Recent advances in low voltage silicon germaniumand BiCMOS processes have allowed the design andproduction of very high speed amplifi ers. Because theprocesses are low voltage, most of the amplifi er designshave incorporated differential inputs and outputs to regainand maximize total output signal swing. Since many lowvoltageapplications are single-ended, the questions arise,“How can I use a differential I/O amplifi er in a single-endedapplication?” and “What are the implications of suchuse?” This Design Note addresses some of the practicalimplications and demonstrates specifi c single-endedapplications using the 3GHz gain-bandwidth LTC6406differential I/O amplifi er.
標(biāo)簽： 單端應(yīng)用 差分 放大器
上傳時(shí)間： 2013-11-23
上傳用戶(hù)：rocketrevenge
模擬轉(zhuǎn)換器性能不只依賴(lài)分辨率規(guī)格 大量的模數(shù)轉(zhuǎn)換器(ADC)使人們難以選擇最適合某種特定應(yīng)用的ADC器件。工程師們選擇ADC時(shí)，通常只注重位數(shù)、信噪比(SNR)、諧波性能，但是其它規(guī)格也同樣重要。本文將介紹ADC器件最易受到忽視的九項(xiàng)規(guī)格，并說(shuō)明它們是如何影響ADC性能的。 1. SNR比分辨率更為重要。 ADC規(guī)格中最常見(jiàn)的是所提供的分辨率，其實(shí)該規(guī)格并不能表明ADC器件的任何能力。但可以用位數(shù)n來(lái)計(jì)算ADC的理論SNR： 不 過(guò)工程師也許并不知道，熱噪聲、時(shí)鐘抖動(dòng)、差分非線(xiàn)性(DNL)誤差以及其它參數(shù)異常都會(huì)限制ADC器件的SNR。對(duì)于高性能高分辨率轉(zhuǎn)換器尤其如此。一 些數(shù)據(jù)表提供有效位數(shù)(ENOB)規(guī)格，它描述了ADC器件所能提供的有效位數(shù)。為了計(jì)算ADC的ENOB值，應(yīng)把測(cè)量的SNR值放入上述公式，并求解 n。
上傳時(shí)間： 2014-12-22
上傳用戶(hù)：z240529971
為提高產(chǎn)品的可靠性、設(shè)計(jì)和功能,本文所有信息若有變更,恕不提前通知。本文信息也不作為廠(chǎng)商的任何承諾。 任何情況下,包括已警告了的各種損壞的可能性,廠(chǎng)商均不負(fù)責(zé)直接的、非直接的、特殊的或偶然的因不正當(dāng)使用本產(chǎn)品或文件所造成的損壞。 本文包含受版權(quán)保護(hù)的信息，版權(quán)所有。未經(jīng)廠(chǎng)商書(shū)面同意,不得以機(jī)械的、電子的或其它任何方式進(jìn)行復(fù)制。
上傳時(shí)間： 2013-10-14
上傳用戶(hù)：壞壞的華仔
設(shè)計(jì)了一種用于高速ADC中的全差分套筒式運(yùn)算放大器.從ADC的應(yīng)用指標(biāo)出發(fā),確定了設(shè)計(jì)目標(biāo),利用開(kāi)關(guān)電容共模反饋、增益增強(qiáng)等技術(shù)實(shí)現(xiàn)了一個(gè)可用于12 bit精度、100 MHz采樣頻率的高速流水線(xiàn)(Pipelined)ADC中的運(yùn)算放大器.基于SMIC 0.13 μm,3.3 V工藝,Spectre仿真結(jié)果表明,該運(yùn)放可以達(dá)到105.8 dB的增益,單位增益帶寬達(dá)到983.6 MHz,而功耗僅為26.2 mW.運(yùn)放在4 ns的時(shí)間內(nèi)可以達(dá)到0.01%的建立精度,滿(mǎn)足系統(tǒng)設(shè)計(jì)要求.
標(biāo)簽： 增益 增強(qiáng)型 運(yùn)算放大器
上傳時(shí)間： 2013-10-16
上傳用戶(hù)：563686540
低電壓差分信號(hào)(LVDS)是一種高速點(diǎn)到點(diǎn)應(yīng)用通信標(biāo)準(zhǔn)。多點(diǎn)LVDS (M-LVDS)則是一種面向多點(diǎn)應(yīng)用的類(lèi)似標(biāo)準(zhǔn)。LVDS和M-LVDS均使用差分信號(hào)，通過(guò)這種雙線(xiàn)式通信方法，接收器將根據(jù)兩個(gè)互補(bǔ)電信號(hào)之間的電壓差檢測(cè)數(shù)據(jù)。這樣能夠極大地改善噪聲抗擾度，并將噪聲輻射降至最低。
上傳時(shí)間： 2013-11-22
上傳用戶(hù)：fhjdliu
當(dāng)設(shè)計(jì)高速信號(hào)PCB或者復(fù)雜的PCB時(shí)，常常需要考慮信號(hào)的干擾和抗干擾的問(wèn)題，也就是設(shè)計(jì)這樣的PCB時(shí)，需要提高PCB的電磁兼容性。為了實(shí)現(xiàn)這個(gè)目的，除了在原理圖設(shè)計(jì)時(shí)增加抗干擾的元件外，在設(shè)計(jì)PCB時(shí)也必須考慮這個(gè)問(wèn)題，而最重要的實(shí)現(xiàn)手段之一就是使用高速信號(hào)布線(xiàn)的基本技巧和原則。 高速信號(hào)布線(xiàn)的基本技巧包括控制走線(xiàn)長(zhǎng)度、蛇形布線(xiàn)、差分對(duì)布線(xiàn)和等長(zhǎng)布線(xiàn)，使用這些基本的布線(xiàn)方法，可以大大提高高速信號(hào)的質(zhì)量和電磁兼容性。下面分別介紹這些布線(xiàn)方法的設(shè)置和操作。
標(biāo)簽： Router Pads 布線(xiàn)技巧 分
上傳時(shí)間： 2013-11-08
上傳用戶(hù)：座山雕牛逼
本內(nèi)容匯總了近30個(gè)PCB布線(xiàn)知識(shí)面試題是PCB工程師必備的知識(shí)點(diǎn)總結(jié)，也是面試者需要的知識(shí)。如何處理實(shí)際布線(xiàn)中的一些理論沖突的問(wèn)題，在高速設(shè)計(jì)中，如何解決信號(hào)的完整性問(wèn)題?差分布線(xiàn)方式是如何實(shí)現(xiàn)的?對(duì)于只有一個(gè)輸出端的時(shí)鐘信號(hào)線(xiàn)，如何實(shí)現(xiàn)差分布線(xiàn)?等問(wèn)題
標(biāo)簽： PCB 布線(xiàn) 工程師 面試題
上傳時(shí)間： 2013-12-15
上傳用戶(hù)：asdfasdfd
LVDS(低壓差分信號(hào))標(biāo)準(zhǔn)ANSI/TIA /E IA26442A22001廣泛應(yīng)用于許多接口器件和一些ASIC及FPGA中。文中探討了LVDS的特點(diǎn)及其PCB (印制電路板)設(shè)計(jì),糾正了某些錯(cuò)誤認(rèn)識(shí)。應(yīng)用傳輸線(xiàn)理論分析了單線(xiàn)阻抗、雙線(xiàn)阻抗及LVDS差分阻抗計(jì)算方法,給出了計(jì)算單線(xiàn)阻抗和差分阻抗的公式,通過(guò)實(shí)際計(jì)算說(shuō)明了差分阻抗與單線(xiàn)阻抗的區(qū)別,并給出了PCB布線(xiàn)時(shí)的幾點(diǎn)建議。關(guān)鍵詞: LVDS, 阻抗分析, 阻抗計(jì)算, PCB設(shè)計(jì) LVDS (低壓差分信號(hào))是高速、低電壓、低功率、低噪聲通用I/O接口標(biāo)準(zhǔn),其低壓擺幅和差分電流輸出模式使EM I (電磁干擾)大大降低。由于信號(hào)輸出邊緣變化很快,其信號(hào)通路表現(xiàn)為傳輸線(xiàn)特性。因此,在用含有LVDS接口的Xilinx或Altera等公司的FP2GA及其它器件進(jìn)行PCB (印制電路板)設(shè)計(jì)時(shí),超高速PCB設(shè)計(jì)和差分信號(hào)理論就顯得特別重要。
上傳時(shí)間： 2013-11-19
上傳用戶(hù)：水中浮云
現(xiàn)代的電子設(shè)計(jì)和芯片制造技術(shù)正在飛速發(fā)展，電子產(chǎn)品的復(fù)雜度、時(shí)鐘和總線(xiàn)頻率等等都呈快速上升趨勢(shì)，但系統(tǒng)的電壓卻不斷在減小，所有的這一切加上產(chǎn)品投放市場(chǎng)的時(shí)間要求給設(shè)計(jì)師帶來(lái)了前所未有的巨大壓力。要想保證產(chǎn)品的一次性成功就必須能預(yù)見(jiàn)設(shè)計(jì)中可能出現(xiàn)的各種問(wèn)題，并及時(shí)給出合理的解決方案，對(duì)于高速的數(shù)字電路來(lái)說(shuō)，最令人頭大的莫過(guò)于如何確保瞬時(shí)跳變的數(shù)字信號(hào)通過(guò)較長(zhǎng)的一段傳輸線(xiàn)，還能完整地被接收，并保證良好的電磁兼容性，這就是目前頗受關(guān)注的信號(hào)完整性（SI）問(wèn)題。本章就是圍繞信號(hào)完整性的問(wèn)題，讓大家對(duì)高速電路有個(gè)基本的認(rèn)識(shí)，并介紹一些相關(guān)的基本概念。 第一章 高速數(shù)字電路概述.....................................................................................51.1 何為高速電路...............................................................................................51.2 高速帶來(lái)的問(wèn)題及設(shè)計(jì)流程剖析...............................................................61.3 相關(guān)的一些基本概念...................................................................................8第二章 傳輸線(xiàn)理論...............................................................................................122.1 分布式系統(tǒng)和集總電路.............................................................................122.2 傳輸線(xiàn)的RLCG 模型和電報(bào)方程...............................................................132.3 傳輸線(xiàn)的特征阻抗.....................................................................................142.3.1 特性阻抗的本質(zhì).................................................................................142.3.2 特征阻抗相關(guān)計(jì)算.............................................................................152.3.3 特性阻抗對(duì)信號(hào)完整性的影響.........................................................172.4 傳輸線(xiàn)電報(bào)方程及推導(dǎo).............................................................................182.5 趨膚效應(yīng)和集束效應(yīng).................................................................................232.6 信號(hào)的反射.................................................................................................252.6.1 反射機(jī)理和電報(bào)方程.........................................................................252.6.2 反射導(dǎo)致信號(hào)的失真問(wèn)題.................................................................302.6.2.1 過(guò)沖和下沖.....................................................................................302.6.2.2 振蕩：.............................................................................................312.6.3 反射的抑制和匹配.............................................................................342.6.3.1 串行匹配.........................................................................................352.6.3.1 并行匹配.........................................................................................362.6.3.3 差分線(xiàn)的匹配.................................................................................392.6.3.4 多負(fù)載的匹配.................................................................................41第三章 串?dāng)_的分析...............................................................................................423.1 串?dāng)_的基本概念.........................................................................................423.2 前向串?dāng)_和后向串?dāng)_.................................................................................433.3 后向串?dāng)_的反射.........................................................................................463.4 后向串?dāng)_的飽和.........................................................................................463.5 共模和差模電流對(duì)串?dāng)_的影響.................................................................483.6 連接器的串?dāng)_問(wèn)題.....................................................................................513.7 串?dāng)_的具體計(jì)算.........................................................................................543.8 避免串?dāng)_的措施.........................................................................................57第四章 EMI 抑制....................................................................................................604.1 EMI/EMC 的基本概念..................................................................................604.2 EMI 的產(chǎn)生..................................................................................................614.2.1 電壓瞬變.............................................................................................614.2.2 信號(hào)的回流.........................................................................................624.2.3 共模和差摸EMI ..................................................................................634.3 EMI 的控制..................................................................................................654.3.1 屏蔽.....................................................................................................654.3.1.1 電場(chǎng)屏蔽.........................................................................................654.3.1.2 磁場(chǎng)屏蔽.........................................................................................674.3.1.3 電磁場(chǎng)屏蔽.....................................................................................674.3.1.4 電磁屏蔽體和屏蔽效率.................................................................684.3.2 濾波.....................................................................................................714.3.2.1 去耦電容.........................................................................................714.3.2.3 磁性元件.........................................................................................734.3.3 接地.....................................................................................................744.4 PCB 設(shè)計(jì)中的EMI.......................................................................................754.4.1 傳輸線(xiàn)RLC 參數(shù)和EMI ........................................................................764.4.2 疊層設(shè)計(jì)抑制EMI ..............................................................................774.4.3 電容和接地過(guò)孔對(duì)回流的作用.........................................................784.4.4 布局和走線(xiàn)規(guī)則.................................................................................79第五章 電源完整性理論基礎(chǔ)...............................................................................825.1 電源噪聲的起因及危害.............................................................................825.2 電源阻抗設(shè)計(jì).............................................................................................855.3 同步開(kāi)關(guān)噪聲分析.....................................................................................875.3.1 芯片內(nèi)部開(kāi)關(guān)噪聲.............................................................................885.3.2 芯片外部開(kāi)關(guān)噪聲.............................................................................895.3.3 等效電感衡量SSN ..............................................................................905.4 旁路電容的特性和應(yīng)用.............................................................................925.4.1 電容的頻率特性.................................................................................935.4.3 電容的介質(zhì)和封裝影響.....................................................................955.4.3 電容并聯(lián)特性及反諧振.....................................................................955.4.4 如何選擇電容.....................................................................................975.4.5 電容的擺放及Layout ........................................................................99第六章 系統(tǒng)時(shí)序.................................................................................................1006.1 普通時(shí)序系統(tǒng)...........................................................................................1006.1.1 時(shí)序參數(shù)的確定...............................................................................1016.1.2 時(shí)序約束條件...................................................................................1066.2 源同步時(shí)序系統(tǒng).......................................................................................1086.2.1 源同步系統(tǒng)的基本結(jié)構(gòu)...................................................................1096.2.2 源同步時(shí)序要求...............................................................................110第七章 IBIS 模型................................................................................................1137.1 IBIS 模型的由來(lái)...................................................................................... 1137.2 IBIS 與SPICE 的比較.............................................................................. 1137.3 IBIS 模型的構(gòu)成...................................................................................... 1157.4 建立IBIS 模型......................................................................................... 1187.4 使用IBIS 模型......................................................................................... 1197.5 IBIS 相關(guān)工具及鏈接..............................................................................120第八章 高速設(shè)計(jì)理論在實(shí)際中的運(yùn)用.............................................................1228.1 疊層設(shè)計(jì)方案...........................................................................................1228.2 過(guò)孔對(duì)信號(hào)傳輸?shù)挠绊?..........................................................................1278.3 一般布局規(guī)則...........................................................................................1298.4 接地技術(shù)...................................................................................................1308.5 PCB 走線(xiàn)策略............................................................................................134
標(biāo)簽： 信號(hào)完整性
上傳時(shí)間： 2014-05-15
上傳用戶(hù)：dudu1210004
Calculation of the Differential Impedance of Tracks on FR4 substrates There is a discrepancy between calculated and measured values of impedance for differential transmission lineson FR4. This is especially noticeable in the case of surface microstrip configurations. The anomaly is shown tobe due to the nature of the substrate material. This needs to be considered as a layered structure of epoxy resinand glass fibre. Calculations, using Boundary Element field methods, show that the distribution of the electricfield within this layered structure determines the apparent dielectric constant and therefore affects theimpedance. Thus FR4 cannot be considered to be uniform dielectric when calculating differential impedance.
上傳時(shí)間： 2014-12-24
上傳用戶(hù)：DE2542
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