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性價(jià)比

高電源抑制比帶隙基準電路設計

介紹一種高電源抑制比帶隙基準電路的設計與驗證

標簽： 高電源抑制帶隙基準電路設計

上傳時間： 2013-10-08

上傳用戶：642778338
一種高電源抑制比全工藝角低溫漂CMOS基準電壓源

基于SMIC0.35 μm的CMOS工藝，設計了一種高電源抑制比，同時可在全工藝角下的得到低溫漂的帶隙基準電路。首先采用一個具有高電源抑制比的基準電壓，通過電壓放大器放大得到穩定的電壓，以提供給帶隙核心電路作為供電電源，從而提高了電源抑制比。另外，將電路中的關鍵電阻設置為可調電阻，從而可以改變正溫度電壓的系數，以適應不同工藝下負溫度系數的變化，最終得到在全工藝角下低溫漂的基準電壓。Cadence virtuoso仿真表明：在27 ℃下，10 Hz時電源抑制比（PSRR）-109 dB，10 kHz時（PSRR）達到-64 dB；在4 V電源電壓下，在-40～80 ℃范圍內的不同工藝角下，溫度系數均可達到5.6×10-6 V/℃以下。

標簽： CMOS 高電源抑制工藝基準電壓源

上傳時間： 2014-12-03

上傳用戶：88mao
透過MOSFET電壓電流最佳化控制傳導性及輻射性EMI

經由改變外部閘極電阻(gate resistors)或增加一個跨在汲極(drain)和源極(source)的小電容來調整MOSFET的di/dt和dv/dt，去觀察它們如何對EMI產生影響。然後我們可了解到如何在效率和EMI之間取得平衡。我們拿一個有著單組輸出+12V/4.1A及初級側MOSFET AOTF11C60 (αMOSII/11A/600V/TO220F) 的50W電源轉接器(adapter)來做傳導性及輻射性EMI測試。

標簽： MOSFET EMI 電壓電流控制

上傳時間： 2014-09-08

上傳用戶：swing
可替代整合型MOSFET的獨立元件

在電源設計中，工程人員時常會面臨控制 IC 驅動電流不足的問題，或者因為閘極驅動損耗導致控制 IC 功耗過大。為解決這些問題，工程人員通常會採用外部驅動器。目前許多半導體廠商都有現成的 MOSFET 積體電路驅動器解決方案，但因為成本考量，工程師往往會選擇比較低價的獨立元件。

標簽： MOSFET 獨立元件

上傳時間： 2013-11-19

上傳用戶：阿譚電器工作室
開關電源占空比學習實例及全圖

開關電源占空比學習實例及全圖

標簽： 開關電源

上傳時間： 2013-10-08

上傳用戶：wtrl
解讀開關電源難點問題

01：開關電源的帶寬是不是越高越好? 02：為什么PFC的帶寬要控制在10~20Hz? 03：用UC3842~45控制的開關電源,其限流點為什么會隨輸入電壓變化? 04：開關電源的帶容性負載能力是不是越大越好? 05：在峰值電流控制中,當占空比大于0.5時,為什么要加斜波補償電路? 06：兩個完全穩定的開關電源,組成系統時,為什么會產生振蕩?

標簽： 開關電源

上傳時間： 2013-10-21

上傳用戶：qingzhuhu
關鍵電源系統可見性及管理

Active Power提供各種系統可見性和管理工具，使您能更好了解有關電源的各種事件并最終提高電源系統的可靠性。從將基本數據集成 Active Power獨有的CleanSource View(CSView)監控軟件，到全托管式遠程監控服務 – 我們都可為您提供相應管理關鍵電源基礎架構所需的系統可見性和服務。

標簽： 關鍵電源

上傳時間： 2013-11-24

上傳用戶：685
一種高電源抑制比帶隙基準電壓源的設計

摘要：采用共源共柵運算放大器作為驅動，設計了一種高電源抑制比和低溫度系數的帶隙基準電壓源電路，并在TSMC0.18Um CMOS工藝下，采用HSPICE進行了仿真.仿真結果表明：在-25耀115益溫度范圍內電路的溫漂系數為9.69伊10-6/益，電源抑制比達到-100dB，電源電壓在2.5耀4.5V之間時輸出電壓Vref的擺動為0.2mV，是一種有效的基準電壓實現方法.關鍵詞：帶隙基準電壓源；電源抑制比；溫度系數

標簽： 高電源抑制帶隙基準電壓源

上傳時間： 2013-11-19

上傳用戶：王成林。
分比功率架構和V•I晶片靈活、優越的功率系統方案

當今電子系統如高端處理器及記憶體，對電源的需求是趨向更低電壓、更高電流的應用。同時、對負載的反應速度也要提高。因此功率系統工程師要面對的挑戰，是要設計出符合系統要求的細小、價廉但高效率的電源系統。而這些要求都不是傳統功率架構能夠完全滿足的。Vicor提出的分比功率架構(Factorized Power Architecture FPA)以及一系列的整合功率元件，可提供革命性的功率轉換方案，應付以上提及的各項挑戰。這些功率元件稱為V•I晶片。

標簽： 8226 分功率架構功率

上傳時間： 2013-11-15

上傳用戶：yan2267246
具有高傳輸比的“泵式”結構矩陣變換器

針對目前矩陣變換器電壓傳輸比多數只能達到0.866的問題，進行了深入研究，設計了一種泵式矩陣變換器結構，使電壓傳輸比任意可調,并從機理上解決了矩陣式變換器的傳輸比低的問題。

標簽： 傳輸矩陣變換器

上傳時間： 2013-11-19

上傳用戶：hanhanj