le flows through MOS channel while Ih flows across PNP transistor Ih= a/(1-a) le, IE-le+lh=1/(1-a)' le Since IGBT has a long base PNP, a is mainly determined by ar si0 2ar= 1/cosh(1/La), La: ambipolar diff length a-0.5 (typical value)p MOSFET channel current (saturation), le=U"Cox"W(2"Lch)"(Vc-Vth)le Thus, saturated collector current Ic, sat=1/(1-a)"le=-1/(1-a)"UCox"W/(2Lch)"(Vo-Vth)2Also, transconductance gm, gm= 1/(1-a)"u' Cox W/Lch*(Vo-Vth)Turn-On1. Inversion layer is formed when Vge>Vth2. Apply positive collector bias, +Vce3. Electrons flow from N+ emitter to N-drift layer providing the base current for the PNP transistor4. Since J1 is forward blased, hole carriers are injected from the collector (acts as an emitter).5. Injected hole carriers exceed the doping level of N-drift region (conductivity modulation). Turn-Off1. Remove gate bias (discharge gate)2. Cut off electron current (base current, le, of pnp transistor)
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上傳時(shí)間： 2022-06-20
上傳用戶：wangshoupeng199
開關(guān)電源基本原理與設(shè)計(jì)介紹，臺(tái)達(dá)的資料，很好的
上傳時(shí)間： 2013-04-24
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附錄 光盤說明\r\n本書附贈(zèng)的光盤包括各章節(jié)實(shí)例的設(shè)計(jì)工程與源碼，所有工程在下列軟件環(huán)境下運(yùn)行通過：\r\n? Windows XP SP2\r\n? MATLAB\r\n? Altera Quartus II \r\n? synplify8.4\r\n? modelsim_ae6.1\r\n\r\n光盤目錄與實(shí)例名稱的對(duì)應(yīng)關(guān)系如下：\r\n\r\n cht02文件夾中存放的是書中第2章中的例子，讀者可以將一些簡(jiǎn)單例子的代碼 \r\n拷貝到MATLAB命令窗口進(jìn)行運(yùn)行，也可以把
上傳時(shí)間： 2013-08-11
上傳用戶：ecooo
基于PXA270-S linux的FPGA實(shí)現(xiàn)。\r\n向LED_CONTROL寫入n即得到n*0.1S的延時(shí)，LED閃爍的快慢程度發(fā)生變化。
上傳時(shí)間： 2013-08-22
上傳用戶：tb_6877751
對(duì)于常規(guī)VDMOS器件結(jié)構(gòu)， Rdson與BV存在矛盾關(guān)系，要想提高BV，都是從減小EPI參雜濃度著手，但是外延層又是正向電流流通的通道，EPI參雜濃度減小了，電阻必然變大，Rdson增大。所以對(duì)于普通VDMOS，兩者矛盾不可調(diào)和。 但是對(duì)于COOLMOS，這個(gè)矛盾就不那么明顯了。通過設(shè)置一個(gè)深入EPI的的P區(qū)，大大提高了BV，同時(shí)對(duì)Rdson上不產(chǎn)生影響。為什么有了這個(gè)深入襯底的P區(qū)，就能大大提高耐壓呢？ 對(duì)于常規(guī)VDMOS，反向耐壓，主要靠的是N型EPI與body區(qū)界面的PN結(jié)，對(duì)于一個(gè)PN結(jié)，耐壓時(shí)主要靠的是耗盡區(qū)承受，耗盡區(qū)內(nèi)的電場(chǎng)大小、耗盡區(qū)擴(kuò)展的寬度的面積，也就是下圖中的淺綠色部分，就是承受電壓的大小。常規(guī)VDMOS，P body濃度要大于N EPI， PN結(jié)耗盡區(qū)主要向低參雜一側(cè)擴(kuò)散，所以此結(jié)構(gòu)下，P body區(qū)域一側(cè)，耗盡區(qū)擴(kuò)展很小，基本對(duì)承壓沒有多大貢獻(xiàn)，承壓主要是P body－－N EPI在N型的一側(cè)區(qū)域，這個(gè)區(qū)域的電場(chǎng)強(qiáng)度是逐漸變化的，越是靠近PN結(jié)面（a圖的A結(jié)），電場(chǎng)強(qiáng)度E越大。所以形成的淺綠色面積有呈現(xiàn)梯形。
上傳時(shí)間： 2013-11-11
上傳用戶：小眼睛LSL
開關(guān)電源設(shè)計(jì)與開發(fā) 資料
標(biāo)簽： 開關(guān)電源設(shè)計(jì)
上傳時(shí)間： 2014-12-24
上傳用戶：38553903210
開關(guān)電源設(shè)計(jì)資料
標(biāo)簽： 開關(guān)電源 設(shè)計(jì)實(shí)例 調(diào)試
上傳時(shí)間： 2013-11-08
上傳用戶：李哈哈哈
HT45F23 MCU 含有兩個(gè)運(yùn)算放大器，OPA1 和OPA2，可用於用戶特定的模擬信號(hào)處理，通 過控制暫存器，OPA 相關(guān)的應(yīng)用可以很容易實(shí)現(xiàn)。本文主要介紹OPA 的操作，暫存器設(shè)定 以及基本OPA 應(yīng)用，例如：同相放大器、反相放大器和電壓跟隨器。 HT45F23 運(yùn)算放大器OPA1/OPA2 具有多個(gè)開關(guān)，輸入路徑可選以及多種參考電壓選擇，此 外OPA2 內(nèi)部有8 種增益選項(xiàng)，直接通過軟體設(shè)定。適應(yīng)於各種廣泛的應(yīng)用。
上傳時(shí)間： 2013-11-21
上傳用戶：immanuel2006
假定從8位AD中讀取數(shù)據(jù)（如果是更高位的AD可定義數(shù)據(jù)類型為int),子程序?yàn)間et_ad(); 1、限幅濾波法（又稱程序判斷濾波法） A、方法： 根據(jù)經(jīng)驗(yàn)判斷，確定兩次采樣允許的最大偏差值（設(shè)為A） 每次檢測(cè)到新值時(shí)判斷： 如果本次值與上次值之差<=A,則本次值有效 如果本次值與上次值之差>A,則本次值無效,放棄本次值,用上次值代替本次值 B、優(yōu)點(diǎn)： 能有效克服因偶然因素引起的脈沖干擾 C、缺點(diǎn) 無法抑制那種周期性的干擾 平滑度差 /* A值可根據(jù)實(shí)際情況調(diào)整 value為有效值，new_value為當(dāng)前采樣值 濾波程序返回有效的實(shí)際值 */ #define A 10 char value; char filter() { char new_value; new_value = get_ad(); if ( ( new_value - value > A ) || ( value - new_value > A ) return value; return new_value; } 2、中位值濾波法 A、方法： 連續(xù)采樣N次（N取奇數(shù)） 把N次采樣值按大小排列 取中間值為本次有效值 B、優(yōu)點(diǎn)： 能有效克服因偶然因素引起的波動(dòng)干擾 對(duì)溫度、液位的變化緩慢的被測(cè)參數(shù)有良好的濾波效果 C、缺點(diǎn)： 對(duì)流量、速度等快速變化的參數(shù)不宜 /* N值可根據(jù)實(shí)際情況調(diào)整 排序采用冒泡法*/
上傳時(shí)間： 2014-12-26
上傳用戶：nanshan
電梯召喚、指令信號(hào)的傳輸大致有以下三種方法。 1 一一對(duì)應(yīng)連線方法，即每只召喚或指令的傳輸單獨(dú)占據(jù)一路線。2．矩陣掃描傳輸方式，這種方式的傳輸將召喚或指令按鈕分為n行和n列排列，在行列的各個(gè)交點(diǎn)處串入一只召喚或指令按鈕。
上傳時(shí)間： 2014-12-27
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