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損耗

  • 磁芯電感器的諧波失真分析

    磁芯電感器的諧波失真分析 摘  要:簡(jiǎn)述了改進(jìn)鐵氧體軟磁材料比損耗系數(shù)和磁滯常數(shù)ηB,從而降低總諧波失真THD的歷史過(guò)程,分析了諸多因數(shù)對(duì)諧波測(cè)量的影響,提出了磁心性能的調(diào)控方向。 關(guān)鍵詞:比損耗系數(shù), 磁滯常數(shù)ηB ,直流偏置特性DC-Bias,總諧波失真THD  Analysis on THD of the fer rite co res u se d i n i nductancShi Yan Nanjing Finemag Technology Co. Ltd., Nanjing 210033   Abstract:    Histrory of decreasing THD by improving the ratio loss coefficient and hysteresis constant of soft magnetic ferrite is briefly narrated. The effect of many factors which affect the harmonic wave testing is analysed. The way of improving the performance of ferrite cores is put forward.  Key words: ratio loss coefficient,hysteresis constant,DC-Bias,THD  近年來(lái),變壓器生產(chǎn)廠家和軟磁鐵氧體生產(chǎn)廠家,在電感器和變壓器產(chǎn)品的總諧波失真指標(biāo)控制上,進(jìn)行了深入的探討和廣泛的合作,逐步弄清了一些似是而非的問(wèn)題。從工藝技術(shù)上采取了不少有效措施,促進(jìn)了質(zhì)量問(wèn)題的迅速解決。本文將就此熱門(mén)話題作一些粗淺探討。  一、 歷史回顧 總諧波失真(Total harmonic distortion) ,簡(jiǎn)稱THD,并不是什么新的概念,早在幾十年前的載波通信技術(shù)中就已有嚴(yán)格要求<1>。1978年郵電部公布的標(biāo)準(zhǔn)YD/Z17-78“載波用鐵氧體罐形磁心”中,規(guī)定了高μQ材料制作的無(wú)中心柱配對(duì)罐形磁心詳細(xì)的測(cè)試電路和方法。如圖一電路所示,利用LC組成的150KHz低通濾波器在高電平輸入的情況下測(cè)量磁心產(chǎn)生的非線性失真。這種相對(duì)比較的實(shí)用方法,專用于無(wú)中心柱配對(duì)罐形磁心的諧波衰耗測(cè)試。 這種磁心主要用于載波電報(bào)、電話設(shè)備的遙測(cè)振蕩器和線路放大器系統(tǒng),其非線性失真有很?chē)?yán)格的要求。  圖中  ZD   —— QF867 型阻容式載頻振蕩器,輸出阻抗 150Ω, Ld47 —— 47KHz 低通濾波器,阻抗 150Ω,阻帶衰耗大于61dB,       Lg88 ——并聯(lián)高低通濾波器,阻抗 150Ω,三次諧波衰耗大于61dB Ld88 ——并聯(lián)高低通濾波器,阻抗 150Ω,三次諧波衰耗大于61dB FD   —— 30~50KHz 放大器, 阻抗 150Ω, 增益不小于 43 dB,三次諧波衰耗b3(0)≥91 dB, DP  —— Qp373 選頻電平表,輸入高阻抗, L ——被測(cè)無(wú)心罐形磁心及線圈, C  ——聚苯乙烯薄膜電容器CMO-100V-707APF±0.5%,二只。 測(cè)量時(shí),所配用線圈應(yīng)用絲包銅電磁線SQJ9×0.12(JB661-75)在直徑為16.1mm的線架上繞制 120 匝, (線架為一格) , 其空心電感值為 318μH(誤差1%) 被測(cè)磁心配對(duì)安裝好后,先調(diào)節(jié)振蕩器頻率為 36.6~40KHz,  使輸出電平值為+17.4 dB, 即選頻表在 22′端子測(cè)得的主波電平 (P2)為+17.4 dB,然后在33′端子處測(cè)得輸出的三次諧波電平(P3), 則三次諧波衰耗值為:b3(+2)= P2+S+ P3 式中:S 為放大器增益dB 從以往的資料引證, 就可以發(fā)現(xiàn)諧波失真的測(cè)量是一項(xiàng)很精細(xì)的工作,其中測(cè)量系統(tǒng)的高、低通濾波器,信號(hào)源和放大器本身的三次諧波衰耗控制很?chē)?yán),阻抗必須匹配,薄膜電容器的非線性也有相應(yīng)要求。濾波器的電感全由不帶任何磁介質(zhì)的大空心線圈繞成,以保證本身的“潔凈” ,不至于造成對(duì)磁心分選的誤判。 為了滿足多路通信整機(jī)的小型化和穩(wěn)定性要求, 必須生產(chǎn)低損耗高穩(wěn)定磁心。上世紀(jì) 70 年代初,1409 所和四機(jī)部、郵電部各廠,從工藝上改變了推板空氣窯燒結(jié),出窯后經(jīng)真空罐冷卻的落后方式,改用真空爐,并控制燒結(jié)、冷卻氣氛。技術(shù)上采用共沉淀法攻關(guān)試制出了μQ乘積 60 萬(wàn)和 100 萬(wàn)的低損耗高穩(wěn)定材料,在此基礎(chǔ)上,還實(shí)現(xiàn)了高μ7000~10000材料的突破,從而大大縮短了與國(guó)外企業(yè)的技術(shù)差異。當(dāng)時(shí)正處于通信技術(shù)由FDM(頻率劃分調(diào)制)向PCM(脈沖編碼調(diào)制) 轉(zhuǎn)換時(shí)期, 日本人明石雅夫發(fā)表了μQ乘積125 萬(wàn)為 0.8×10 ,100KHz)的超優(yōu)鐵氧體材料<3>,其磁滯系數(shù)降為優(yōu)鐵

    標(biāo)簽: 磁芯 電感器 諧波失真

    上傳時(shí)間: 2013-12-15

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  • IC封裝製程簡(jiǎn)介(IC封裝制程簡(jiǎn)介)

    半導(dǎo)體的產(chǎn)品很多,應(yīng)用的場(chǎng)合非常廣泛,圖一是常見(jiàn)的幾種半導(dǎo)體元件外型。半導(dǎo)體元件一般是以接腳形式或外型來(lái)劃分類(lèi)別,圖一中不同類(lèi)別的英文縮寫(xiě)名稱原文為   PDID:Plastic Dual Inline Package SOP:Small Outline Package SOJ:Small Outline J-Lead Package PLCC:Plastic Leaded Chip Carrier QFP:Quad Flat Package PGA:Pin Grid Array BGA:Ball Grid Array         雖然半導(dǎo)體元件的外型種類(lèi)很多,在電路板上常用的組裝方式有二種,一種是插入電路板的銲孔或腳座,如PDIP、PGA,另一種是貼附在電路板表面的銲墊上,如SOP、SOJ、PLCC、QFP、BGA。    從半導(dǎo)體元件的外觀,只看到從包覆的膠體或陶瓷中伸出的接腳,而半導(dǎo)體元件真正的的核心,是包覆在膠體或陶瓷內(nèi)一片非常小的晶片,透過(guò)伸出的接腳與外部做資訊傳輸。圖二是一片EPROM元件,從上方的玻璃窗可看到內(nèi)部的晶片,圖三是以顯微鏡將內(nèi)部的晶片放大,可以看到晶片以多條銲線連接四周的接腳,這些接腳向外延伸並穿出膠體,成為晶片與外界通訊的道路。請(qǐng)注意圖三中有一條銲線從中斷裂,那是使用不當(dāng)引發(fā)過(guò)電流而燒毀,致使晶片失去功能,這也是一般晶片遭到損毀而失效的原因之一。   圖四是常見(jiàn)的LED,也就是發(fā)光二極體,其內(nèi)部也是一顆晶片,圖五是以顯微鏡正視LED的頂端,可從透明的膠體中隱約的看到一片方型的晶片及一條金色的銲線,若以LED二支接腳的極性來(lái)做分別,晶片是貼附在負(fù)極的腳上,經(jīng)由銲線連接正極的腳。當(dāng)LED通過(guò)正向電流時(shí),晶片會(huì)發(fā)光而使LED發(fā)亮,如圖六所示。     半導(dǎo)體元件的製作分成兩段的製造程序,前一段是先製造元件的核心─晶片,稱為晶圓製造;後一段是將晶中片加以封裝成最後產(chǎn)品,稱為IC封裝製程,又可細(xì)分成晶圓切割、黏晶、銲線、封膠、印字、剪切成型等加工步驟,在本章節(jié)中將簡(jiǎn)介這兩段的製造程序。

    標(biāo)簽: 封裝 IC封裝 制程

    上傳時(shí)間: 2013-11-04

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  • 這是一個(gè)關(guān)于基于混合編碼的圖象壓縮技術(shù)的實(shí)現(xiàn)

    這是一個(gè)關(guān)于基于混合編碼的圖象壓縮技術(shù)的實(shí)現(xiàn),現(xiàn)在勉強(qiáng)可以實(shí)現(xiàn)關(guān)于小波的圖象壓縮實(shí)現(xiàn)。此程序可以將BMP格式的圖象經(jīng)壓縮后以JPG的格式存儲(chǔ)起來(lái)!壓縮比一般可以達(dá)到32:1。還可以顯示編碼壓縮所耗時(shí)間

    標(biāo)簽: 編碼 圖象 壓縮技術(shù)

    上傳時(shí)間: 2014-11-16

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  • _NET和J2EE該相互學(xué)習(xí)什么 Application的Framework竟然達(dá)到了55個(gè)

    _NET和J2EE該相互學(xué)習(xí)什么 Application的Framework竟然達(dá)到了55個(gè),并且還在日益增加。事實(shí)上J2EE開(kāi)發(fā)的軟肋不在于Control這個(gè)層面,而是在View。許多天才的精力都耗在重復(fù)制造輪子上,卻沒(méi)有想辦法去完善一個(gè)或者多個(gè)Framework,這不得不讓人感到痛心啊!在這一點(diǎn),J2EE是不是得向.NET好好學(xué)習(xí)一下呢?在.NET的世界里,最受關(guān)注的應(yīng)該是控件的開(kāi)發(fā)了,一個(gè)設(shè)計(jì)良好,功能強(qiáng)大的控件對(duì)于提高開(kāi)發(fā)效率無(wú)疑是極好的助推器。很多.NET的開(kāi)發(fā)人員都將精力花在設(shè)計(jì)控件上,.NET就像一個(gè)聚寶盆一樣,不斷匯聚開(kāi)發(fā)人員智慧結(jié)晶。在J2EE的世界里,為了減少這種資源浪費(fèi)的情況,Wicket Framework的出現(xiàn)了。它強(qiáng)調(diào)組件設(shè)計(jì)和組件重用,讓開(kāi)發(fā)人員集中精力于組件的開(kāi)發(fā),從而增強(qiáng)Framework的功能已經(jīng)易用性。但愿,Wicket

    標(biāo)簽: Application Framework J2EE NET

    上傳時(shí)間: 2014-01-05

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  • 用A*算法求解八數(shù)碼問(wèn)題。A*算法又叫做最佳圖搜索算法

    用A*算法求解八數(shù)碼問(wèn)題。A*算法又叫做最佳圖搜索算法,是滿足啟發(fā)函數(shù)不大于實(shí)際耗散值的A算法,可以用理論證明如果最佳解圖存在的話,一定可以用A*算法找出來(lái)。

    標(biāo)簽: 算法 數(shù)碼 搜索算法

    上傳時(shí)間: 2015-05-01

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  • ◎「ダウンロードCGI」 Ver1.1 設(shè)定&使用説明 畫(huà)像や著信メロディなどのデータをEZweb対応端末にダウンロード・ 保存するためのCGIです。 ※ サンプルプログラムに

    ◎「ダウンロードCGI」 Ver1.1 設(shè)定&使用説明 畫(huà)像や著信メロディなどのデータをEZweb対応端末にダウンロード・ 保存するためのCGIです。 ※ サンプルプログラムに関しては自己責(zé)任においてご利用ください。プログラムの利用により   生じた損害については責(zé)任を負(fù)いかねます。   また、データの內(nèi)容に関しては、すべて自己責(zé)任でお願(yuàn)いいたします。

    標(biāo)簽: EZweb 12539 Ver 1.1

    上傳時(shí)間: 2015-11-27

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  • 如果你對(duì)編程很陌生

    如果你對(duì)編程很陌生,這本書(shū)不適合你。這本書(shū)企圖讓程序員解脫并使用C#,基于他們已經(jīng)擁有的知識(shí)。 《展現(xiàn) C#》的目標(biāo)瞄準(zhǔn)了已經(jīng)具有如C/C++、VB、Java或其它編程經(jīng)驗(yàn)的程序員。 如果你具有C++的背景,轉(zhuǎn)向C#會(huì)很容易,但是,如果你精通于其它不同的語(yǔ)言,這本書(shū)也會(huì)耗掉你的一 些日子。如果你有一點(diǎn)COM編程的知識(shí),這本會(huì)更有趣,但會(huì)COM編程不再是必要的。

    標(biāo)簽: 編程

    上傳時(shí)間: 2014-01-07

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  • lcs碼系統(tǒng)仿真

    lcs碼系統(tǒng)仿真,matlab7.0編譯通過(guò),通過(guò)仿真可以了解不同參數(shù)下,信號(hào)衰耗程度

    標(biāo)簽: lcs 系統(tǒng)仿真

    上傳時(shí)間: 2013-12-22

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  • 一種效率高

    一種效率高,資源耗低的嵌入式html瀏覽器

    標(biāo)簽: 效率

    上傳時(shí)間: 2013-12-07

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  • 仿真無(wú)線信道衰落

    仿真無(wú)線信道衰落,仿真了自由空間衰耗和地面衰耗.

    標(biāo)簽: 仿真 無(wú)線 信道衰落

    上傳時(shí)間: 2013-12-11

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