在理論模型的基礎上探討了電子勢壘的形狀以及勢壘形狀隨外加電壓的變化, 并進行定量計算, 得出隧穿電壓隨雜質摻雜濃度的變化規律。所得結論與硅、鍺p-n 結實驗數據相吻合, 證明了所建立的理論模型在定量 研究p-n 結的隧道擊穿中的合理性與實用性。該理論模型對研究一般材料或器件的隧道擊穿具有重要的借鑒意義。
標簽： p-n 隧道 擊穿 模型研究
上傳時間： 2013-10-31
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N+緩沖層設計對PT-IGBT器件特性的影響至關重要。文中利用Silvaco軟件對PT-IGBT的I-V特性進行仿真。提取相同電流密度下，不同N+緩沖層摻雜濃度PT-IGBT的通態壓降，得到了通態壓降隨N+緩沖層摻雜濃度變化的曲線，該仿真結果與理論分析一致。對于PT-IGBT結構，N+緩沖層濃度及厚度存在最優值，只要合理的選取可以有效地降低通態壓降。
標簽： PT-IGBT 緩沖層
上傳時間： 2013-11-12
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X電容和Y電容的使用及注意方法
標簽： X電容 Y電容
上傳時間： 2013-11-22
上傳用戶：sevenbestfei
介紹X,Y電容的一片通俗易懂的資料
標簽： 電容
上傳時間： 2013-10-30
上傳用戶：teddysha
電子變壓器是電源設備中的重要元件，它的漏感對整流電路、變壓器的發熱情況和周圍電路等都有較大影響，高頻時的影響更加顯著。因此，在設計電子變壓器過程中，漏感計算的準確度就成為衡量一個設計方案優劣的主要指標之一。電子變壓器和電力變壓器的工作都基于電磁感應原理，因此可借助電力變壓器中計算漏感的思路計算電子變壓器的漏感，但是它們無論在鐵心、繞組，還是絕緣結構的設計上，都有顯著的差別，這就決定了它們之間計算的差別。
標簽： 電子變壓器 漏感 計算
上傳時間： 2013-11-21
上傳用戶：ssz1990
找一塊電源仔細看一下，在電源部分中，跨接L-N之間的小方塊（單位是μF）電容就是X電容，通常在是電源入口的第一個；同樣，在電源部分的跨接L-PE和N-PE之間的藍色的安規電容（單位pF）就是Y電容，通常是成對出現的。 或者你可以形象的看，X電容具有2個輸入端，2個輸出端，很象X；Y電容具有一個輸入端，一個輸出端以及一個公共的大地，很象一個Y 沒有什么概念的，一個在差模回路上，一個在共模回路上，X、Y的名稱純粹是一個稱呼，就象是X和Y軸一樣 X電容主要用于流電源線路中，此時當電容失時不致產生線間放電。X電容器的測試條件是：在交流電壓的有效值*1.5的電壓下工作100Hour；再加上1KV的高壓測試。Y電容器在一旦失效會導致放電危險（尤其是對外殼）時是強制使用的。Y類型電容器的測試條件是：在交流電壓的有效值*1.7的電壓下工作100Hour，加上2KV高壓測試。如果電容器用于不接地的II類產品中，則要增加至4KV。
標簽： 電源 濾波設計
上傳時間： 2013-10-24
上傳用戶：1583264429
隨著我國通信、電力事業的發展，通信、電力網絡的規模越來越大，系統越來越復雜。與之相應的對交流供電的可靠性、靈活性、智能化、免維護越來越重要。在中國通信、電力網絡中，傳統的交流供電方案是以UPS或單機式逆變器提供純凈不間斷的交流電源。由于控制技術的進步、完善，（N+X）熱插拔模塊并聯逆變電源已經非常成熟、可靠；在歐美的通信、電力發達的國家，各大通信運營商、電力供應商、軍隊均大量應用了這種更合理的供電方案。與其它方案相比較，（N+X）熱插拔模塊并聯逆變電源具有以下明顯的優點。
標簽： 熱插拔 模塊 并聯 應用前景
上傳時間： 2014-03-24
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HT45F23 MCU 為用戶提供兩組獨立的比較器，並都由軟體控制，輸入輸出口安排靈活，均 與I/O 共用引腳。本文著重介紹HT45F23 比較器的功能使用的相關設定與應用方式。
標簽： Comparator 45F F23 HT
上傳時間： 2013-10-16
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具備處理外部模擬信號功能是很多電子設備的基本要求。為了將模擬信號轉換為數字信 號，就需要藉助A/D 轉換器。將A/D 功能和MCU 整合在一起，就可減少電路的元件數量和 電路板的空間使用。 HT45F23 微控制器內建6 通道，12 位解析度的A/D 轉換器。在本應用說明中，將介紹如何 使用HT45F23 微控制器的A/D 功能。
標簽： 45F F23 ADC HT
上傳時間： 2013-10-27
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適用于51單片機的串口發n
標簽： 51單片機 串口 字節
上傳時間： 2014-12-25
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