半導(dǎo)體的產(chǎn)品很多，應(yīng)用的場(chǎng)合非常廣泛，圖一是常見(jiàn)的幾種半導(dǎo)體元件外型。半導(dǎo)體元件一般是以接腳形式或外型來(lái)劃分類(lèi)別，圖一中不同類(lèi)別的英文縮寫(xiě)名稱(chēng)原文為 PDID：Plastic Dual Inline Package SOP：Small Outline Package SOJ：Small Outline J-Lead Package PLCC：Plastic Leaded Chip Carrier QFP：Quad Flat Package PGA：Pin Grid Array BGA：Ball Grid Array 雖然半導(dǎo)體元件的外型種類(lèi)很多，在電路板上常用的組裝方式有二種，一種是插入電路板的銲孔或腳座，如PDIP、PGA，另一種是貼附在電路板表面的銲墊上，如SOP、SOJ、PLCC、QFP、BGA。 從半導(dǎo)體元件的外觀，只看到從包覆的膠體或陶瓷中伸出的接腳，而半導(dǎo)體元件真正的的核心，是包覆在膠體或陶瓷內(nèi)一片非常小的晶片，透過(guò)伸出的接腳與外部做資訊傳輸。圖二是一片EPROM元件，從上方的玻璃窗可看到內(nèi)部的晶片，圖三是以顯微鏡將內(nèi)部的晶片放大，可以看到晶片以多條銲線(xiàn)連接四周的接腳，這些接腳向外延伸並穿出膠體，成為晶片與外界通訊的道路。請(qǐng)注意圖三中有一條銲線(xiàn)從中斷裂，那是使用不當(dāng)引發(fā)過(guò)電流而燒毀，致使晶片失去功能，這也是一般晶片遭到損毀而失效的原因之一。 圖四是常見(jiàn)的LED，也就是發(fā)光二極體，其內(nèi)部也是一顆晶片，圖五是以顯微鏡正視LED的頂端，可從透明的膠體中隱約的看到一片方型的晶片及一條金色的銲線(xiàn)，若以L(fǎng)ED二支接腳的極性來(lái)做分別，晶片是貼附在負(fù)極的腳上，經(jīng)由銲線(xiàn)連接正極的腳。當(dāng)LED通過(guò)正向電流時(shí)，晶片會(huì)發(fā)光而使LED發(fā)亮，如圖六所示。 半導(dǎo)體元件的製作分成兩段的製造程序，前一段是先製造元件的核心─晶片，稱(chēng)為晶圓製造；後一段是將晶中片加以封裝成最後產(chǎn)品，稱(chēng)為IC封裝製程，又可細(xì)分成晶圓切割、黏晶、銲線(xiàn)、封膠、印字、剪切成型等加工步驟，在本章節(jié)中將簡(jiǎn)介這兩段的製造程序。
上傳時(shí)間： 2014-01-20
上傳用戶(hù)：蒼山觀海
一.晶片的作用: 晶片為L(zhǎng)ED的主要原材料,LED主要依靠晶片來(lái)發(fā)光. 二.晶片的組成. 主要有砷(AS) 鋁(AL) 鎵(Ga) 銦(IN) 磷(P) 氮(N)鍶(Ｓi)這幾種元素中的若干種組成.
標(biāo)簽： 芯片
上傳時(shí)間： 2013-12-10
上傳用戶(hù)：離殤
結(jié)合大功率LED熱流模型和結(jié)構(gòu)，我們不難看出，影響大功率LED熱阻的主要因素有：1. LED晶片的導(dǎo)熱能力;2. 固晶粘合膠的導(dǎo)熱能力以及粘合的品質(zhì);3. 器件(包括晶片)熱通道的長(zhǎng)度;4. 灌封材料的熱導(dǎo)能力;5. 熱沉的熱導(dǎo)能力。
標(biāo)簽： LED 導(dǎo)熱 傳熱 散熱技術(shù)
上傳時(shí)間： 2013-11-11
上傳用戶(hù)：caoyuanyuan1818
LED和LVD無(wú)極燈比較誰(shuí)優(yōu)誰(shuí)劣 LED的內(nèi)在特征決定了它是最理想的光源去代替?zhèn)鹘y(tǒng)的光源，它有著廣泛的用途。 體積小 LED基本上是一塊很小的晶片被封裝在環(huán)氧樹(shù)脂里面，所以它非常的小，非常的輕。 耗電量低 LED耗電非常低，一般來(lái)說(shuō)LED的工作電壓是2-3.6V。工作電流是0.02-0.03A。這就是說(shuō)：它消耗的電不超過(guò)0.1W。 使用壽命長(zhǎng) 在恰當(dāng)?shù)碾娏骱碗妷合拢琇ED的使用壽命可達(dá)10萬(wàn)小時(shí)。 高亮度、低熱量 比HID或白熾燈更少的熱輻射。 環(huán)保 LED是由無(wú)毒的材料作成，不像熒光燈含水銀會(huì)造成污染，同時(shí)LED也可以回收再利用。 堅(jiān)固耐用 LED是被完全的封裝在環(huán)氧樹(shù)脂里面，它比燈泡和熒光燈管都堅(jiān)固。燈體內(nèi)也沒(méi)有松動(dòng)的部分，這些特點(diǎn)使得LED可以說(shuō)是不易損壞的。 可控性強(qiáng) 可以實(shí)現(xiàn)各種顏色的變化。
上傳時(shí)間： 2013-12-13
上傳用戶(hù)：498732662
采用晶片為nRF24E1,該晶片是工作于全球開(kāi)放的2.4GHz頻段，125個(gè)頻道，高性能單片式無(wú)線(xiàn)收發(fā)晶片，內(nèi)置高性能增強(qiáng)型51單片機(jī)(4clock)，內(nèi)含4組ADC12bit高速采樣，單片機(jī)全速運(yùn)行時(shí)功耗1mA。
標(biāo)簽： MPTZ 100 24 無(wú)線(xiàn)
上傳時(shí)間： 2013-11-05
上傳用戶(hù)：wojiaohs
采用晶片為nRF9E5,該晶片是工作在430/868/915Mhz頻段的高性能單片式無(wú)線(xiàn)收發(fā)晶片，內(nèi)置高性能增強(qiáng)型51單片機(jī)(4clock)，內(nèi)含4組ADC12bit高速采樣，單片機(jī)全速運(yùn)行功耗1mA．
標(biāo)簽： MPTZ 100 無(wú)線(xiàn) 單片機(jī)
上傳時(shí)間： 2013-11-15
上傳用戶(hù)：龍飛艇
Xilinx UltraScale™ 架構(gòu)針對(duì)要求最嚴(yán)苛的應(yīng)用，提供了前所未有的ASIC級(jí)的系統(tǒng)級(jí)集成和容量。 UltraScale架構(gòu)是業(yè)界首次在All Programmable架構(gòu)中應(yīng)用最先進(jìn)的ASIC架構(gòu)優(yōu)化。該架構(gòu)能從20nm平面FET結(jié)構(gòu)擴(kuò)展至16nm鰭式FET晶體管技術(shù)甚至更高的技術(shù)，同 時(shí)還能從單芯片擴(kuò)展到3D IC。借助Xilinx Vivado®設(shè)計(jì)套件的分析型協(xié)同優(yōu)化，UltraScale架構(gòu)可以提供海量數(shù)據(jù)的路由功能，同時(shí)還能智能地解決先進(jìn)工藝節(jié)點(diǎn)上的頭號(hào)系統(tǒng)性能瓶頸。 這種協(xié)同設(shè)計(jì)可以在不降低性能的前提下達(dá)到實(shí)現(xiàn)超過(guò)90%的利用率。 UltraScale架構(gòu)的突破包括： • 幾乎可以在晶片的任何位置戰(zhàn)略性地布置類(lèi)似于ASIC的系統(tǒng)時(shí)鐘，從而將時(shí)鐘歪斜降低達(dá)50% • 系統(tǒng)架構(gòu)中有大量并行總線(xiàn)，無(wú)需再使用會(huì)造成時(shí)延的流水線(xiàn)，從而可提高系統(tǒng)速度和容量 • 甚至在要求資源利用率達(dá)到90%及以上的系統(tǒng)中，也能消除潛在的時(shí)序收斂問(wèn)題和互連瓶頸 • 可憑借3D IC集成能力構(gòu)建更大型器件，并在工藝技術(shù)方面領(lǐng)先當(dāng)前行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)整整一代 • 能在更低的系統(tǒng)功耗預(yù)算范圍內(nèi)顯著提高系統(tǒng)性能，包括多Gb串行收發(fā)器、I/O以及存儲(chǔ)器帶寬 • 顯著增強(qiáng)DSP與包處理性能 賽靈思UltraScale架構(gòu)為超大容量解決方案設(shè)計(jì)人員開(kāi)啟了一個(gè)全新的領(lǐng)域。
標(biāo)簽： UltraScale Xilinx 架構(gòu)
上傳時(shí)間： 2013-11-17
上傳用戶(hù)：皇族傳媒
無(wú)線(xiàn)感測(cè)器已變得越來(lái)越普及，短期內(nèi)其開(kāi)發(fā)和部署數(shù)量將急遽增加。而無(wú)線(xiàn)通訊技術(shù)的突飛猛進(jìn)，也使得智慧型網(wǎng)路中的無(wú)線(xiàn)感測(cè)器能夠緊密互連。此外，系統(tǒng)單晶片(SoC)的密度不斷提高，讓各式各樣的多功能、小尺寸無(wú)線(xiàn)感測(cè)器系統(tǒng)相繼問(wèn)市。儘管如此，工程師仍面臨一個(gè)重大的挑戰(zhàn)：即電源消耗。
標(biāo)簽： 能量采集 無(wú)線(xiàn)感測(cè)器
上傳時(shí)間： 2013-10-30
上傳用戶(hù)：wojiaohs
本文將探討微控制器與 PSoC (可編程系統(tǒng)單晶片)在數(shù)位電視應(yīng)用上的設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)，並比較微控制器和 PSoC 架構(gòu)在處理這些挑戰(zhàn)時(shí)的不同處，以有效地建置執(zhí)行。
標(biāo)簽： PSoC MCU 比較 數(shù)位電視
上傳時(shí)間： 2013-11-22
上傳用戶(hù)：gengxiaochao
Xilinx UltraScale™ 架構(gòu)針對(duì)要求最嚴(yán)苛的應(yīng)用，提供了前所未有的ASIC級(jí)的系統(tǒng)級(jí)集成和容量。 UltraScale架構(gòu)是業(yè)界首次在All Programmable架構(gòu)中應(yīng)用最先進(jìn)的ASIC架構(gòu)優(yōu)化。該架構(gòu)能從20nm平面FET結(jié)構(gòu)擴(kuò)展至16nm鰭式FET晶體管技術(shù)甚至更高的技術(shù)，同 時(shí)還能從單芯片擴(kuò)展到3D IC。借助Xilinx Vivado®設(shè)計(jì)套件的分析型協(xié)同優(yōu)化，UltraScale架構(gòu)可以提供海量數(shù)據(jù)的路由功能，同時(shí)還能智能地解決先進(jìn)工藝節(jié)點(diǎn)上的頭號(hào)系統(tǒng)性能瓶頸。 這種協(xié)同設(shè)計(jì)可以在不降低性能的前提下達(dá)到實(shí)現(xiàn)超過(guò)90%的利用率。 UltraScale架構(gòu)的突破包括： • 幾乎可以在晶片的任何位置戰(zhàn)略性地布置類(lèi)似于ASIC的系統(tǒng)時(shí)鐘，從而將時(shí)鐘歪斜降低達(dá)50% • 系統(tǒng)架構(gòu)中有大量并行總線(xiàn)，無(wú)需再使用會(huì)造成時(shí)延的流水線(xiàn)，從而可提高系統(tǒng)速度和容量 • 甚至在要求資源利用率達(dá)到90%及以上的系統(tǒng)中，也能消除潛在的時(shí)序收斂問(wèn)題和互連瓶頸 • 可憑借3D IC集成能力構(gòu)建更大型器件，并在工藝技術(shù)方面領(lǐng)先當(dāng)前行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)整整一代 • 能在更低的系統(tǒng)功耗預(yù)算范圍內(nèi)顯著提高系統(tǒng)性能，包括多Gb串行收發(fā)器、I/O以及存儲(chǔ)器帶寬 • 顯著增強(qiáng)DSP與包處理性能 賽靈思UltraScale架構(gòu)為超大容量解決方案設(shè)計(jì)人員開(kāi)啟了一個(gè)全新的領(lǐng)域。
標(biāo)簽： UltraScale Xilinx 架構(gòu)
上傳時(shí)間： 2013-12-23
上傳用戶(hù)：小儒尼尼奧
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