提出了一個(gè)考慮ＦＰ 效應(yīng)的半導(dǎo)體材料參數(shù)測(cè)量方案。利用該方案可以在時(shí)域波形中，截取多個(gè)反射回峰，以提高材料參數(shù)提取的精確度。另外，考慮到多重反射對(duì)樣品厚度的準(zhǔn)確性要求較高，提出了一種有效的厚度優(yōu)化方法。以ＧａＡｓ 為待測(cè)樣品，利用上述方法精確提取了其折射率與消光系數(shù)譜.
標(biāo)簽：
太赫茲
光譜
半導(dǎo)體材料
參數(shù)測(cè)量
上傳時(shí)間：
2013-12-16
上傳用戶：alan-ee
