本文探討如何透過(guò)USB來(lái)設(shè)定各種采用FPGA的系統(tǒng)與實(shí)現(xiàn)現(xiàn)場(chǎng)升級(jí)的彈性。這種方法還可用來(lái)取代熱門的JTAG組態(tài)介面，讓用戶不再需要用到機(jī)板上分立的JTAG連結(jié)器，就能降低成本并減少占用電路板的空間。
上傳時(shí)間： 2015-01-01
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電路板故障分析 維修方式介紹 ASA維修技術(shù) ICT維修技術(shù) 沒有線路圖,無(wú)從修起 電路板太複雜,維修困難 維修經(jīng)驗(yàn)及技術(shù)不足 無(wú)法維修的死板,廢棄可惜 送電中作動(dòng)態(tài)維修,危險(xiǎn)性極高 備份板太多,積壓資金 送國(guó)外維修費(fèi)用高,維修時(shí)間長(zhǎng) 對(duì)老化零件無(wú)從查起無(wú)法預(yù)先更換 維修速度及效率無(wú)法提升,造成公司負(fù)擔(dān),客戶埋怨 投資大量維修設(shè)備,操作複雜,績(jī)效不彰
上傳時(shí)間： 2013-11-09
上傳用戶：chengxin
2008年，我參加了幾次可編程器件供應(yīng)商舉辦的技術(shù)研討會(huì)，讓我留下深刻印象的是參加這些研討會(huì)的工程師人數(shù)之多，簡(jiǎn)直可以用爆滿來(lái)形容，很多工程師聚精會(huì)神地全天聽講，很少出現(xiàn)吃完午飯就閃人的現(xiàn)象，而且工程師們對(duì)研討會(huì)上展出的基于可編程器件的通信、消費(fèi)電子、醫(yī)療電子、工業(yè)等解決方案也有濃厚的興趣，這和其他器件研討會(huì)形成了鮮明的對(duì)比。 Garnter和iSuppli公布的數(shù)據(jù)顯示：2008年，全球半導(dǎo)體整體銷售出現(xiàn)25年以來(lái)首次萎縮現(xiàn)象，但是，可編程器件卻還在保持了增長(zhǎng)，預(yù)計(jì)2008年可編程邏輯器件(PLD)市場(chǎng)銷售額增長(zhǎng)7.6%，可編程器件的領(lǐng)頭羊美國(guó)供應(yīng)商賽靈思公司2008年?duì)I業(yè)收入預(yù)計(jì)升6.5%！在全球經(jīng)濟(jì)危機(jī)的背景下，這是非常驕人的業(yè)績(jī)！也足見可編程器件在應(yīng)用領(lǐng)域的熱度沒有受到經(jīng)濟(jì)危機(jī)的影響！這可能也解釋了為什么那么多工程師對(duì)可編程器件感興趣吧。 在與工程師的交流中，我發(fā)現(xiàn)，很多工程師非常需要普及以FPGA為代表的可編程器件的應(yīng)用開發(fā)知識(shí)，也有很多工程師苦于進(jìn)階無(wú)門，缺乏專業(yè)、權(quán)威性的指導(dǎo)，在Google上搜索后，我發(fā)現(xiàn)很少有幫助工程師設(shè)計(jì)的FPGA電子書，即使有也只是介紹一些概念性的基礎(chǔ)知識(shí)，缺乏實(shí)用性和系統(tǒng)性，于是，我萌生了出版一本指導(dǎo)工程師FPGA應(yīng)用開發(fā)電子書的想法，而且這個(gè)電子書要突出實(shí)用性，讓大家都可以免費(fèi)下載，并提供許多技巧和資源信息，很高興美國(guó)賽靈思公司對(duì)這個(gè)想法給予了大力支持，賽靈思公司亞太區(qū)市場(chǎng)經(jīng)理張俊偉小姐和高級(jí)產(chǎn)品經(jīng)理梁曉明先生對(duì)電子書提出了寶貴的意見，并提供了大量FPGA設(shè)計(jì)資源，也介紹了一些FPGA設(shè)計(jì)高手參與了電子書的編撰，很短的時(shí)間內(nèi)，一個(gè)電子書項(xiàng)目團(tuán)隊(duì)組建起來(lái)，北京郵電大學(xué)的研究生田耘先生和賽靈思公司上海辦事處的蘇同麒先生等人都參與了電子書的編寫，他們是有豐富設(shè)計(jì)經(jīng)驗(yàn)的高手，在大家的共同努力下，這本凝結(jié)著智慧的FPGA電子書終于和大家見面了！我希望這本電子書可以成為對(duì)FPGA有興趣或正在使用FPGA進(jìn)行開發(fā)的工程師的手頭設(shè)計(jì)寶典之一，也希望這個(gè)電子書可以對(duì)工程師們學(xué)習(xí)FPGA開發(fā)和進(jìn)階有實(shí)用的幫助！如果可能，未來(lái)我們還將出版后續(xù)版本！
標(biāo)簽： FPGA 電子工程師 創(chuàng)新設(shè)計(jì) 寶典
上傳時(shí)間： 2013-11-10
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用了還是沒用上的，大家都來(lái)看看啊，呵呵，希望對(duì)你會(huì)有所幫助 cos()余弦tan()正切sin()正弦sqrt()平方根 asin()反正弦acos()反余弦atan()反正切sinh()雙曲線正弦 cosh()雙曲線余弦tanh()雙曲線正切 注釋：所有三角函數(shù)都使用單位度。 log()以10為底的對(duì)數(shù)ln()自然對(duì)數(shù) exp()e的冪abs()絕對(duì)值 ceil()不小于其值的最小整數(shù) floor()不超過(guò)其值的最大整數(shù) 可以給函數(shù)ceil和floor加一個(gè)可選的自變量，用它指定要圓整的小數(shù)位數(shù)。帶有圓整參數(shù)的這些函數(shù)的語(yǔ)法是： ceil(parameter_name或number,number_of_dec_places) floor(parameter_name或number,number_of_dec_places) 其中number_of_dec_places是可選值： 1、可以被表示為一個(gè)數(shù)或一個(gè)使用者自定義參數(shù)。如果該參數(shù)值是一個(gè)實(shí)數(shù)，則被截尾成為一個(gè)整數(shù)。 2、它的最大值是8。如果超過(guò)8，則不會(huì)舍入要舍入的數(shù)（第一個(gè)自變量），并使用其初值。 3、如果不指定它，則功能同前期版本一樣。 使用不指定小數(shù)部分位數(shù)的ceil和floor函數(shù)，其舉例如下： ceil(10.2)值為11 floor(10.2)值為11 使用指定小數(shù)部分位數(shù)的ceil和floor函數(shù)，其舉例如下： ceil(10.255,2)等于10.26 ceil(10.255,0)等于11[與ceil(10.255)相同] floor(10.255,1)等于10.2 floor(10.255,2)等于10.26
標(biāo)簽： proe
上傳時(shí)間： 2013-10-20
上傳用戶：sevenbestfei
第一步，拿到一塊PCB，首先在紙上記錄好所有元?dú)饧男吞?hào)，參數(shù)，以及位置，尤其是二極管，三機(jī)管的方向，IC缺口的方向。最好用數(shù)碼相機(jī)拍兩張?jiān)獨(dú)饧恢玫恼掌５诙剑鸬羲衅骷⑶覍AD孔里的錫去掉。用酒精將PCB清洗干凈，然后放入掃描儀內(nèi)，啟動(dòng)POHTOSHOP，用彩色方式將絲印面掃入，并打印出來(lái)備用。第三步，用水紗紙將TOP LAYER 和BOTTOM LAYER兩層輕微打磨，打磨到銅膜發(fā)亮，放入掃描儀，啟動(dòng)PHOTOSHOP，用彩色方式將兩層分別掃入。注意，PCB在掃描儀內(nèi)擺放一定要橫平樹直，否則掃描的圖象就無(wú)法使用。第四步，調(diào)整畫布的對(duì)比度，明暗度，使有銅膜的部分和沒有銅膜的部分對(duì)比強(qiáng)烈，然后將次圖轉(zhuǎn)為黑白色，檢查線條是否清晰，如果不清晰，則重復(fù)本步驟。如果清晰，將圖存為黑白BMP格式文件TOP.BMP和BOT.BMP。第五步，將兩個(gè)BMP格式的文件分別轉(zhuǎn)為PROTEL格式文件，在PROTEL中調(diào)入兩層，如過(guò)兩層的PAD和VIA的位置基本重合，表明前幾個(gè)步驟做的很好，如果有偏差，則重復(fù)第三步。第六，將TOP。BMP轉(zhuǎn)化為TOP。PCB，注意要轉(zhuǎn)化到SILK層，就是黃色的那層，然后你在TOP層描線就是了，并且根據(jù)第二步的圖紙放置器件。畫完后將SILK層刪掉。 第七步，將BOT。BMP轉(zhuǎn)化為BOT。PCB，注意要轉(zhuǎn)化到SILK層，就是黃色的那層，然后你在BOT層描線就是了。畫完后將SILK層刪掉。第八步，在PROTEL中將TOP。PCB和BOT。PCB調(diào)入，合為一個(gè)圖就OK了。第九步，用激光打印機(jī)將TOP LAYER， BOTTOM LAYER分別打印到透明膠片上（1：1的比例），把膠片放到那塊PCB上，比較一下是否有誤，如果沒錯(cuò)，你就大功告成了。
上傳時(shí)間： 2013-11-24
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Pspice教程課程內(nèi)容：在這個(gè)教程中，我們沒有提到關(guān)于網(wǎng)絡(luò)表中的Pspice 的網(wǎng)絡(luò)表文件輸出，有關(guān)內(nèi)容將會(huì)在后面提到!而且我想對(duì)大家提個(gè)建議：就是我們不要只看波形好不好，而是要學(xué)會(huì)分析，分析不是分析的波形，而是學(xué)會(huì)分析數(shù)據(jù)，找出自己設(shè)計(jì)中出現(xiàn)的問(wèn)題!有時(shí)候大家可能會(huì)看到，其實(shí)電路并沒有錯(cuò)，只是有時(shí)候我們的仿真設(shè)置出了問(wèn)題，需要修改。有時(shí)候是電路的參數(shù)設(shè)計(jì)的不合理，也可能導(dǎo)致一些莫明的錯(cuò)誤!我覺得大家做一個(gè)分析后自己看看OutFile文件!點(diǎn),就可以看到詳細(xì)的情況了!基本的分析內(nèi)容：1．直流分析2．交流分析3．參數(shù)分析4．瞬態(tài)分析進(jìn)階分析內(nèi)容：1． 最壞情況分析.2． 蒙特卡洛分析3． 溫度分析4． 噪聲分析5． 傅利葉分析6． 靜態(tài)直注工作點(diǎn)分析數(shù)字電路設(shè)計(jì)部分淺談附錄A: 關(guān)于Simulation Setting的簡(jiǎn)介附錄B： 關(guān)于測(cè)量函數(shù)的簡(jiǎn)介附錄C：關(guān)于信號(hào)源的簡(jiǎn)介
上傳時(shí)間： 2013-10-14
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磁芯電感器的諧波失真分析 摘 要：簡(jiǎn)述了改進(jìn)鐵氧體軟磁材料比損耗系數(shù)和磁滯常數(shù)ηB，從而降低總諧波失真THD的歷史過(guò)程，分析了諸多因數(shù)對(duì)諧波測(cè)量的影響，提出了磁心性能的調(diào)控方向。 關(guān)鍵詞：比損耗系數(shù)， 磁滯常數(shù)ηB ，直流偏置特性DC-Bias，總諧波失真THD Analysis on THD of the fer rite co res u se d i n i nductancShi Yan Nanjing Finemag Technology Co. Ltd., Nanjing 210033 Abstract: Histrory of decreasing THD by improving the ratio loss coefficient and hysteresis constant of soft magnetic ferrite is briefly narrated. The effect of many factors which affect the harmonic wave testing is analysed. The way of improving the performance of ferrite cores is put forward. Key words: ratio loss coefficient，hysteresis constant，DC-Bias，THD 近年來(lái)，變壓器生產(chǎn)廠家和軟磁鐵氧體生產(chǎn)廠家，在電感器和變壓器產(chǎn)品的總諧波失真指標(biāo)控制上，進(jìn)行了深入的探討和廣泛的合作，逐步弄清了一些似是而非的問(wèn)題。從工藝技術(shù)上采取了不少有效措施，促進(jìn)了質(zhì)量問(wèn)題的迅速解決。本文將就此熱門話題作一些粗淺探討。 一、 歷史回顧 總諧波失真（Total harmonic distortion） ，簡(jiǎn)稱THD，并不是什么新的概念，早在幾十年前的載波通信技術(shù)中就已有嚴(yán)格要求<1>。1978年郵電部公布的標(biāo)準(zhǔn)YD/Z17－78“載波用鐵氧體罐形磁心”中，規(guī)定了高μQ材料制作的無(wú)中心柱配對(duì)罐形磁心詳細(xì)的測(cè)試電路和方法。如圖一電路所示，利用LC組成的150KHz低通濾波器在高電平輸入的情況下測(cè)量磁心產(chǎn)生的非線性失真。這種相對(duì)比較的實(shí)用方法，專用于無(wú)中心柱配對(duì)罐形磁心的諧波衰耗測(cè)試。 這種磁心主要用于載波電報(bào)、電話設(shè)備的遙測(cè)振蕩器和線路放大器系統(tǒng)，其非線性失真有很嚴(yán)格的要求。 圖中 ZD —— QF867 型阻容式載頻振蕩器，輸出阻抗 150Ω， Ld47 —— 47KHz 低通濾波器，阻抗 150Ω，阻帶衰耗大于61dB， Lg88 ——并聯(lián)高低通濾波器，阻抗 150Ω，三次諧波衰耗大于61dB Ld88 ——并聯(lián)高低通濾波器，阻抗 150Ω，三次諧波衰耗大于61dB FD —— 30～50KHz 放大器， 阻抗 150Ω， 增益不小于 43 dB，三次諧波衰耗b3(0)≥91 dB, DP —— Qp373 選頻電平表，輸入高阻抗， L ——被測(cè)無(wú)心罐形磁心及線圈， C ——聚苯乙烯薄膜電容器CMO-100V-707APF±0.5%,二只。 測(cè)量時(shí)，所配用線圈應(yīng)用絲包銅電磁線SQJ9×0.12(JB661-75)在直徑為16.1mm的線架上繞制 120 匝， （線架為一格） ， 其空心電感值為 318μH（誤差1％） 被測(cè)磁心配對(duì)安裝好后，先調(diào)節(jié)振蕩器頻率為 36.6～40KHz， 使輸出電平值為+17.4 dB， 即選頻表在 22′端子測(cè)得的主波電平 （P2）為+17.4 dB，然后在33′端子處測(cè)得輸出的三次諧波電平（P3）， 則三次諧波衰耗值為：b3(+2)= P2+S+ P3 式中：S 為放大器增益dB 從以往的資料引證， 就可以發(fā)現(xiàn)諧波失真的測(cè)量是一項(xiàng)很精細(xì)的工作，其中測(cè)量系統(tǒng)的高、低通濾波器，信號(hào)源和放大器本身的三次諧波衰耗控制很嚴(yán)，阻抗必須匹配，薄膜電容器的非線性也有相應(yīng)要求。濾波器的電感全由不帶任何磁介質(zhì)的大空心線圈繞成，以保證本身的“潔凈” ，不至于造成對(duì)磁心分選的誤判。 為了滿足多路通信整機(jī)的小型化和穩(wěn)定性要求， 必須生產(chǎn)低損耗高穩(wěn)定磁心。上世紀(jì) 70 年代初，1409 所和四機(jī)部、郵電部各廠，從工藝上改變了推板空氣窯燒結(jié)，出窯后經(jīng)真空罐冷卻的落后方式，改用真空爐，并控制燒結(jié)、冷卻氣氛。技術(shù)上采用共沉淀法攻關(guān)試制出了μQ乘積 60 萬(wàn)和 100 萬(wàn)的低損耗高穩(wěn)定材料，在此基礎(chǔ)上，還實(shí)現(xiàn)了高μ7000～10000材料的突破，從而大大縮短了與國(guó)外企業(yè)的技術(shù)差異。當(dāng)時(shí)正處于通信技術(shù)由FDM（頻率劃分調(diào)制）向PCM（脈沖編碼調(diào)制） 轉(zhuǎn)換時(shí)期， 日本人明石雅夫發(fā)表了μQ乘積125 萬(wàn)為 0.8×10 ，100KHz）的超優(yōu)鐵氧體材料<3>，其磁滯系數(shù)降為優(yōu)鐵
上傳時(shí)間： 2013-12-15
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PCB LAYOUT 術(shù)語(yǔ)解釋(TERMS)1. COMPONENT SIDE(零件面、正面)︰大多數(shù)零件放置之面。2. SOLDER SIDE(焊錫面、反面)。3. SOLDER MASK(止焊膜面)︰通常指Solder Mask Open 之意。4. TOP PAD︰在零件面上所設(shè)計(jì)之零件腳PAD，不管是否鑽孔、電鍍。5. BOTTOM PAD：在銲錫面上所設(shè)計(jì)之零件腳PAD，不管是否鑽孔、電鍍。6. POSITIVE LAYER：?jiǎn)巍㈦p層板之各層線路；多層板之上、下兩層線路及內(nèi)層走線皆屬之。7. NEGATIVE LAYER：通常指多層板之電源層。8. INNER PAD：多層板之POSITIVE LAYER 內(nèi)層PAD。9. ANTI-PAD：多層板之NEGATIVE LAYER 上所使用之絕緣範(fàn)圍，不與零件腳相接。10. THERMAL PAD：多層板內(nèi)NEGATIVE LAYER 上必須零件腳時(shí)所使用之PAD，一般稱為散熱孔或?qū)住?1. PAD (銲墊)：除了SMD PAD 外，其他PAD 之TOP PAD、BOTTOM PAD 及INNER PAD 之形狀大小皆應(yīng)相同。12. Moat : 不同信號(hào)的 Power& GND plane 之間的分隔線13. Grid : 佈線時(shí)的走線格點(diǎn)2. Test Point : ATE 測(cè)試點(diǎn)供工廠ICT 測(cè)試治具使用ICT 測(cè)試點(diǎn) LAYOUT 注意事項(xiàng):PCB 的每條TRACE 都要有一個(gè)作為測(cè)試用之TEST PAD(測(cè)試點(diǎn))，其原則如下：1. 一般測(cè)試點(diǎn)大小均為30-35mil，元件分布較密時(shí)，測(cè)試點(diǎn)最小可至30mil.測(cè)試點(diǎn)與元件PAD 的距離最小為40mil。2. 測(cè)試點(diǎn)與測(cè)試點(diǎn)間的間距最小為50-75mil，一般使用75mil。密度高時(shí)可使用50mil,3. 測(cè)試點(diǎn)必須均勻分佈於PCB 上，避免測(cè)試時(shí)造成板面受力不均。4. 多層板必須透過(guò)貫穿孔(VIA)將測(cè)試點(diǎn)留於錫爐著錫面上(Solder Side)。5. 測(cè)試點(diǎn)必需放至於Bottom Layer6. 輸出test point report(.asc 檔案powerpcb v3.5)供廠商分析可測(cè)率7. 測(cè)試點(diǎn)設(shè)置處:Setuppadsstacks
標(biāo)簽： layout design pcb 硬件工程師
上傳時(shí)間： 2013-11-17
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半導(dǎo)體的產(chǎn)品很多，應(yīng)用的場(chǎng)合非常廣泛，圖一是常見的幾種半導(dǎo)體元件外型。半導(dǎo)體元件一般是以接腳形式或外型來(lái)劃分類別，圖一中不同類別的英文縮寫名稱原文為 PDID：Plastic Dual Inline Package SOP：Small Outline Package SOJ：Small Outline J-Lead Package PLCC：Plastic Leaded Chip Carrier QFP：Quad Flat Package PGA：Pin Grid Array BGA：Ball Grid Array 雖然半導(dǎo)體元件的外型種類很多，在電路板上常用的組裝方式有二種，一種是插入電路板的銲孔或腳座，如PDIP、PGA，另一種是貼附在電路板表面的銲墊上，如SOP、SOJ、PLCC、QFP、BGA。 從半導(dǎo)體元件的外觀，只看到從包覆的膠體或陶瓷中伸出的接腳，而半導(dǎo)體元件真正的的核心，是包覆在膠體或陶瓷內(nèi)一片非常小的晶片，透過(guò)伸出的接腳與外部做資訊傳輸。圖二是一片EPROM元件，從上方的玻璃窗可看到內(nèi)部的晶片，圖三是以顯微鏡將內(nèi)部的晶片放大，可以看到晶片以多條銲線連接四周的接腳，這些接腳向外延伸並穿出膠體，成為晶片與外界通訊的道路。請(qǐng)注意圖三中有一條銲線從中斷裂，那是使用不當(dāng)引發(fā)過(guò)電流而燒毀，致使晶片失去功能，這也是一般晶片遭到損毀而失效的原因之一。 圖四是常見的LED，也就是發(fā)光二極體，其內(nèi)部也是一顆晶片，圖五是以顯微鏡正視LED的頂端，可從透明的膠體中隱約的看到一片方型的晶片及一條金色的銲線，若以LED二支接腳的極性來(lái)做分別，晶片是貼附在負(fù)極的腳上，經(jīng)由銲線連接正極的腳。當(dāng)LED通過(guò)正向電流時(shí)，晶片會(huì)發(fā)光而使LED發(fā)亮，如圖六所示。 半導(dǎo)體元件的製作分成兩段的製造程序，前一段是先製造元件的核心─晶片，稱為晶圓製造；後一段是將晶中片加以封裝成最後產(chǎn)品，稱為IC封裝製程，又可細(xì)分成晶圓切割、黏晶、銲線、封膠、印字、剪切成型等加工步驟，在本章節(jié)中將簡(jiǎn)介這兩段的製造程序。
上傳時(shí)間： 2013-11-04
上傳用戶：372825274
微電腦型RS-485顯示電表（24*48mm/48*96mm） 特點(diǎn)： 5位數(shù)RS-485顯示電表 顯示范圍-19999-99999位數(shù) 通訊協(xié)議Modbus RTU模式 寬范圍交直流兩用電源設(shè)計(jì) 尺寸小,穩(wěn)定性高 主要規(guī)格： 顯示范圍:-19999~99999 digit RS-485傳輸速度: 19200/9600/4800/2400 selective RS-485通訊位址: "01"-"FF" RS-485通訊協(xié)議: Modbus RTU mode 顯示幕: Red high efficiency LEDs high 10.16 mm (0.4") (MMX-RS-11X) Red high efficiency LEDs high 20.32 mm (0.8") (MMX-RS-12X) Red high efficiency LEDs high 10.16 mm (0.4")x2 (MMX-RS-22X) 參數(shù)設(shè)定方式: Touch switches 記憶方式: Non-volatile E²PROM memory 絕緣耐壓能力: 2KVac/1 min. (input/power) 使用環(huán)境條件: 0-50℃(20 to 90% RH non-condensed) 存放環(huán)境條件: 0-70℃(20 to 90% RH non-condensed) CE認(rèn)證: EN 55022:1998/A1:2000 Class A EN 61000-3-2:2000 EN 61000-3-3:1995/A1:2001 EN 55024:1998/A1:2001
上傳時(shí)間： 2015-01-03
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