SI4463收發(fā)器性能如下：頻率范圍= 119-1050 MHz接收靈敏度= -126 dBm調(diào)制（G）FSK，4（G）FSK，（G）MSK OOK最大輸出功率+20 dBm（Si4464 / 63）低有功功耗10/13 mA RX18 mA TX + 10 dBm（Si4460）超低功耗模式30 nA關(guān)機(jī)，50 nA待機(jī)數(shù)據(jù)速率= 100 bps至1 Mbps快速的喚醒和跳躍時間電源= 1.8至3.6 V優(yōu)異的選擇性能60 dB相鄰?fù)ǖ? MHz時75 dB阻塞天線分集和T / R開關(guān)控制高可配置的數(shù)據(jù)包處理程序TX和RX 64字節(jié)FIFO自動頻率控制（AFC）自動增益控制（AGC）低BOM低電量檢測器溫度感應(yīng)器20引腳QFN封裝IEEE 802.15.4g兼容
上傳時間： 2022-06-19
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光伏發(fā)電的研究是當(dāng)今國內(nèi)外研究的一個熱點，因為它的實現(xiàn)及應(yīng)用為目前人類面臨的許多問題如：能源危機(jī)、環(huán)境污染等提供了解決途徑。光伏發(fā)電有著非常廣泛的應(yīng)用前景，在人類越來越重視可持續(xù)發(fā)展的今天，太陽能擁有其他能源所沒有的各種優(yōu)點如：幾乎足取之不盡用之不渴的，清潔無污染等，這使它受到人們越來越多的關(guān)注，成為最有希望替代傳統(tǒng)能源的新能源之本文實現(xiàn)了一種通過單片機(jī)控制開關(guān)電源使光伏電池給苗電池充電的設(shè)計方案。軟件上，對現(xiàn)有的常用最大功率點跟蹤（MPPT）算法進(jìn)行了研究和分析，并選用電導(dǎo)增量法對最大功幸點跟蹤，實現(xiàn)了系統(tǒng)工作的高效率。硬件上，系統(tǒng)使用單片機(jī)通過PWM控制同步整流電路，并運用閉環(huán)控制，精確采樣電壓值和電流值形成反饋。同時，軟件和硬件都對系統(tǒng)進(jìn)行了保護(hù)，實現(xiàn)了系統(tǒng)工作的安全性和可靠性。通過實驗測試，給出了系統(tǒng)實際使用結(jié)果，并對系統(tǒng)進(jìn)行了功率損耗分析，由結(jié)果可知，系統(tǒng)工作正常，達(dá)到了預(yù)期的性能.
標(biāo)簽： 最大功率跟蹤 mppt 脈寬調(diào)制
上傳時間： 2022-06-19
上傳用戶：trh505
AC-DC 5V1A專用小功率開關(guān)電源DK106（PCB源文件+變壓器參數(shù)+BOM清單）.
標(biāo)簽： 開關(guān)電源 pcb 變壓器
上傳時間： 2022-06-19
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本文主要是基于氮化鋅（GaN）器件射頻功率放大電路的設(shè)計，在s波段頻率范圍內(nèi)，應(yīng)用CREE公司的氮化稼（GaN）高電子遷移速率品體管（CGH40010和CGH40045）進(jìn)行的寬帶功率放大電路設(shè)計.主要工作有以下幾個方面：首先，設(shè)計功放匹配電路。在2.7GHz~3.5GHz頻帶范圍內(nèi)，對中間級和末級功放晶體管進(jìn)行穩(wěn)定性分析并設(shè)置其靜態(tài)工作點，繼而進(jìn)行寬帶阻抗匹配電路的設(shè)計。本文采用雙分支平衡漸變線拓?fù)潆娐方Y(jié)構(gòu)，使用ADS軟件對其進(jìn)行仿真優(yōu)化，設(shè)計出滿足指標(biāo)要求的匹配電路。具體指標(biāo)如下：通帶寬度為800MHz，在通帶范圍內(nèi)的增益dB（S（2，1）>）10dB、駐波比VSWR1<2.VSWR2<2，3dB輸出功率壓縮點分別大于40dBm46dBm，效率大于40%.其次，設(shè)計功放偏置電源電路。電路要求是負(fù)電壓控制正電壓并帶有過流保護(hù)功能，借助Orcad模擬電路仿真軟件，設(shè)計出滿足要求的電源電路。最后，分別運用AutoCAD和Altium Designer Summer 08制圖軟件，繪制了功率放大電路和偏置電源電路的印制電路板，并通過對硬件電路的調(diào)試，最終使得整體電路滿足了設(shè)計性能的要求。
上傳時間： 2022-06-20
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射頻功率放大器在雷達(dá)、無線通信、導(dǎo)航、衛(wèi)星通訊、電子對抗設(shè)備等系統(tǒng)中有著廣泛的應(yīng)用，是現(xiàn)代無線通信的關(guān)鍵設(shè)備.與傳統(tǒng)的行被放大器相比，射頻固態(tài)功率放大器具有體積小、動態(tài)范圍大、功耗低、壽命長等一系列優(yōu)點；由于射頻功率放大器在軍事和個人通信系統(tǒng)中的地位非常重要，使得功率放大器的研制變得十分重要，因此對該課題的研究具有非常重要的意義.設(shè)計射頻集成功率放大器的常見工藝有GaAs，SiGe BiCMOS和CMOS等.GaAs工藝具有較好的射頻特性和輸出功率能力，但其價格昂貴，工藝一致性差；CMOS工藝的功率輸出能力不大，很難應(yīng)用于高輸出功率的場合；而SiGe BiCMOS工藝的性能介于GaAS和CMOS工藝之間，價格相對低廉并和CMOS電路兼容，非常適合于中功率應(yīng)用場合.本文介紹了應(yīng)用與無線局域網(wǎng)和Ka波段的射頻集成功率放大器的設(shè)計和實現(xiàn)，分別使用了CMOS，SiGe BiCMOS，GaAs三種工藝.（1）由SMIC 0.18um CMOS工藝實現(xiàn)的放大器工作頻率為2.4GHz，采用了兩級共源共柵電路結(jié)構(gòu)，在5V電源電壓下仿真結(jié)果為小信號增益22dB左右，1dB壓縮點處輸出功率為20dBm左右且功率附加教率PAE大于15%，最大飽和輸出功率大于24dBm且PAE大于20%，芯片面積為1.4mm*0.96mm；（2）由IBM SPAE 0.35um SiGe BiCMOS工藝實現(xiàn)的功率放大器工作頻率為5.25GHz，分為前置推動級和末級功率級，電源電壓為3.3V，仿真結(jié)果為小信號增益28dB左右，1dB壓縮點處輸出功率大于26dBm，功率附加效率大于15%，最大飽和輸出功率為29.5dBm，芯片面積為1.56mm"1.2mm；（3）由WIN 0.15um GaAs工藝實現(xiàn)的功率放大器工作頻率為27-32GHz，使用了三級功率放大器結(jié)構(gòu)，在電源電壓為5V下仿真結(jié)果為1dB壓縮點的輸出功率Pras 26dBm，增益在20dB以上，最大飽和輸出功率為29.9dBm且PAE大于25%，芯片面積為2.76mm"1.15mm.論文按照電路設(shè)計、仿真、版圖設(shè)計、流片和芯片測試的順序詳細(xì)介紹了功率放大器芯片的設(shè)計過程，對三種工藝實現(xiàn)的功率放大器進(jìn)行了對比，并通過各自的仿真結(jié)果對出現(xiàn)的問題進(jìn)行了詳盡的分析。
上傳時間： 2022-06-20
上傳用戶：shjgzh
論文主要工作如下：一是從功率放大器的物理結(jié)構(gòu)上分析了射頻功率放大器非線性特性產(chǎn)生的原因及其對通信系統(tǒng)的影響，討論了功率放大器的非線性分析模型，即冪級數(shù)分析模型，Volterra級數(shù)分析模型和諧波平衡分析模型，并簡要的說明了它們各自的特點，總結(jié)出了諧波平衡分析法的優(yōu)點，指出它適合用于射頻功率放大器的大信號非線性分析.二是分析了射頻功率放大器偏置和匹配電路設(shè)計中的一些基本問題，比較了有源和無源偏置網(wǎng)絡(luò)的優(yōu)缺點，討論了輸入、輸出匹配電路和級間匹配電路設(shè)計的重點問題。介紹了負(fù)載牽引設(shè)計方法，它是在具備功率管大信號模型的基礎(chǔ)上對負(fù)載和源進(jìn)行牽引仿真，從而確定輸出、輸入阻抗。三是在射頻功率放大器的設(shè)計過程中，主要使用了ADS軟件進(jìn)行輔助分析設(shè)計.正是通過對軟件功能的充分應(yīng)用，替代了射頻功半放大器設(shè)計中許多原來需要人工進(jìn)行的運算工作，提高了工作效率。從仿真結(jié)果來看，都達(dá)到了預(yù)期的設(shè)計目標(biāo)，驗證說明了ADS仿真軟件在射頻功率放大電路設(shè)計方面的實用性與優(yōu)越性，具有繼續(xù)進(jìn)行深入研究的價值。
上傳時間： 2022-06-20
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在現(xiàn)代無線通信系統(tǒng)中，射頻終端的功率放大器的性能指標(biāo)影響著整個通信系統(tǒng)的好壞，它的線性特性和功率轉(zhuǎn)換效率等的研究正成為研究熱點。在此背景下，研究設(shè)計出了一個工作在800MHz，用于移動設(shè)備終端的功率放大器。研究中，我們采用ADS進(jìn)行了性能仿真，得到了該放大器的性能指標(biāo)。針對制板時的電路原理圖和布線，分析了板圖布局的電磁兼容特性，并給出了仿真結(jié)果。最后采用Protel根據(jù)電路原理圖設(shè)計了板圖。本文的主要貢獻(xiàn)如下：1、介紹了射頻功率放大器的基本技術(shù)，包括分類、性能指標(biāo)、演進(jìn)和設(shè)計要求等。研究了當(dāng)前如何改進(jìn)放大器的線性性能的主要技術(shù)，如功率回退法、前饋技術(shù)、反饋技術(shù)及預(yù)失真技術(shù)等。同時研究了功率放大器的功率轉(zhuǎn)換效率特性和提高效率的一些措施。2、研究設(shè)計了一個工作在800MHz用于移動終端的功率放大器。完成了從系統(tǒng)到電路的匹配和優(yōu)化的全過程，并進(jìn)行了性能仿真。3、采用功率回退線性化技術(shù)，進(jìn)一步優(yōu)化該放大器的性能指標(biāo)，包括輸出功率、增益、三階交調(diào)、1dB增益壓縮點、效率、頻譜特性等性能參數(shù)。仿真結(jié)果表明，放大器的性能得到了進(jìn)一步的提升。
標(biāo)簽： 射頻功率放大器
上傳時間： 2022-06-20
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本文把所研制的IGBT驅(qū)動保護(hù)電路應(yīng)用在電磁感應(yīng)加熱系統(tǒng)上，并且針對注塑機(jī)的特點設(shè)計了一款電磁感應(yīng)加熱系統(tǒng)。其中包括整流濾波電路、半橋逆變電路、控制電路、驅(qū)動電路和溫度、電流等檢測電路。本文的另一個重點分析了IGBT對驅(qū)動保護(hù)電路的要求，并且研制了一種單管IGBT驅(qū)動保護(hù)電路和一種IGBT半橋模塊驅(qū)動保護(hù)電路。單管1GBT驅(qū)動電路的功能比較簡單，只具有軟關(guān)斷和過流保護(hù)功能。而IGBT半橋模塊驅(qū)動保護(hù)電路功能比較多，具有軟關(guān)斷、互鎖、電平轉(zhuǎn)換、錯誤信號電平轉(zhuǎn)換、過流保護(hù)、供電電壓監(jiān)視、電源隔離和脈沖隔離電路等保護(hù)功能，適用于中大功率的IGBT半橋模塊驅(qū)動。在電磁感應(yīng)加熱部分介紹了電磁感應(yīng)加熱的工作原理，分析了串并聯(lián)諧振逆變器的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)和特點。根據(jù)注塑機(jī)的實際應(yīng)用設(shè)計了兩款主電路的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，一款是針對小功率部分加熱的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，是單管IGBT的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，另一款是針對中大功率加熱部分的半橋IGBT拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)。另外介紹了電磁感應(yīng)加熱的控制電路以及采用模糊PID算法對注塑機(jī)料筒進(jìn)行溫度監(jiān)控調(diào)節(jié)。最后通過對系統(tǒng)的仿真和實驗調(diào)試表明整個感應(yīng)加熱系統(tǒng)滿足實際應(yīng)用要求，運行可靠，適合于再注塑機(jī)行業(yè)中推廣。最后，總結(jié)了本文的研究內(nèi)容，并在此基礎(chǔ)上對以后的工作做出了簡單的展望。
標(biāo)簽： 電磁感應(yīng)加熱系統(tǒng) igbt 功率模塊
上傳時間： 2022-06-21
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本論文主要研究自激式RF電源的功率控制，主要分為七個部分：第部分主要介紹ICP儀器的發(fā)展歷史、RF電源的主流技術(shù)路線及國內(nèi)外研究現(xiàn)狀，指出了存在的部分問題，確立了本文研究主題。第二部分簡介了ICP儀器的系統(tǒng)結(jié)構(gòu)，重點介紹等離子炬光源以及自激式RF電源。首先從系統(tǒng)的角度介紹了ICP儀器的組成及工作原理，然后對等離子矩光源的產(chǎn)生條件及生成機(jī)理作了說明，并且對其在點火過程中表現(xiàn)的負(fù)載特性作了分析，最后從ICP儀器的分析性能方面說明了它對RF電源的設(shè)計要求，明確RF電源的設(shè)計指標(biāo)。第三部分詳細(xì)介紹了自激式RF電源的實現(xiàn)原理。按照信號流向首先介紹了作為跟蹤等離子矩特性的振蕩源——鎖相環(huán)的原理，分別對其中的鑒相器、環(huán)路濾波器、壓控振蕩器和驅(qū)動電路等做了詳細(xì)介紹。然后介紹了高頻功率放大器的原理，確定了主要元件參數(shù)，并介紹了適用于自激式RF電源的電路結(jié)構(gòu)。最后對阻抗匹配原理作了介紹，并重點介紹了集中參數(shù)元件匹配網(wǎng)絡(luò)。第四部分詳細(xì)介紹了本文所做的設(shè)計工作，包含軟硬件設(shè)計。這部分仍然是按信號流向作說明，根據(jù)自激式RF電源的結(jié)構(gòu)特點，針對這幾部分選擇合適的電路結(jié)構(gòu)、元件參數(shù)等設(shè)計完成鎖相環(huán)路、高效率E類推挽功率放大電路以及阻抗匹配網(wǎng)絡(luò)。除此之外，還包括電路中的主要信號采樣與檢測、熱設(shè)計、電磁兼容設(shè)計以及軟件部分的設(shè)計說明。第五部分對本文采取的功率控制流程與策略作詳細(xì)說明，介紹了如何通過改善控制流程和控制策略以提高RF電源性能。第六部分對所設(shè)計的RF電源進(jìn)行了測試，表明本設(shè)計達(dá)到了預(yù)定的設(shè)計指標(biāo)，說明此方法的可行性與實用性，并且分析了等離子炬的負(fù)載變化過程，對RF電源的設(shè)計提供了有益的參考。第七部分作了全文總結(jié)與展望。所設(shè)計RF電源成功點燃等離子炬，期間通過對RF電源的測試，并在ICP-AES整機(jī)上進(jìn)行了系統(tǒng)驗證，測試證明所設(shè)計的自激式RF電源與同類電源相比性能有所提升。
上傳時間： 2022-06-23
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設(shè)計要求：① 電路輸出功率大于4W，負(fù)載8Ω；② 頻率響應(yīng) 20~20KHz；③ 失真小，輸出波形基本不失真；④輸入阻抗不低于47KΩ；⑤輸入靈敏度為100mV。針對要求，文檔提供設(shè)計方案，并對方案進(jìn)行仿真驗證。仿真通過Multisim軟件。
上傳時間： 2022-06-30
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