某些理想的運算放大器配置假定反饋電阻器呈現完美的匹配。而實際上，電阻器的非理想性會對各種電路參數產生影響，例如：共模抑制比 (CMRR)、諧波失真和穩定性
標簽： 502 DN 精準放大器 匹配電阻
上傳時間： 2013-12-19
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為了有效地利用太陽能，有必要對光伏發電系統進行最大功率點跟蹤（MPPT）控制研究。文中以兩級式光伏并網發電系統為研究對象，建立了任意外界環境下的光伏陣列數學模型。由于光伏陣列的非線性輸出特性，將模糊控制思想引入最大功率點跟蹤，提出占空比模糊控制的擾動觀察法的MPPT控制策略，并通過計算機進行仿真驗證。與傳統的占空比擾動觀察法相比較，該方法能夠更加快速、準確地跟蹤上太陽能電池的最大功率點。
標簽： MPPT 模糊控制 光伏發電系統
上傳時間： 2014-01-07
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介紹一種高電源抑制比帶隙基準電路的設計與驗證
標簽： 高電源抑制 帶隙基準 電路設計
上傳時間： 2013-10-08
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基于SMIC0.35 μm的CMOS工藝，設計了一種高電源抑制比，同時可在全工藝角下的得到低溫漂的帶隙基準電路。首先采用一個具有高電源抑制比的基準電壓，通過電壓放大器放大得到穩定的電壓，以提供給帶隙核心電路作為供電電源，從而提高了電源抑制比。另外，將電路中的關鍵電阻設置為可調電阻，從而可以改變正溫度電壓的系數，以適應不同工藝下負溫度系數的變化，最終得到在全工藝角下低溫漂的基準電壓。Cadence virtuoso仿真表明：在27 ℃下，10 Hz時電源抑制比（PSRR）-109 dB，10 kHz時（PSRR）達到-64 dB；在4 V電源電壓下，在-40～80 ℃范圍內的不同工藝角下，溫度系數均可達到5.6×10-6 V/℃以下。
標簽： CMOS 高電源抑制 工藝 基準電壓源
上傳時間： 2014-12-03
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經由改變外部閘極電阻(gate resistors)或增加一個跨在汲極(drain)和源極(source)的小電容來調整MOSFET的di/dt和dv/dt，去觀察它們如何對EMI產生影響。然後我們可了解到如何在效率和EMI之間取得平衡。我們拿一個有著單組輸出+12V/4.1A及初級側MOSFET AOTF11C60 (αMOSII/11A/600V/TO220F) 的50W電源轉接器(adapter)來做傳導性及輻射性EMI測試。
標簽： MOSFET EMI 電壓電流 控制
上傳時間： 2014-09-08
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在電源設計中，工程人員時常會面臨控制 IC 驅動電流不足的問題，或者因為閘極驅動損耗導致控制 IC 功耗過大。為解決這些問題，工程人員通常會採用外部驅動器。目前許多半導體廠商都有現成的 MOSFET 積體電路驅動器解決方案，但因為成本考量，工程師往往會選擇比較低價的獨立元件。
標簽： MOSFET 獨立元件
上傳時間： 2013-11-19
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開關電源占空比學習實例及全圖
標簽： 開關電源
上傳用戶：wtrl
01：開關電源的帶寬是不是越高越好? 02：為什么PFC的帶寬要控制在10~20Hz? 03：用UC3842~45控制的開關電源,其限流點為什么會隨輸入電壓變化? 04：開關電源的帶容性負載能力是不是越大越好? 05：在峰值電流控制中,當占空比大于0.5時,為什么要加斜波補償電路? 06：兩個完全穩定的開關電源,組成系統時,為什么會產生振蕩?
上傳時間： 2013-10-21
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Active Power提供各種系統可見性和管理工具，使您能更好了解有關電源的各種事件并最終提高電源系統的可靠性。從將基本數據集成 Active Power獨有的CleanSource View(CSView)監控軟件，到全托管式遠程監控服務 – 我們都可為您提供相應管理關鍵電源基礎架構所需的系統可見性和服務。
標簽： 關鍵電源
上傳時間： 2013-11-24
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摘要：采用共源共柵運算放大器作為驅動，設計了一種高電源抑制比和低溫度系數的帶隙基準電壓源電路，并在TSMC0.18Um CMOS工藝下，采用HSPICE進行了仿真.仿真結果表明：在-25耀115益溫度范圍內電路的溫漂系數為9.69伊10-6/益，電源抑制比達到-100dB，電源電壓在2.5耀4.5V之間時輸出電壓Vref的擺動為0.2mV，是一種有效的基準電壓實現方法.關鍵詞：帶隙基準電壓源；電源抑制比；溫度系數
標簽： 高電源抑制 帶隙基準 電壓源
上傳用戶：王成林。
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