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FPGA/SOPC開(kāi)發(fā)教程,片上系統(tǒng)快速入門(mén)教程

FPGA/SOPC開(kāi)發(fā)教程,片上系統(tǒng)快速入門(mén)教程

標(biāo)簽： FPGA SOPC 開(kāi)發(fā)教程 片上系統(tǒng)

上傳時(shí)間： 2013-08-12

上傳用戶(hù)：redmoons

FPGA可促進(jìn)嵌入式系統(tǒng)設(shè)計(jì)改善即時(shí)應(yīng)用性能

FPGA可促進(jìn)嵌入式系統(tǒng)設(shè)計(jì)改善即時(shí)應(yīng)用性能，臺(tái)灣人寫(xiě)的，關(guān)于FPGA應(yīng)用的技術(shù)文章

標(biāo)簽： FPGA 嵌入式 系統(tǒng) 性能

上傳時(shí)間： 2013-08-20

上傳用戶(hù)：liuwei6419

用兩片AVR（ATmega16）單片機(jī)

用兩片AVR（ATmega16）單片機(jī) 實(shí)現(xiàn)雙機(jī)通信（雙向，并帶反饋）。開(kāi)發(fā)環(huán)境為ICCAVR。文件中不但有完整的源代碼，還有用PROTEUS作的仿真圖。

標(biāo)簽： ATmega AVR 16 單片機(jī)

上傳時(shí)間： 2013-09-27

上傳用戶(hù)：m62383408

基于BCB鍵合的MEMS加速度計(jì)圓片級(jí)封裝工藝

　　對(duì)基于BCB的圓片級(jí)封裝工藝進(jìn)行了研究，該工藝代表了MEMS加速度計(jì)傳感器封裝的發(fā)展趨勢(shì)，是MEMS加速度計(jì)產(chǎn)業(yè)化的關(guān)鍵。選用3000系列BCB材料進(jìn)行MEMS傳感器的粘結(jié)鍵合工藝試驗(yàn)，解決了圓片級(jí)封裝問(wèn)題，在低溫250 ℃和適當(dāng)壓力輔助下≤2.5 bar（1 bar=100 kPa）實(shí)現(xiàn)了加速度計(jì)的圓片級(jí)封裝，并對(duì)相關(guān)的旋涂、鍵合、氣氛、壓力等諸多工藝參數(shù)進(jìn)行了優(yōu)化。

標(biāo)簽： MEMS BCB 鍵合 加速度計(jì)

上傳時(shí)間： 2013-11-17

上傳用戶(hù)：JasonC

x電容和y電容介紹

X電容是指跨于L-N之間的電容器， Y電容是指跨于L-G/N-G之間的電容器。(L=Line, N=Neutral, G=Ground).

標(biāo)簽： 電容

上傳時(shí)間： 2014-12-23

上傳用戶(hù)：haohao

ICL8038 單片函數(shù)發(fā)生器

ICL8038 單片函數(shù)發(fā)生器

標(biāo)簽： 8038 ICL 函數(shù)發(fā)生器

上傳時(shí)間： 2014-12-23

上傳用戶(hù)：wushengwu

PADS制作鍋?zhàn)衅馕?/a>

標(biāo)簽： PADS

上傳時(shí)間： 2013-11-18

上傳用戶(hù)：michael20

IC封裝製程簡(jiǎn)介(IC封裝制程簡(jiǎn)介)

半導(dǎo)體的產(chǎn)品很多，應(yīng)用的場(chǎng)合非常廣泛，圖一是常見(jiàn)的幾種半導(dǎo)體元件外型。半導(dǎo)體元件一般是以接腳形式或外型來(lái)劃分類(lèi)別，圖一中不同類(lèi)別的英文縮寫(xiě)名稱(chēng)原文為   PDID：Plastic Dual Inline Package SOP：Small Outline Package SOJ：Small Outline J-Lead Package PLCC：Plastic Leaded Chip Carrier QFP：Quad Flat Package PGA：Pin Grid Array BGA：Ball Grid Array         雖然半導(dǎo)體元件的外型種類(lèi)很多，在電路板上常用的組裝方式有二種，一種是插入電路板的銲孔或腳座，如PDIP、PGA，另一種是貼附在電路板表面的銲墊上，如SOP、SOJ、PLCC、QFP、BGA。    從半導(dǎo)體元件的外觀(guān)，只看到從包覆的膠體或陶瓷中伸出的接腳，而半導(dǎo)體元件真正的的核心，是包覆在膠體或陶瓷內(nèi)一片非常小的晶片，透過(guò)伸出的接腳與外部做資訊傳輸。圖二是一片EPROM元件，從上方的玻璃窗可看到內(nèi)部的晶片，圖三是以顯微鏡將內(nèi)部的晶片放大，可以看到晶片以多條銲線(xiàn)連接四周的接腳，這些接腳向外延伸並穿出膠體，成為晶片與外界通訊的道路。請(qǐng)注意圖三中有一條銲線(xiàn)從中斷裂，那是使用不當(dāng)引發(fā)過(guò)電流而燒毀，致使晶片失去功能，這也是一般晶片遭到損毀而失效的原因之一。   圖四是常見(jiàn)的LED，也就是發(fā)光二極體，其內(nèi)部也是一顆晶片，圖五是以顯微鏡正視LED的頂端，可從透明的膠體中隱約的看到一片方型的晶片及一條金色的銲線(xiàn)，若以L(fǎng)ED二支接腳的極性來(lái)做分別，晶片是貼附在負(fù)極的腳上，經(jīng)由銲線(xiàn)連接正極的腳。當(dāng)LED通過(guò)正向電流時(shí)，晶片會(huì)發(fā)光而使LED發(fā)亮，如圖六所示。     半導(dǎo)體元件的製作分成兩段的製造程序，前一段是先製造元件的核心─晶片，稱(chēng)為晶圓製造；後一段是將晶中片加以封裝成最後產(chǎn)品，稱(chēng)為IC封裝製程，又可細(xì)分成晶圓切割、黏晶、銲線(xiàn)、封膠、印字、剪切成型等加工步驟，在本章節(jié)中將簡(jiǎn)介這兩段的製造程序。

標(biāo)簽： 封裝 IC封裝 制程

上傳時(shí)間： 2014-01-20

上傳用戶(hù)：蒼山觀(guān)海

一種無(wú)片外電容LDO的穩(wěn)定性分析

電路如果存在不穩(wěn)定性因素，就有可能出現(xiàn)振蕩。本文對(duì)比分析了傳統(tǒng)LDO和無(wú)片電容LDO的零極點(diǎn)，運(yùn)用電流緩沖器頻率補(bǔ)償設(shè)計(jì)了一款無(wú)片外電容LDO，電流緩沖器頻率補(bǔ)償不僅可減小片上補(bǔ)償電容而且可以增加帶寬。對(duì)理論分析結(jié)果在Cadence平臺(tái)基上于CSMC0.5um工藝對(duì)電路進(jìn)行了仿真驗(yàn)證。本文無(wú)片外電容LDO的片上補(bǔ)償電容僅為3 pF，減小了制造成本。它的電源電壓為3.5~6 V，輸出電壓為3.5 V。當(dāng)在輸入電源電壓6 V時(shí)輸出電流從100 μA到100 mA變化時(shí)，最小相位裕度為830，最小帶寬為4.58 MHz

標(biāo)簽： LDO 無(wú)片外電容 穩(wěn)定性分析

上傳時(shí)間： 2014-12-24

上傳用戶(hù)：wangjin2945

反激式控制器改善了多輸出應(yīng)用的交叉調(diào)節(jié)性能

反激式轉(zhuǎn)換器通常應(yīng)用於具有多個(gè)輸出電壓並要求中低輸出功率的電源。配合采用一個(gè)反激式轉(zhuǎn)換器，多輸出僅增加極少的成本或復(fù)雜度––– 每個(gè)額外的輸出僅要求另一個(gè)變壓器繞組、整流器和輸出濾波電容器。

標(biāo)簽： 反激式控制器 輸出 調(diào)節(jié) 性能

上傳時(shí)間： 2013-11-22

上傳用戶(hù)：3294322651