基于SMIC0.35 μm的CMOS工藝，設計了一種高電源抑制比，同時可在全工藝角下的得到低溫漂的帶隙基準電路。首先采用一個具有高電源抑制比的基準電壓，通過電壓放大器放大得到穩定的電壓，以提供給帶隙核心電路作為供電電源，從而提高了電源抑制比。另外，將電路中的關鍵電阻設置為可調電阻，從而可以改變正溫度電壓的系數，以適應不同工藝下負溫度系數的變化，最終得到在全工藝角下低溫漂的基準電壓。Cadence virtuoso仿真表明：在27 ℃下，10 Hz時電源抑制比（PSRR）-109 dB，10 kHz時（PSRR）達到-64 dB；在4 V電源電壓下，在-40～80 ℃范圍內的不同工藝角下，溫度系數均可達到5.6×10-6 V/℃以下。
標簽： CMOS 高電源抑制 工藝 基準電壓源
上傳時間： 2014-12-03
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SM7503是應用于離線式小功率AC/DC開關電源的高性能原邊反饋控制功率開關芯片，在全電壓輸入范圍內實現高精度恒壓/恒流輸出，精度均小于±3℅，并可使系統節省光耦和TL431等元件，降低成本。芯片內部集成了高壓功率開關、逐周期峰值電流限制、VDD過壓保護、VDD欠壓保護、VDD電壓嵌位等完善的保護功能，以提高系統的可靠性。封裝形式：SOP8
標簽： 7503 SM 性能 反饋控制
上傳時間： 2013-10-08
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SM7505是應用于離線式小功率AC/DC開關電源的高性能原邊反饋控制功率開關芯片，在全電壓輸入范圍內實現高精度恒壓/恒流輸出，精度均小于±3℅，并可使系統節省光耦和TL431等元件，降低成本。芯片內部集成了高壓功率開關、逐周期峰值電流限制、VDD過壓保護、VDD欠壓保護、VDD電壓嵌位等完善的保護功能，以提高系統的可靠性。內置輸出線壓降補償和前沿消隱電路（LEB），SOP8的封裝形式。主要應用于LED照明驅動，小功率電源配適器，電腦、電視等產品的輔助電源或待機電源等
標簽： 7505 SM 性能 反饋控制
上傳時間： 2013-12-12
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單開關(或稱單晶體管)正激轉換器是一種最基本類型的基于變壓器的隔離降壓轉換器，廣泛用于需要大降壓比的應用。這種轉換器的優點包括只需單顆接地參考晶體管，及非脈沖輸出電流減小輸出電容的均方根紋波電流含量等。但這種轉換器的功率能力小于半橋或全橋拓撲結構，且變壓器需要磁芯復位，使這種轉換器的最大占空比限制在約50%。此外，金屬氧化物半導體場效應管(MOSFET)開關的漏電壓變化達輸入電壓的兩倍或更多，使這種拓撲結構較難于用在較高輸入電壓的應用。
標簽： 雙開關 正激轉換器 應用設計
上傳時間： 2013-12-22
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西安誼邦電子 公司引進美國的先進半導體測試技術，在此基礎上研制生產了YB6000系列半導體分立器件測試系統，該測試系統擁有功率大、速度快、精度高、測試種類全等技術特點，各項技術指標均達到國際領先水平。其雄厚的技術實力，多年的開發產品經驗和獨特嚴謹的設計方案使誼邦電子YB系列測試系統性能更加超群，品質更為可靠穩定。誼邦電子研發技術涉及高端集成電路測試、半導體分立器件測試和各種客戶產品測試等領域。產品主要應用于軍工、汽車、飛機、船舶制造、能源等行業領域。 西安誼邦憑借較強的技術實力和完善的科學管理，能夠給用戶提供完善的售前售后技術支持?？萍紕撔隆⒎諢o限，是我們工作的宗旨。
標簽： IGBT 測試 電子 半導體測試
上傳時間： 2013-10-30
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設計了一種可在CMOS射頻功率放大器中用于功率合成的寬帶變壓器。通過對變壓器的并聯和串聯兩種功率合成形式進行分析與比較，指出了匝數比、功率單元數目以及寄生電阻對變壓器功率合成性能的影響；提出了一種片上變壓器的設計方法，即采用多層金屬疊層并聯以及將功放單元內置于變壓器線圈中的方式，解決了在CMOS工藝中設計變壓器時面臨的寄生電阻過大及有效耦合長度不足等困難。設計的變壓器在2～3 GHz頻段內的損耗小于1．35 dB，其功率合成效率高達76 以上，適合多模多頻段射頻前端的應用。
標簽： CMOS 射頻功率放大器 變壓器 合成技術
上傳時間： 2014-12-24
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常見DC/DC電源變換器的拓撲類型見表1～表3所列。表中給出不同的電路結構，同時也給出相應的電壓及電流波形(設相關的電感電流為連續工作方式)。PWM表示脈寬調制波形，U1為直流輸入電壓，UDS為功率丌關管S1(MOSFFT)的漏一源極電壓。ID1為S1的漏極電流。IF1為D1的工作電流，U0為輸出電壓，IL為負載電流。T為周期，t為UO呈高電平(或低電平)的時問及開關導通時間，D為占空比，有關系式：D=t/T。C1、C2均為輸入端濾波電容，CO為輸出端濾波電容，L1、L2為電感。 1、常見單管DC/DC電源變換器
標簽： 正 反激開關電源 拓撲結構
上傳時間： 2013-10-19
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TSC系列可控硅動態無功功率補償器采用大功率可控硅組成的無觸點開關,對多級電容器組進 行快速無過渡投切,克服了傳統無功功率補償器因采用機械觸點燒損,對電容沖擊大等缺點。對各 種負荷均能起到良好的補償效果。 TSC-W型補償器采用的三相獨立控制技術解決了三相不平衡沖 擊負荷補償的技術難題,屬國內首創,填補了國內空白。
標簽： TSC 可控硅 動態 無功功率
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38V/100A可直接并聯大功率AC/DC變換器 隨著電力電子技術的發展，電源技術被廣泛應用于計算機、工業儀器儀表、軍事、航天等領域，涉及到國民經濟各行各業。特別是近年來，隨著IGBT的廣泛應用，開關電源向更大功率方向發展。研制各種各樣的大功率，高性能的開關電源成為趨勢。某電源系統要求輸入電壓為AC220V，輸出電壓為DC38V，輸出電流為100A，輸出電壓低紋波，功率因數>0.9，必要時多臺電源可以直接并聯使用，并聯時的負載不均衡度<5％。 設計采用了AC/DC/AC/DC變換方案。一次整流后的直流電壓，經過有源功率因數校正環節以提高系統的功率因數，再經半橋變換電路逆變后，由高頻變壓器隔離降壓，最后整流輸出直流電壓。系統的主要環節有DC/DC電路、功率因數校正電路、PWM控制電路、均流電路和保護電路等。 1 有源功率因數校正環節 由于系統的功率因數要求0.9以上，采用二極管整流是不能滿足要求的，所以，加入了有源功率因數校正環節。采用UC3854A/B控制芯片來組成功率因數電路。UC3854A/B是Unitrode公司一種新的高功率因數校正器集成控制電路芯片，是在UC3854基礎上的改進。其特點是：采用平均電流控制，功率因數接近1，高帶寬，限制電網電流失真≤3％[1]。圖1是由UC3854A/B控制的有源功率因數校正電路。 該電路由兩部分組成。UC3854A/B及外圍元器件構成控制部分，實現對網側輸入電流和輸出電壓的控制。功率部分由L2，C5，V等元器件構成Boost升壓電路。開關管V選擇西門康公司的SKM75GB123D模塊，其工作頻率選在35kHz。升壓電感L2為2mH/20A。C5采用四個450V/470μF的電解電容并聯。因為，設計的PFC電路主要是用在大功率DC/DC電路中，所以，在負載輕的時候不進行功率因數校正，當負載較大時功率因數校正電路自動投入使用。此部分控制由圖1中的比較器部分來實現。R10及R11是負載檢測電阻。當負載較輕時，R10及R11上檢測的信號輸入給比較器，使其輸出端為低電平，D2導通，給ENA(使能端)低電平使UC3854A/B封鎖。在負載較大時ENA為高電平才讓UC3854A/B工作。D3接到SS（軟啟動端），在負載輕時D3導通，使SS為低電平；當負載增大要求UC3854A/B工作時，SS端電位從零緩慢升高，控制輸出脈沖占空比慢慢增大實現軟啟動。 2 DC/DC主電路及控制部分分析 2.1 DC/DC主電路拓撲 在大功率高頻開關電源中，常用的主變換電路有推挽電路、半橋電路、全橋電路等[2]。其中推挽電路的開關器件少，輸出功率大，但開關管承受電壓高（為電源電壓的2倍），且變壓器有六個抽頭，結構復雜；全橋電路開關管承受的電壓不高，輸出功率大，但是需要的開關器件多（4個），驅動電路復雜。半橋電路開關管承受的電壓低，開關器件少，驅動簡單。根據對各種拓撲方案的工程化實現難度，電氣性能以及成本等指標的綜合比較，本電源選用半橋式DC/DC變換器作為主電路。圖2為大功率開關電源的主電路拓撲圖。
標簽： 100 38 AC DC
上傳時間： 2013-11-13
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功率變換器是開關磁阻電動機調速系統（SRD）中的重要組成部分，現有的各種功率變換器大都有這樣或那樣的問題與不足，關鍵是不能保證較好的性能價格比。本文通過對兩種常用的四相開關磁阻電動機（SR）功率變換器主電路進行分析，優化、綜合常用的主電路，給出了目前最優的四相SR電機功率變換器主電路型式——最少主開關型，提高了經濟性和實用性。結合作者的研制實踐，又給出了5.5KW 的SR電機新型功率變換器的實際電路、主要器件及其定額的選擇。通過實驗成功地應用此方案，基于降低SR電機轉矩波動的有效手段，同時實現電機實時雙相繞組通電穩定運行。關鍵詞：開關磁阻電動機；功率變換器；最少主開關；繞組雙相運行
標簽： 電機功率 變換器 分
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