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平行耦合

隔直旁路電容及扼流電感的取值

這里僅討論電容及電感值的選取。種類的選取,則需要更多的工程實踐,更多的RF電路的經驗,這里不再討論。從理論上講,隔直電容、旁路電容的容量應滿足。顯然,在任何角頻率下,這在工程上是作不到的。電容量究竟取多大是合理的呢？圖1-5(a),(b)給出了隔直電容(多數情況下,這個電容又稱為耦合電容)和旁路電容的使用簡化

標簽： 旁路電容扼流電感

上傳時間： 2013-11-12

上傳用戶：13188549192
電流型PWM整流器的控制器設計

電流型PWM整流器因其良好的功率因數和直流電流源特性，可望在某些場合取代產生大量諧波的二極管或晶閘管相控整流裝置，但是由于其本身的強耦合非線性特性，使得變流器常采用復雜的直接電流控制策略，從而使控制器的設計非常復雜。文中提出一種改進的基于d-q坐標系的間接電流控制方法，在電網電壓平衡情況下，通過解耦控制，能獲得線性的動態響應。

標簽： PWM 電流型整流器制器設計

上傳時間： 2014-12-24

上傳用戶：asaqq
DN509 - 具6V至100V輸入電壓范圍的微功率隔離反激式轉換器

與其他的隔離式拓撲相比，反激式轉換器因其相對簡單和成本低而在隔離式 DC/DC 應用中得到了廣泛的運用。即使如此，設計傳統的反激式轉換器并非易事，變壓器需要謹慎的設計，而且眾所周知的右半平面 (RHP) 零點以及光耦合器的傳播延遲會使環路補償復雜化。

標簽： 100V 509 DN 輸入

上傳時間： 2013-11-04

上傳用戶：ouyang426
一款485通訊隔離產品的EMC設計與改善

電子、電氣產品的設計，必須保證在一定的電磁環境中能正常工作，既滿足標準規定的抗干擾極限值要求，在受到一定的電磁干擾時，無性能降級或故障；又要滿足標準規定的電磁輻射極限值的要求，對電磁環境不構成污染。所以，產品設計之初，就要從分析產品預期的電磁環境、干擾源、耦合途徑和敏感部件入手，采用相應的技術措施，抑制干擾源、切斷或削弱耦合途徑，增強敏感部件的抗干擾能力等。文中詳細介紹了一款485通訊隔離產品從輻射超標到順利通過FCC CLASS B認證，在原理設計、PCB制板等多方面所做的各項改進措施。文中所提到的方法及規則，對產品EMC設計具有很大的參考及指導意義。

標簽： 485 EMC 通訊隔離

上傳時間： 2013-10-24

上傳用戶：sz_hjbf
ADUM3200雙通道數字隔離器

ADuM320x是采用ADI公司iCoupler® 技術的雙通道數字隔離器。這些隔離器件將高速CMOS與單芯片變壓器技術融為一體，具有優于光耦合器等替代器件的出色性能特征。 iCoupler器件不用LED和光電二極管，因而不存在一般與光耦合器相關的設計困難。簡單的iCoupler 數字接口和穩定的性能特征，可消除光耦合器通常具有的電流傳輸比不確定、非線性傳遞函數以及溫度和使用壽命影響等問題。這些iCoupler 產品不需要外部驅動器和其它分立器件。此外，在信號數據速率相當的情況下，iCoupler 器件的功耗只有光耦合器的1/10至1/6。 ADuM320x隔離器提供兩個獨立的隔離通道，支持多種通道配置和數據速率（請參考數據手冊“訂購指南”部分）。兩款器件均可采用2.7 V至5.5 V電源電壓工作，與低壓系統兼容，并且能夠跨越隔離柵實現電壓轉換功能。ADuM320x隔離器具有已取得專利的刷新特性，可確保不存在輸入邏輯轉換時及上電/關斷條件下的直流正確性。與ADuM120x隔離器相比，ADuM320x隔離器包含多項電路和布局改進，系統級IEC 61000-4-x測試（ESD、突波和浪涌）顯示其性能大大增強。對于ADuM120x或ADuM320x產品，這些測試的精度主要取決于用戶電路板或模塊的設計與布局。應用 --尺寸至關重要的多通道隔離 --SPI 接口/數據轉換器隔離 --RS-232/RS-422/RS-485收發器隔離 --數字現場總線隔離特性：增強的系統級ESD保護性能，符合IEC 61000-4-x標準工作溫度最高可達：125℃ 8引腳窄體SOIC封裝，符合RoHS標準技術指標：高共模瞬變抗擾度：>25 kV/μs 雙向通信 - 3 V/5 V 電平轉換 - 高數據速率：dc 至 25 Mbps（NRZ）

標簽： ADUM 3200 雙通道數字隔離器

上傳時間： 2013-10-11

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ADuM1200雙通道數字隔離器

ADUM1201: 雙通道數字隔離器（1/1通道方向性） ADuM120x 是采用ADI公司iCoupler® 技術的雙通道數字隔離器。這些隔離器件將高速CMOS與單芯片變壓器技術融為一體，具有優于光耦合器等替代器件的出色性能特征。 iCoupler器件不用LED和光電二極管，因而不存在一般與光耦合器相關的設計困難。簡單的iCoupler 數字接口和穩定的性能特征，可消除光耦合器通常具有的電流傳輸比不確定、非線性傳遞函數以及溫度和使用壽命影響等問題。這些iCoupler產品不需要外部驅動器和其它。特性： 8引腳窄體SOIC封裝，符合RoHS標準低功耗工作雙向通信 3 V/5 V電平轉換工作溫度最高可達125°C

標簽： ADuM 1200 雙通道數字隔離器

上傳時間： 2014-01-17

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S11MD5V中文資料

光敏耦合器

標簽： S11 MD5 11 MD

上傳時間： 2014-01-03

上傳用戶：huanglang
基于級聯多電平逆變器的STATCOM研究

本文提出用級聯多電平逆變器取代變壓器多重化結構的STATCOM 拓撲結構，用載波相移正弦脈寬調制技術(Carrier phase-shifted SPWM，以下簡稱CPS-SPWM)取代工頻調制。這種基于CPS-SPWM 級聯多電平逆變器的STATCOM 不僅去掉了多重化變壓器，而且用較低的開關頻率可以獲得較高的等效開關頻率的輸出效果，簡化了濾波；針對電力系統強耦合、非線性的特征，本文提出了將自抗擾控制應用于STATCOM 裝置的控制策略，此控制策略不但可以大大縮短動態過程，改善系統的動態性能，而且具有較強的魯棒性。

標簽： STATCOM 級聯電平逆變器

上傳時間： 2013-11-20

上傳用戶：maqianfeng
MPP CCD暗電流溫度特性研究

研究了MPP電荷耦合器件(CCD)暗電流和暗電流非均勻性的溫度特性,并與非MPP CCD的暗電流和暗電流非均勻性的溫度特性進行了對比分析。研究結果表明,MPP CCD抑制了表面暗電流,相較于非MPP CCD具有較低的暗電流和暗電流非均勻性,可以承受更高的工作溫度。

標簽： MPP CCD 電流溫度特性

上傳時間： 2013-10-23

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CMOS射頻功率放大器中的變壓器合成技術

設計了一種可在CMOS射頻功率放大器中用于功率合成的寬帶變壓器。通過對變壓器的并聯和串聯兩種功率合成形式進行分析與比較，指出了匝數比、功率單元數目以及寄生電阻對變壓器功率合成性能的影響；提出了一種片上變壓器的設計方法，即采用多層金屬疊層并聯以及將功放單元內置于變壓器線圈中的方式，解決了在CMOS工藝中設計變壓器時面臨的寄生電阻過大及有效耦合長度不足等困難。設計的變壓器在2～3 GHz頻段內的損耗小于1．35 dB，其功率合成效率高達76 以上，適合多模多頻段射頻前端的應用。

標簽： CMOS 射頻功率放大器變壓器合成技術

上傳時間： 2014-12-24

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