設(shè)計了一種可在CMOS射頻功率放大器中用于功率合成的寬帶變壓器。通過對變壓器的并聯(lián)和串聯(lián)兩種功率合成形式進(jìn)行分析與比較，指出了匝數(shù)比、功率單元數(shù)目以及寄生電阻對變壓器功率合成性能的影響；提出了一種片上變壓器的設(shè)計方法，即采用多層金屬疊層并聯(lián)以及將功放單元內(nèi)置于變壓器線圈中的方式，解決了在CMOS工藝中設(shè)計變壓器時面臨的寄生電阻過大及有效耦合長度不足等困難。設(shè)計的變壓器在2～3 GHz頻段內(nèi)的損耗小于1．35 dB，其功率合成效率高達(dá)76 以上，適合多模多頻段射頻前端的應(yīng)用。
標(biāo)簽： CMOS 射頻功率放大器 變壓器 合成技術(shù)
上傳時間： 2014-12-24
上傳用戶：ewtrwrtwe
介紹了一款輸入級采用差分放大作倒相的推挽功放, 它的額定輸出功率為, 如果提高輸出級電源電壓, 還可在不變動電路條件下, 把輸出功率提高到, 可以滿足一些對功率要求比較高的發(fā)燒友需要。
上傳時間： 2013-11-08
上傳用戶：zhaiye
要延長低功率應(yīng)用中的電池工作時間，采用一種經(jīng)過優(yōu)化設(shè)計的電源非常重要。首先，必須選擇正確的電源架構(gòu)：其次，必須了解這些架構(gòu)中有哪些特性可以優(yōu)化。
上傳時間： 2013-11-24
上傳用戶：bcjtao
研究了超級電容快速充電方法，分析了恒功率快速充電的原理，并通過比較恒電流和恒功率兩種方法，證明了恒功率充電更有利于實現(xiàn)快速充電。根據(jù)恒功率充電原理，制作了快速充電樣機(jī)。實驗表明該樣機(jī)電路穩(wěn)定，能夠?qū)崿F(xiàn)快速充電要求，具有良好的實用前景。
上傳時間： 2013-11-17
上傳用戶：781354052
太陽能蓄電池與光照時間的關(guān)系 例如:有一塊單晶硅電池的組件,最大的輸出功率Pm(額定功率)為25W,峰值電壓(額定電壓)Ump為17.2V,峰值電流(額定電流)為1.45A,開路電壓為21V,短路電流為Isc為1.5A,某地區(qū)有效光照時間為12小時,求太陽能電池一天的發(fā)電量和所需的蓄電池的容量。 已知:Pm=25w ,h=12h ,U=17.2V ,太陽能電池的發(fā)電效率為:u=0.7,蓄電池的補(bǔ)償值為n=1.4 太陽能電池的發(fā)電量:M=Pm×h×u=25×12×0.7=210W 按上訴公式:C=Ph/U=25×12/17.2=17.44Ah 那么實際的蓄電池的有效容量要在C=17.44/1.40=12.46Ah以上 所以在實際中我們可以選擇14Ah左右容量的蓄電池。
上傳時間： 2013-11-08
上傳用戶：life840315
高功率因數(shù)、高效率、低噪音是電源裝置和用電設(shè)備普遍追求的品質(zhì)。本文以單相有源功率因數(shù)校正控制器和高性能功率模塊的研制、開發(fā)為依托，對其從理論和應(yīng)用開發(fā)兩個方面進(jìn)行了較為全面的研究和討論。
上傳時間： 2014-01-22
上傳用戶：llwap
TSC系列可控硅動態(tài)無功功率補(bǔ)償器采用大功率可控硅組成的無觸點開關(guān),對多級電容器組進(jìn) 行快速無過渡投切,克服了傳統(tǒng)無功功率補(bǔ)償器因采用機(jī)械觸點燒損,對電容沖擊大等缺點。對各 種負(fù)荷均能起到良好的補(bǔ)償效果。 TSC-W型補(bǔ)償器采用的三相獨立控制技術(shù)解決了三相不平衡沖 擊負(fù)荷補(bǔ)償?shù)募夹g(shù)難題,屬國內(nèi)首創(chuàng),填補(bǔ)了國內(nèi)空白。
標(biāo)簽： TSC 可控硅 動態(tài) 無功功率
上傳時間： 2014-12-24
上傳用戶：199311
廣州致遠(yuǎn)電子有限公司近期推出了系列的工業(yè)級微功率DC-DC電源模塊，能夠廣泛應(yīng)用于低頻模擬電路，大功率IGBT驅(qū)動,純數(shù)字電路,模擬前端隔離電路,RS232/RS485/D422隔離通訊接口，CAN-BUS隔離通訊接口，運算放大器電源和手持便攜儀表等多種場合。其全面性與成熟可靠的設(shè)計，可以解決用戶在電源和模擬前端部分設(shè)計中所遇到的較多難題，并可以節(jié)省開發(fā)時間，使用戶的產(chǎn)品更快推出市場.
標(biāo)簽： DC-DC 工業(yè)級 微功率 電源模塊
上傳時間： 2013-10-17
上傳用戶：妄想演繹師
摘要:根據(jù)嵌入式系統(tǒng)電源的實際需求，以FSD200小功率單片開關(guān)電源集成電路為核心，結(jié)合可調(diào)式精密穩(wěn)壓器TL431和線性光耦PC817等外圍器件，設(shè)計并實現(xiàn)了適合嵌入式系統(tǒng)使用的多路小功率開關(guān)電源。關(guān)鍵詞:嵌入式系統(tǒng)；FSD200；開關(guān)電源
標(biāo)簽： 嵌入式系統(tǒng) 小功率 開關(guān)電源
上傳時間： 2013-12-07
上傳用戶：黑漆漆
同步整流技術(shù)簡單介紹大家都知道，對于開關(guān)電源，在次級必然要有一個整流輸出的過程。作為整流電路的主要元件，通常用的是整流二極管（利用它的單向?qū)щ娞匦裕梢岳斫鉃橐环N被動式器件：只要有足夠的正向電壓它就開通，而不需要另外的控制電路。但其導(dǎo)通壓降較高，快恢復(fù)二極管（FRD）或超快恢復(fù)二極管（SRD）可達(dá)1.0～1.2V，即使采用低壓降的肖特基二極管（SBD），也會產(chǎn)生大約0.6V的壓降。這個壓降完全是做的無用功，并且整流二極管是一種固定壓降的器件，舉個例子：如有一個管子壓降為0.7V，其整流為12V時它的前端要等效12.7V電壓，損耗占0.7/12.7≈5.5%.而當(dāng)其為3.3V整流時，損耗為0.7/4（3.3+0.7）≈17.5%。可見此類器件在低壓大電流的工作環(huán)境下其損耗是何等地驚人。這就導(dǎo)致電源效率降低，損耗產(chǎn)生的熱能導(dǎo)致整流管進(jìn)而開關(guān)電源的溫度上升、機(jī)箱溫度上升--------有時系統(tǒng)運行不穩(wěn)定、電腦硬件使用壽命急劇縮短都是拜這個高溫所賜。隨著電腦硬件技術(shù)的飛速發(fā)展，如GeForce 8800GTX顯卡，其12V峰值電流為16.2A。所以必須制造能提供更大輸出電流（如多核F1，四路12V，每路16A；3.3V和5V輸出電流各高達(dá)24A）的電源轉(zhuǎn)換器。而當(dāng)前世界的能源緊張問題的凸現(xiàn)，為廣大用戶提供更高轉(zhuǎn)換效率（如多核R80，完全符合80PLUS標(biāo)準(zhǔn)）的電源轉(zhuǎn)換器就是我們整個開關(guān)電源行業(yè)的不可回避的社會責(zé)任了。如何解決這些問題？尋找更好的整流方式、整流器件。同步整流技術(shù)和通態(tài)電阻（幾毫歐到十幾毫歐）極低的專用功率MOSFET就是在這個時刻走上開關(guān)電源技術(shù)發(fā)展的歷史舞臺了！作為取代整流二極管以降低整流損耗的一種新器件，功率MOSFET屬于電壓控制型器件，它在導(dǎo)通時的伏安特性呈線性關(guān)系。因為用功率MOSFET做整流器時，要求柵極電壓必須與被整流電壓的相位保持同步才能完成整流功能，故稱之為同步整流。它可以理解為一種主動式器件，必須要在其控制極（柵極）有一定電壓才能允許電流通過，這種復(fù)雜的控制要求得到的回報就是極小的電流損耗。在實際應(yīng)用中，一般在通過20-30A電流時才有0.2-0.3V的壓降損耗。因為其壓降等于電流與通態(tài)電阻的乘積，故小電流時，其壓降和恒定壓降的肖特基不同，電流越小壓降越低。這個特性對于改善輕載效率（20%）尤為有效。這在80PLUS產(chǎn)品上已成為一種基本的解決方案了。對于以上提到的兩種整流方案，我們可以通過灌溉農(nóng)田來理解：肖特基整流管可以看成一條建在泥土上沒有鋪水泥的灌溉用的水道，從源頭下來的水源在中途滲漏了很多，十方水可能只有七、八方到了農(nóng)田里面。而同步整流技術(shù)就如同一條鑲嵌了光滑瓷磚的引水通道，除了一點點被太陽曬掉的損失外，十方水能有9.5方以上的水真正用于澆灌那些我們?nèi)杖召囈陨娴募Z食。我們的多核F1，多核R80，其3.3V整流電路采用了通態(tài)電阻僅為0.004歐的功率MOSFET，在通過24A峰值電流時壓降僅為20*0.004=0.08V。如一般PC正常工作時的3.3V電流為10A，則其壓降損耗僅為10*0.004=0.04V，損耗比例為0.04/4=1%，比之于傳統(tǒng)肖特基加磁放大整流技術(shù)17.5%的損耗，其技術(shù)的進(jìn)步已不僅僅是一個量的變化，而可以說是有了一個質(zhì)的飛躍了。也可以說，我們?yōu)橛脩粜藿艘粭l嚴(yán)絲合縫的灌溉電腦配件的供電渠道。
標(biāo)簽： 同步整流
上傳時間： 2013-10-27
上傳用戶：杏簾在望
蟲蟲下載站版權(quán)所有 京ICP備2021023401號-1
