結合功率MOSFET管不同的失效形態，論述了功率MOSFET管分別在過電流和過電壓條件下損壞的模式，并說明了產生這樣的損壞形態的原因，也分析了功率MOSFET管在關斷及開通過程中發生失效形態的差別，從而為失效在關斷或在開通過程中發生損壞提供了判斷依據。給出了測試過電流和過電壓的電路圖。同時分析了功率MOSFET管在動態老化測試中慢速開通、在電池保護電路應用中慢速關斷及較長時間工作在線性區時損壞的形態。最后，結合實際應用，論述了功率MOSFET通常會產生過電流和過電壓二種混合損壞方式損壞機理和過程。
標簽： MOSFET 開關電源 功率 分
上傳時間： 2013-11-14
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這里僅討論電容及電感值的選取。種類的選取,則需要更多的工程實踐,更多的RF電路的經驗,這里不再討論。從理論上講,隔直電容、旁路電容的容量應滿足。顯然,在任何角頻率下,這在工程上是作不到的。電容量究竟取多大是合理的呢？圖1-5(a),(b)給出了隔直電容(多數情況下,這個電容又稱為耦合電容)和旁路電容的使用簡化
標簽： 旁路電容 扼流 電感
上傳時間： 2013-11-12
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電路如果存在不穩定性因素，就有可能出現振蕩。本文對比分析了傳統LDO和無片電容LDO的零極點，運用電流緩沖器頻率補償設計了一款無片外電容LDO，電流緩沖器頻率補償不僅可減小片上補償電容而且可以增加帶寬。對理論分析結果在Cadence平臺基上于CSMC0.5um工藝對電路進行了仿真驗證。本文無片外電容LDO的片上補償電容僅為3 pF，減小了制造成本。它的電源電壓為3.5~6 V，輸出電壓為3.5 V。當在輸入電源電壓6 V時輸出電流從100 μA到100 mA變化時，最小相位裕度為830，最小帶寬為4.58 MHz
標簽： LDO 無片外電容 穩定性分析
上傳時間： 2014-12-24
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A3機芯開關電源電路分析與檢修
標簽： A3機芯 開關電源 電路分析 檢修
上傳時間： 2013-10-14
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配電網架空線路是城郊及農村最常用線路敷設方式，對供電距離較長的架空線路，電壓壓降問題尤其值得重視。以實際工程施工線路電壓壓降問題為例，針對線路電壓壓降和無功補償配置問題，給出了分析方法和計算過程，通過方案比對，得出最優供電方案。
標簽： 配電網 架空線路 壓降分析 電壓
上傳時間： 2013-10-29
上傳用戶：wangcehnglin
介紹電動汽車感應充電系統松耦合變壓器的特性，通過Ansoft有限元分析軟件對松耦合變壓器進行仿真分析，結合簡化磁路模型和磁力線分布，得出大氣隙下的EE磁芯的精確模型。結合精確模型和模擬結果，給出橫截面積對耦合系數的影響，實際制作變壓器，測量發現，面積增加，耦合系數得到提高，輸出電壓能力增強，為松耦合變壓器的優化設計和進一步實驗提供理論指導和參考。
標簽： 松耦合 變壓器 仿真分析 磁路
上傳時間： 2013-10-10
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滿足上海65 m射電望遠鏡噪聲注入要求，設計了一種新型的同軸環激勵圓波導耦合器，該耦合器有較低的同軸激勵口駐波和平坦的耦合值，利用環天線和傳輸線概念分析了該耦合器的工作原理，作為實例，設計了一個S波段的耦合器，加工了耦合器實物樣品，實驗測量表明，測量結果和仿真結果吻合良好。
標簽： 同軸環 激勵 波導 耦合器
上傳時間： 2013-11-16
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數控開關電源設計及原理分析
標簽： 數控開關 分 電源設計
上傳時間： 2013-12-20
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三極管放大電路分析
標簽： 三極管 放大 電路分析
上傳時間： 2014-01-09
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110～240 VAC交流數字信號輸入接口電路分析與軟件實現
標簽： 110 240 VAC 交流
上傳時間： 2013-11-30
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