對低壓差穩(wěn)壓器工作與性能的技術(shù)綜論TI
標簽： 低壓差穩(wěn)壓器 性能
上傳時間： 2013-11-07
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介紹一種基于CSMC0.5 μm工藝的低溫漂高電源抑制比帶隙基準電路。本文在原有Banba帶隙基準電路的基礎(chǔ)上，通過采用共源共柵電流鏡結(jié)構(gòu)和引入負反饋環(huán)路的方法，大大提高了整體電路的電源抑制比。 Spectre仿真分析結(jié)果表明：在-40~100 ℃的溫度范圍內(nèi)，輸出電壓擺動僅為1.7 mV，在低頻時達到100 dB以上的電源抑制比（PSRR），整個電路功耗僅僅只有30 μA。可以很好地應用在低功耗高電源抑制比的LDO芯片設(shè)計中。
上傳時間： 2013-10-27
上傳用戶：thesk123
為了有效地利用太陽能，有必要對光伏發(fā)電系統(tǒng)進行最大功率點跟蹤（MPPT）控制研究。文中以兩級式光伏并網(wǎng)發(fā)電系統(tǒng)為研究對象，建立了任意外界環(huán)境下的光伏陣列數(shù)學模型。由于光伏陣列的非線性輸出特性，將模糊控制思想引入最大功率點跟蹤，提出占空比模糊控制的擾動觀察法的MPPT控制策略，并通過計算機進行仿真驗證。與傳統(tǒng)的占空比擾動觀察法相比較，該方法能夠更加快速、準確地跟蹤上太陽能電池的最大功率點。
標簽： MPPT 模糊控制 光伏發(fā)電系統(tǒng)
上傳時間： 2014-01-07
上傳用戶：ls530720646
C2000™ MCU 系列采用了 32 位架構(gòu)、先進的外圍電路和模擬集成，可在多種應用中實現(xiàn)完美的性能和實時控制。獨特且功能齊全的外圍電路包括一個無以倫比的單片 12.5-MSPS ADC、高分辨率 PWM、增強型捕獲單元等等。根據(jù)對系統(tǒng)的限制，如最低的待機電流、成本要求或最小的解決方案尺寸需求，TI 提供最佳的產(chǎn)品為使用 C2000 MCU 的系統(tǒng)提供支持。
上傳時間： 2013-10-27
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介紹一種高電源抑制比帶隙基準電路的設(shè)計與驗證
上傳時間： 2013-10-08
上傳用戶：642778338
基于SMIC0.35 μm的CMOS工藝，設(shè)計了一種高電源抑制比，同時可在全工藝角下的得到低溫漂的帶隙基準電路。首先采用一個具有高電源抑制比的基準電壓，通過電壓放大器放大得到穩(wěn)定的電壓，以提供給帶隙核心電路作為供電電源，從而提高了電源抑制比。另外，將電路中的關(guān)鍵電阻設(shè)置為可調(diào)電阻，從而可以改變正溫度電壓的系數(shù)，以適應不同工藝下負溫度系數(shù)的變化，最終得到在全工藝角下低溫漂的基準電壓。Cadence virtuoso仿真表明：在27 ℃下，10 Hz時電源抑制比（PSRR）-109 dB，10 kHz時（PSRR）達到-64 dB；在4 V電源電壓下，在-40～80 ℃范圍內(nèi)的不同工藝角下，溫度系數(shù)均可達到5.6×10-6 V/℃以下。
上傳時間： 2014-12-03
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隨著通信信道的復雜度和可靠性不斷增加，人們對于電信系統(tǒng)的要求和期望也不斷提高。這些通信系統(tǒng)高度依賴于高性能、高時鐘頻率和數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器器 件，而這些器件的性能又非常依賴于系統(tǒng)電源軌的質(zhì)量。當使用一個高噪聲電源供電時，時鐘或者轉(zhuǎn)換器 IC 無法達到最高性能。僅僅只是少量的電源噪聲，便會對性能產(chǎn)生極大的負面影響。本文將對一種基本 LDO 拓撲進行仔細研究，找出其主要噪聲源，并給出最小化其輸出噪聲的一些方法。 表明電源品質(zhì)的一個關(guān)鍵參數(shù)是其噪聲輸出，它常見的參考值為 RMS 噪聲測量或者頻譜噪聲密度。為了獲得最低 RMS 噪聲或者最佳頻譜噪聲特性，線性電壓穩(wěn)壓器（例如：低壓降電壓穩(wěn)壓器，LDO），始終比開關(guān)式穩(wěn)壓器有優(yōu)勢。這讓其成為噪聲敏感型應用的選擇。 基本 LDO 拓撲 一個簡單的線性電壓穩(wěn)壓器包含一個基本控制環(huán)路，其負反饋與內(nèi)部參考比較，以提供恒定電壓—與輸入電壓、溫度或者負載電流的變化或者擾動無關(guān)。 圖 1 顯示了一個 LDO 穩(wěn)壓器的基本結(jié)構(gòu)圖。紅色箭頭表示負反饋信號通路。輸出電壓 VOUT 通過反饋電阻 R1 和 R2 分壓，以提供反饋電壓 VFB。VFB 與誤差放大器負輸入端的參考電壓 VREF 比較，提供柵極驅(qū)動電壓 VGATE。最后，誤差信號驅(qū)動輸出晶體管 NFET，以對 VOUT 進行調(diào)節(jié)。 圖 1 LDO 負反饋環(huán)路 簡單噪聲分析以圖 2 作為開始。藍色箭頭表示由常見放大器差異代表的環(huán)路子集（電壓跟隨器或者功率緩沖器）。這種電壓跟隨器電路迫使 VOUT 跟隨 VREF。VFB 為誤差信號，其參考 VREF。在穩(wěn)定狀態(tài)下，VOUT 大于 VREF，其如方程式 1 所描述：
上傳時間： 2013-11-11
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鐵鎳鉬磁粉芯性能曲線
上傳時間： 2013-10-17
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鋰離子電池促進了電動汽車和混合動力汽車的發(fā)展，但要全面實現(xiàn)其潛能需要新一代半導體器件。這類器件必須能夠正確監(jiān)控和管理鋰離子電池，以達到電池應有的性能。否則，充電一次應該行駛200公里的汽車，可能開180公里就走不動了。同樣重要的是，新的半導體監(jiān)控器件必須能夠可靠檢測電池故障。這意味著，在監(jiān)控每節(jié)鋰離子電池的同時，對監(jiān)控系統(tǒng)本身進行監(jiān)控。
標簽： 鋰離子電池 監(jiān)控系統(tǒng) 安全性 電池性能
上傳時間： 2013-11-15
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鋰離子電池是一種應用廣泛的可充電電池，相對性能比較好，特別是鋰離子動力電池已成為工業(yè)化環(huán)境中的新能源。隨著其使用面的擴大，對鋰離子動力電池的性能選擇、充放電的安全保護顯得愈發(fā)重要。
上傳時間： 2013-11-11
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