅）

雙晶硅

標(biāo)簽： BTB 800 06 晶硅

上傳時(shí)間： 2014-12-23

上傳用戶：SimonQQ
用于硅半導(dǎo)體探測器的電荷靈敏放大器的研制

氛及其子體的能譜測量中常用到鈍化離子注人硅探測器或金硅面壘探測器。本文介紹了一種用于這兩類硅半導(dǎo)體探測器的電荷靈敏放大器的實(shí)例，它由電荷靈敏級和電壓放大級構(gòu)成。給出了它的設(shè)計(jì)思想和調(diào)試過程。介紹了測試手段并測試了它的技術(shù)指標(biāo)，說明了應(yīng)用場合。

標(biāo)簽： 硅半導(dǎo)體探測器電荷靈敏放大器

上傳時(shí)間： 2014-12-23

上傳用戶：hphh
pcb layout design(臺灣硬件工程師15年經(jīng)驗(yàn)

PCB LAYOUT 術(shù)語解釋(TERMS)1. COMPONENT SIDE(零件面、正面)︰大多數(shù)零件放置之面。2. SOLDER SIDE(焊錫面、反面)。3. SOLDER MASK(止焊膜面)︰通常指Solder Mask Open 之意。4. TOP PAD︰在零件面上所設(shè)計(jì)之零件腳PAD，不管是否鑽孔、電鍍。5. BOTTOM PAD：在銲錫面上所設(shè)計(jì)之零件腳PAD，不管是否鑽孔、電鍍。6. POSITIVE LAYER：單、雙層板之各層線路；多層板之上、下兩層線路及內(nèi)層走線皆屬之。7. NEGATIVE LAYER：通常指多層板之電源層。8. INNER PAD：多層板之POSITIVE LAYER 內(nèi)層PAD。9. ANTI-PAD：多層板之NEGATIVE LAYER 上所使用之絕緣範(fàn)圍，不與零件腳相接。10. THERMAL PAD：多層板內(nèi)NEGATIVE LAYER 上必須零件腳時(shí)所使用之PAD，一般稱為散熱孔或?qū)住?1. PAD (銲墊)：除了SMD PAD 外，其他PAD 之TOP PAD、BOTTOM PAD 及INNER PAD 之形狀大小皆應(yīng)相同。12. Moat : 不同信號的 Power& GND plane 之間的分隔線13. Grid : 佈線時(shí)的走線格點(diǎn)2. Test Point : ATE 測試點(diǎn)供工廠ICT 測試治具使用ICT 測試點(diǎn) LAYOUT 注意事項(xiàng):PCB 的每條TRACE 都要有一個(gè)作為測試用之TEST PAD(測試點(diǎn))，其原則如下：1. 一般測試點(diǎn)大小均為30-35mil，元件分布較密時(shí)，測試點(diǎn)最小可至30mil.測試點(diǎn)與元件PAD 的距離最小為40mil。2. 測試點(diǎn)與測試點(diǎn)間的間距最小為50-75mil，一般使用75mil。密度高時(shí)可使用50mil,3. 測試點(diǎn)必須均勻分佈於PCB 上，避免測試時(shí)造成板面受力不均。4. 多層板必須透過貫穿孔(VIA)將測試點(diǎn)留於錫爐著錫面上(Solder Side)。5. 測試點(diǎn)必需放至於Bottom Layer6. 輸出test point report(.asc 檔案powerpcb v3.5)供廠商分析可測率7. 測試點(diǎn)設(shè)置處:Setup􀃆pads􀃆stacks

標(biāo)簽： layout design pcb 硬件工程師

上傳時(shí)間： 2013-10-22

上傳用戶：pei5
基于硅堆的猝發(fā)高壓脈沖源初步實(shí)驗(yàn)研究

為了產(chǎn)生驅(qū)動(dòng)多幅閃光照相的高重頻猝發(fā)高壓電脈沖，開展了基于硅堆隔離的猝發(fā)高壓脈沖發(fā)生裝置的可行性研究。對普通整流硅堆脈沖條件的導(dǎo)通電流，反向關(guān)斷時(shí)間進(jìn)行了實(shí)驗(yàn)研究；采用脈沖形成線產(chǎn)生矩形脈沖，利用不同長度傳輸線的傳輸時(shí)延產(chǎn)生多脈沖，以硅堆隔離的方式實(shí)現(xiàn)多脈沖在負(fù)載的輸出。研究表明：硅堆在500 ns脈寬條件下，其電流過載至少736倍，關(guān)斷時(shí)間約200 ns，硅堆的絕緣恢復(fù)時(shí)間決定產(chǎn)生脈沖的最高重復(fù)頻率。

標(biāo)簽： 硅實(shí)驗(yàn) 高壓脈沖源

上傳時(shí)間： 2013-11-20

上傳用戶：稀世之寶039
鐵硅鋁磁芯參數(shù)

關(guān)于鐵硅鋁（AS）材料選擇的一些介紹

標(biāo)簽： 鐵硅鋁磁芯參數(shù)

上傳時(shí)間： 2013-11-16

上傳用戶：weiwolkt
BKZ系列硅整流電源裝置資料

BKZ系列硅整流電源裝置適用于交流50Hz/60 、電Hz 壓500V以下的交流電源改變?yōu)橹绷?4V的裝置。

標(biāo)簽： BKZ 硅整流電源裝置

上傳時(shí)間： 2013-12-01

上傳用戶：erkuizhang