越柬越多的應(yīng)用 例如過程控制、稱重等 都需要高分辨率、高集成度和低價格的ADC。 新型Σ ．△轉(zhuǎn)換技術(shù)恰好可以滿足這些要求 然而， 很多設(shè)計者對于這種轉(zhuǎn)換技術(shù)并不 分了解， 因而更愿意選用傳統(tǒng)的逐次比較ADC Σ．A轉(zhuǎn)換器中的模擬部分非常簡單(類似j 個Ibit ADC)， 而數(shù)字部分要復(fù)雜得多， 按照功能町劃分為數(shù)字濾波和抽取單元 由于更接近r 個數(shù)字器件，Σ △ADC的制造成本非常低廉.
標(biāo)簽： ADC
上傳時間： 2013-10-24
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BP8Y系列頻敏變阻器(以下簡稱變阻器)專用于電機(jī)功率1.5~200kW，頻率為50Hz的YZR系列起重及冶金用三相異步電動機(jī)頻繁操作條件下的起動及反接設(shè)備。該變阻器直接連接于異步電動機(jī)的轉(zhuǎn)子回路中， 不需另裝接觸器等短接設(shè)備；能使電動機(jī)獲得接近恒轉(zhuǎn)矩的機(jī)械特性，是極為理想的起動元件。
上傳時間： 2013-11-04
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虛短和虛斷的概念 由于運(yùn)放的電壓放大倍數(shù)很大，一般通用型運(yùn)算放大器的開環(huán)電壓放大倍數(shù)都在80 dB以上。而運(yùn)放的輸出電壓是有限的，一般在 10 V～14 V。因此運(yùn)放的差模輸入電壓不足1 mV，兩輸入端近似等電位，相當(dāng)于 “短路”。開環(huán)電壓放大倍數(shù)越大，兩輸入端的電位越接近相等。 “虛短”是指在分析運(yùn)算放大器處于線性狀態(tài)時，可把兩輸入端視為等電位，這一特性稱為虛假短路，簡稱虛短。顯然不能將兩輸入端真正短路。 由于運(yùn)放的差模輸入電阻很大，一般通用型運(yùn)算放大器的輸入電阻都在1MΩ以上。因此流入運(yùn)放輸入端的電流往往不足1uA，遠(yuǎn)小于輸入端外電路的電流。故 通常可把運(yùn)放的兩輸入端視為開路，且輸入電阻越大，兩輸入端越接近開路。“虛斷”是指在分析運(yùn)放處于線性狀態(tài)時，可以把兩輸入端視為等效開路，這一特性 稱為虛假開路，簡稱虛斷。顯然不能將兩輸入端真正斷路。 在分析運(yùn)放電路工作原理時，首先請各位暫時忘掉什么同向放大、反向放大，什么加法器、減法器，什么差動輸入……暫時忘掉那些輸入輸出關(guān)系的公式……這些東東只會干擾你，讓你更糊涂﹔也請各位暫時不要理會輸入偏置電流、共模抑制比、失調(diào)電壓等電路參數(shù)，這是設(shè)計者要考慮的事情。我們理解的就是理想放大器(其實(shí)在維修中和大多數(shù)設(shè)計過程中，把實(shí)際放大器當(dāng)做理想放大器來分析也不會有問題)。
標(biāo)簽： 運(yùn)算放大器 虛斷
上傳時間： 2013-11-04
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第一章 傳輸線理論一 傳輸線原理二 微帶傳輸線三 微帶傳輸線之不連續(xù)分析第二章 被動組件之電感設(shè)計與分析一 電感原理二 電感結(jié)構(gòu)與分析三 電感設(shè)計與模擬四 電感分析與量測傳輸線理論與傳統(tǒng)電路學(xué)之最大不同，主要在于組件之尺寸與傳導(dǎo)電波之波長的比值。當(dāng)組件尺寸遠(yuǎn)小于傳輸線之電波波長時，傳統(tǒng)的電路學(xué)理論才可以使用，一般以傳輸波長（Guide wavelength）的二十分之ㄧ（λ/20）為最大尺寸，稱為集總組件（Lumped elements）；反之，若組件的尺寸接近傳輸波長，由于組件上不同位置之電壓或電流的大小與相位均可能不相同，因而稱為散布式組件（Distributed elements）。 由于通訊應(yīng)用的頻率越來越高，相對的傳輸波長也越來越小，要使電路之設(shè)計完全由集總組件所構(gòu)成變得越來越難以實(shí)現(xiàn)，因此，運(yùn)用散布式組件設(shè)計電路也成為無法避免的選擇。 當(dāng)然，科技的進(jìn)步已經(jīng)使得集總組件的制作變得越來越小，例如運(yùn)用半導(dǎo)體制程、高介電材質(zhì)之低溫共燒陶瓷（LTCC）、微機(jī)電（MicroElectroMechanical Systems, MEMS）等技術(shù)制作集總組件，然而，其中電路之分析與設(shè)計能不乏運(yùn)用到散布式傳輸線的理論，如微帶線（Microstrip Lines）、夾心帶線（Strip Lines）等的理論。因此，本章以討論散布式傳輸線的理論開始，進(jìn)而以微帶傳輸線為例介紹其理論與公式，并討論微帶傳輸線之各種不連續(xù)之電路，以作為后續(xù)章節(jié)之被動組件的運(yùn)用。
標(biāo)簽： 傳輸線
上傳時間： 2014-01-10
上傳用戶：sunshie
PCB LAYOUT 術(shù)語解釋(TERMS)1. COMPONENT SIDE(零件面、正面)︰大多數(shù)零件放置之面。2. SOLDER SIDE(焊錫面、反面)。3. SOLDER MASK(止焊膜面)︰通常指Solder Mask Open 之意。4. TOP PAD︰在零件面上所設(shè)計之零件腳PAD，不管是否鑽孔、電鍍。5. BOTTOM PAD：在銲錫面上所設(shè)計之零件腳PAD，不管是否鑽孔、電鍍。6. POSITIVE LAYER：單、雙層板之各層線路；多層板之上、下兩層線路及內(nèi)層走線皆屬之。7. NEGATIVE LAYER：通常指多層板之電源層。8. INNER PAD：多層板之POSITIVE LAYER 內(nèi)層PAD。9. ANTI-PAD：多層板之NEGATIVE LAYER 上所使用之絕緣範(fàn)圍，不與零件腳相接。10. THERMAL PAD：多層板內(nèi)NEGATIVE LAYER 上必須零件腳時所使用之PAD，一般稱為散熱孔或?qū)住?1. PAD (銲墊)：除了SMD PAD 外，其他PAD 之TOP PAD、BOTTOM PAD 及INNER PAD 之形狀大小皆應(yīng)相同。12. Moat : 不同信號的 Power& GND plane 之間的分隔線13. Grid : 佈線時的走線格點(diǎn)2. Test Point : ATE 測試點(diǎn)供工廠ICT 測試治具使用ICT 測試點(diǎn) LAYOUT 注意事項:PCB 的每條TRACE 都要有一個作為測試用之TEST PAD(測試點(diǎn))，其原則如下：1. 一般測試點(diǎn)大小均為30-35mil，元件分布較密時，測試點(diǎn)最小可至30mil.測試點(diǎn)與元件PAD 的距離最小為40mil。2. 測試點(diǎn)與測試點(diǎn)間的間距最小為50-75mil，一般使用75mil。密度高時可使用50mil,3. 測試點(diǎn)必須均勻分佈於PCB 上，避免測試時造成板面受力不均。4. 多層板必須透過貫穿孔(VIA)將測試點(diǎn)留於錫爐著錫面上(Solder Side)。5. 測試點(diǎn)必需放至於Bottom Layer6. 輸出test point report(.asc 檔案powerpcb v3.5)供廠商分析可測率7. 測試點(diǎn)設(shè)置處:Setuppadsstacks
標(biāo)簽： layout design pcb 硬件工程師
上傳時間： 2013-10-22
上傳用戶：pei5
本文將接續(xù)介紹電源與功率電路基板，以及數(shù)字電路基板導(dǎo)線設(shè)計。寬帶與高頻電路基板導(dǎo)線設(shè)計a.輸入阻抗1MHz，平滑性(flatness)50MHz 的OP增幅器電路基板圖26 是由FET 輸入的高速OP 增幅器OPA656 構(gòu)成的高輸入阻抗OP 增幅電路，它的gain取決于R1、R2，本電路圖的電路定數(shù)為2 倍。此外為改善平滑性特別追加設(shè)置可以加大噪訊gain，抑制gain-頻率特性高頻領(lǐng)域時峰值的R3。圖26 高輸入阻抗的寬帶OP增幅電路圖27 是高輸入阻抗OP 增幅器的電路基板圖案。降低高速OP 增幅器反相輸入端子與接地之間的浮游容量非常重要，所以本電路的浮游容量設(shè)計目標(biāo)低于0.5pF。如果上述部位附著大浮游容量的話，會成為高頻領(lǐng)域的頻率特性產(chǎn)生峰值的原因，嚴(yán)重時頻率甚至?xí)驗閒eedback 阻抗與浮游容量，造成feedback 信號的位相延遲，最后導(dǎo)致頻率特性產(chǎn)生波動現(xiàn)象。此外高輸入阻抗OP 增幅器輸入部位的浮游容量也逐漸成為問題，圖27 的電路基板圖案的非反相輸入端子部位無full ground設(shè)計，如果有外部噪訊干擾之虞時，接地可設(shè)計成網(wǎng)格狀(mesh)。圖28 是根據(jù)圖26 制成的OP 增幅器Gain－頻率特性測試結(jié)果，由圖可知即使接近50MHz頻率特性非常平滑，-3dB cutoff頻率大約是133MHz。
標(biāo)簽： PCB
上傳時間： 2013-11-13
上傳用戶：hebanlian
LAYOUT REPORT .............. 1 目錄.................. 1 1. PCB LAYOUT 術(shù)語解釋(TERMS)......... 2 2. Test Point : ATE 測試點(diǎn)供工廠ICT 測試治具使用............ 2 3. 基準(zhǔn)點(diǎn) (光學(xué)點(diǎn)) -for SMD:........... 4 4. 標(biāo)記 (LABEL ING)......... 5 5. VIA HOLE PAD................. 5 6. PCB Layer 排列方式...... 5 7.零件佈置注意事項 (PLACEMENT NOTES)............... 5 8. PCB LAYOUT 設(shè)計............ 6 9. Transmission Line ( 傳輸線 )..... 8 10.General Guidelines – 跨Plane.. 8 11. General Guidelines – 繞線....... 9 12. General Guidelines – Damping Resistor. 10 13. General Guidelines - RJ45 to Transformer................. 10 14. Clock Routing Guideline........... 12 15. OSC & CRYSTAL Guideline........... 12 16. CPU
上傳時間： 2013-12-20
上傳用戶：康郎
隨著許多手持式設(shè)備的性能逐漸接近膝上型電腦，其設(shè)計復(fù)雜性也在增加。
標(biāo)簽： 手持式設(shè)備 高功率 電池充電器
上傳時間： 2013-10-10
上傳用戶：蒼山觀海
針對開關(guān)電源中的整流電路和其本身的非線性負(fù)載特性產(chǎn)生大量諧波污染公共電網(wǎng)問題，提出了一種高功率因素校正電路。采用英飛凌（Infineon）公司的CCM控制模式功率因素校正芯片ICE2PCS01控制驅(qū)動MOSFET開關(guān)管，并與升壓電感、輸出電容等組成Boost拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，輸入電流與基準(zhǔn)電流比較后的誤差電流經(jīng)過放大，再與PWM波比較，得到開關(guān)管驅(qū)動信號，快速而精確地使輸入電流平均值與輸入整流電壓同相位，接近正弦波。結(jié)果表明，該電路方案能大大減小輸入電流的諧波分量，在AC176V-264V的寬電壓輸入范圍內(nèi)得到穩(wěn)定的DC380V輸出，功率因素高達(dá)0.98。
上傳時間： 2014-01-25
上傳用戶：13517191407
高功率轉(zhuǎn)換開關(guān)是限制大功率高壓脈沖調(diào)制器重復(fù)運(yùn)行頻率的關(guān)鍵因素。為避免高功率轉(zhuǎn)換開關(guān)的使用，開展了基于感應(yīng)疊加原理的高壓充電電源初步研究。建立了構(gòu)成感應(yīng)疊加充電電源基本單元的脈沖變壓器調(diào)制電路的數(shù)學(xué)模型，確立了變壓器磁芯截面的設(shè)計原則，以IGBT作為調(diào)制器的轉(zhuǎn)換開關(guān)，開展了2級感應(yīng)疊加充電電源的初步實(shí)驗研究。實(shí)驗表明與單元脈沖變壓器輸出電壓相比，升壓系數(shù)接近2，波形沒有發(fā)生畸變。
上傳時間： 2013-11-15
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