放墨香商業(yè)版本， 巨陵-蠻牛掉元寶,願(yuàn)意打的就是高手 開(kāi)放包袱商人會(huì)帶備稀而物品給各位大俠購(gòu)買(mǎi) 本服轉(zhuǎn)身請(qǐng)登入官網(wǎng)轉(zhuǎn)身 本服遊戲幣個(gè)人上限是40億 如果帶多了 轉(zhuǎn)圖重登都會(huì)變回40億 全球最強(qiáng)防外掛系統(tǒng),打造2016年最公平的墨湘 本服承諾,絕無(wú)任何嚴(yán)重bug,保證遊戲穩(wěn)定運(yùn)行 本服禁止空白名,定期自動(dòng)清理帶空名的玩家
標(biāo)簽： 墨香
上傳時(shí)間： 2016-04-11
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在互補(bǔ)式金氧半(CMOS)積體電路中，隨著量產(chǎn)製程的演進(jìn)，元件的尺寸已縮減到深次微 米(deep-submicron)階段，以增進(jìn)積體電路(IC)的性能及運(yùn)算速度，以及降低每顆晶片的製造 成本。但隨著元件尺寸的縮減，卻出現(xiàn)一些可靠度的問(wèn)題。 在次微米技術(shù)中，為了克服所謂熱載子(Hot-Carrier)問(wèn)題而發(fā)展出 LDD(Lightly-Doped Drain) 製程與結(jié)構(gòu); 為了降低 CMOS 元件汲極(drain)與源極(source)的寄生電阻(sheet resistance) Rs 與 Rd，而發(fā)展出 Silicide 製程; 為了降低 CMOS 元件閘級(jí)的寄生電阻 Rg，而發(fā)展出 Polycide 製 程 ; 在更進(jìn)步的製程中把 Silicide 與 Polycide 一起製造，而發(fā)展出所謂 Salicide 製程
標(biāo)簽： Protection CMOS ESD ICs in
上傳時(shí)間： 2020-06-05
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SSL測(cè)試技朮說(shuō)明文檔﹐解決SSL測(cè)試相關(guān)問(wèn)題﹐英文。
上傳時(shí)間： 2013-12-09
上傳用戶：894898248
:::::::讀心術(shù)::::::: “吉普賽人祖?zhèn)鞯纳衿孀x心術(shù).它能測(cè)算出你的內(nèi)心感應(yīng)”
標(biāo)簽：
上傳時(shí)間： 2015-08-27
上傳用戶：s363994250
網(wǎng)絡(luò)奇技贏巧大搜捕
標(biāo)簽： 網(wǎng)絡(luò)
上傳時(shí)間： 2013-04-15
上傳用戶：eeworm
專(zhuān)輯類(lèi)-網(wǎng)絡(luò)及電腦相關(guān)專(zhuān)輯-114冊(cè)-4.31G 網(wǎng)絡(luò)奇技贏巧大搜捕.pdf
標(biāo)簽： 網(wǎng)絡(luò)
上傳時(shí)間： 2013-07-25
上傳用戶：小寶愛(ài)考拉
探地雷達(dá)回波信號(hào)是一種非平穩(wěn)非線性信號(hào)，其中不僅包含地下埋藏物的目標(biāo)信號(hào)，還包含有可能掩藏目標(biāo)信號(hào)的直達(dá)波信號(hào)，給目標(biāo)的識(shí)別帶來(lái)困難。文中采用HHT方法對(duì)探地雷達(dá)回波信號(hào)進(jìn)行特征分析，提取回波信號(hào)的IMF分量的瞬時(shí)頻率作為特征向量。實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明，用HHT方法提取特征可較好的避免直達(dá)波影響，該方法是可行而有效的，為進(jìn)一步鑒別地下埋藏物提供了新的思想和方法。
標(biāo)簽： HHT 探地雷達(dá) 回波信號(hào) 特征提取
上傳時(shí)間： 2013-10-22
上傳用戶：hjkhjk
PCB LAYOUT 術(shù)語(yǔ)解釋(TERMS)1. COMPONENT SIDE(零件面、正面)︰大多數(shù)零件放置之面。2. SOLDER SIDE(焊錫面、反面)。3. SOLDER MASK(止焊膜面)︰通常指Solder Mask Open 之意。4. TOP PAD︰在零件面上所設(shè)計(jì)之零件腳PAD，不管是否鑽孔、電鍍。5. BOTTOM PAD：在銲錫面上所設(shè)計(jì)之零件腳PAD，不管是否鑽孔、電鍍。6. POSITIVE LAYER：?jiǎn)巍㈦p層板之各層線路；多層板之上、下兩層線路及內(nèi)層走線皆屬之。7. NEGATIVE LAYER：通常指多層板之電源層。8. INNER PAD：多層板之POSITIVE LAYER 內(nèi)層PAD。9. ANTI-PAD：多層板之NEGATIVE LAYER 上所使用之絕緣範(fàn)圍，不與零件腳相接。10. THERMAL PAD：多層板內(nèi)NEGATIVE LAYER 上必須零件腳時(shí)所使用之PAD，一般稱(chēng)為散熱孔或?qū)住?1. PAD (銲墊)：除了SMD PAD 外，其他PAD 之TOP PAD、BOTTOM PAD 及INNER PAD 之形狀大小皆應(yīng)相同。12. Moat : 不同信號(hào)的 Power& GND plane 之間的分隔線13. Grid : 佈線時(shí)的走線格點(diǎn)2. Test Point : ATE 測(cè)試點(diǎn)供工廠ICT 測(cè)試治具使用ICT 測(cè)試點(diǎn) LAYOUT 注意事項(xiàng):PCB 的每條TRACE 都要有一個(gè)作為測(cè)試用之TEST PAD(測(cè)試點(diǎn))，其原則如下：1. 一般測(cè)試點(diǎn)大小均為30-35mil，元件分布較密時(shí)，測(cè)試點(diǎn)最小可至30mil.測(cè)試點(diǎn)與元件PAD 的距離最小為40mil。2. 測(cè)試點(diǎn)與測(cè)試點(diǎn)間的間距最小為50-75mil，一般使用75mil。密度高時(shí)可使用50mil,3. 測(cè)試點(diǎn)必須均勻分佈於PCB 上，避免測(cè)試時(shí)造成板面受力不均。4. 多層板必須透過(guò)貫穿孔(VIA)將測(cè)試點(diǎn)留於錫爐著錫面上(Solder Side)。5. 測(cè)試點(diǎn)必需放至於Bottom Layer6. 輸出test point report(.asc 檔案powerpcb v3.5)供廠商分析可測(cè)率7. 測(cè)試點(diǎn)設(shè)置處:Setuppadsstacks
標(biāo)簽： layout design pcb 硬件工程師
上傳時(shí)間： 2013-10-22
上傳用戶：pei5
LAYOUT REPORT .............. 1 目錄.................. 1 1. PCB LAYOUT 術(shù)語(yǔ)解釋(TERMS)......... 2 2. Test Point : ATE 測(cè)試點(diǎn)供工廠ICT 測(cè)試治具使用............ 2 3. 基準(zhǔn)點(diǎn) (光學(xué)點(diǎn)) -for SMD:........... 4 4. 標(biāo)記 (LABEL ING)......... 5 5. VIA HOLE PAD................. 5 6. PCB Layer 排列方式...... 5 7.零件佈置注意事項(xiàng) (PLACEMENT NOTES)............... 5 8. PCB LAYOUT 設(shè)計(jì)............ 6 9. Transmission Line ( 傳輸線 )..... 8 10.General Guidelines – 跨Plane.. 8 11. General Guidelines – 繞線....... 9 12. General Guidelines – Damping Resistor. 10 13. General Guidelines - RJ45 to Transformer................. 10 14. Clock Routing Guideline........... 12 15. OSC & CRYSTAL Guideline........... 12 16. CPU
上傳時(shí)間： 2013-12-20
上傳用戶：康郎
PC電源測(cè)試系統(tǒng)chroma8000簡(jiǎn)介
標(biāo)簽： chroma 8000 電源測(cè)試系統(tǒng)
上傳時(shí)間： 2013-11-08
上傳用戶：xiehao13
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