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  • 多路18b20測溫顯示系統(tǒng),可同時測量n個第三18b20

    多路18b20測溫顯示系統(tǒng),可同時測量n個第三18b20

    標簽: 18b20 多路 測溫 顯示系統(tǒng)

    上傳時間: 2013-08-21

    上傳用戶:zhangchu0807

  • 使8051能訪問整個128KB的RAM空間和128KB的FlashRom空間,在CPLD內(nèi)建兩個寄存器\r\n

    8051工作于11.0592MHZ,RAM擴展為128KB的628128,FlashRom擴展為128KB的AT29C010A\r\n 128KB的RAM分成4個區(qū)(Bank) 地址分配為0x0000-0x7FFF\r\n 128KB的FlashRom分成8個區(qū)(Bank) 地址分配為0x8000-0xBFFF\r\n 為了使8051能訪問整個128KB的RAM空間和128KB的FlashRom空間,在CPLD內(nèi)建兩個寄存器\r\n RamBankReg和FlashRomBankReg用于存放高位地址

    標簽: 128 FlashRom 8051 KB

    上傳時間: 2013-08-30

    上傳用戶:cainaifa

  • 自己現(xiàn)在用的CPLD下載線原理圖用74HC244芯片\r\n

    自己現(xiàn)在用的CPLD下載線,用74HC244芯片\r\n要注意設置下載模式

    標簽: CPLD 244 74 HC

    上傳時間: 2013-08-31

    上傳用戶:dancnc

  • <快學易用Protel99se>\r\n

    \r\n經(jīng)典的Protel99se入門教程,孫輝著北京郵電大學出版社出版

    標簽: Protel 99 se

    上傳時間: 2013-09-11

    上傳用戶:Yukiseop

  • MT-003 了解SINAD、ENOB、SNR、THD、THD + N、SFDR,不在噪底中迷失

    用于定量表示ADC動態(tài)性能的常用指標有六個,分別是:SINAD(信納比)、ENOB(有效位 數(shù))、SNR(信噪比)、THD(總諧波失真)、THD + N(總諧波失真加噪聲)和SFDR(無雜散動態(tài) 范圍)

    標簽: THD SINAD ENOB SFDR

    上傳時間: 2014-01-22

    上傳用戶:魚哥哥你好

  • 數(shù)位與類比PC TV Dongle的設計

    Dongle泛指任何能插到電腦上的小型硬體,PC TV dongle則是用來在PC上觀看電視節(jié)目所用的擴充裝置。一般來說,依照採用的電視訊號規(guī)格,PC TV dongle可區(qū)分成兩大類:若使用的訊源為數(shù)位訊號,則屬於數(shù)位PC TV dongle;若使用的是類比訊號,則屬於類比PC TV dongle。全球各地皆有不同的採納階段,且推行的廣播標準也不盡相同。

    標簽: Dongle TV 數(shù)位

    上傳時間: 2013-12-12

    上傳用戶:lifangyuan12

  • 基于N溝道MOS管H橋驅(qū)動電路設計與制作

    基于N溝道MOS管H橋驅(qū)動電路設計與制作

    標簽: MOS N溝道 H橋驅(qū)動 電路設計

    上傳時間: 2014-08-01

    上傳用戶:1109003457

  • 采用歸零法的N進制計數(shù)器原理

    計數(shù)器是一種重要的時序邏輯電路,廣泛應用于各類數(shù)字系統(tǒng)中。介紹以集成計數(shù)器74LS161和74LS160為基礎,用歸零法設計N進制計數(shù)器的原理與步驟。用此方法設計了3種36進制計數(shù)器,并用Multisim10軟件進行仿真。計算機仿真結果表明設計的計數(shù)器實現(xiàn)了36進制計數(shù)的功能。基于集成計數(shù)器的N進制計數(shù)器設計方法簡單、可行,運用Multisim 10進行電子電路設計和仿真具有省時、低成本、高效率的優(yōu)越性。

    標簽: 歸零法 N進制計數(shù)器原

    上傳時間: 2013-10-11

    上傳用戶:gtzj

  • p-n結的隧道擊穿模型研究

    在理論模型的基礎上探討了電子勢壘的形狀以及勢壘形狀隨外加電壓的變化, 并進行定量計算, 得出隧穿電壓隨雜質(zhì)摻雜濃度的變化規(guī)律。所得結論與硅、鍺p-n 結實驗數(shù)據(jù)相吻合, 證明了所建立的理論模型在定量 研究p-n 結的隧道擊穿中的合理性與實用性。該理論模型對研究一般材料或器件的隧道擊穿具有重要的借鑒意義。

    標簽: p-n 隧道 擊穿 模型研究

    上傳時間: 2013-10-31

    上傳用戶:summery

  • 在單端應用中采用差分I/O放大器

      Recent advances in low voltage silicon germaniumand BiCMOS processes have allowed the design andproduction of very high speed amplifi ers. Because theprocesses are low voltage, most of the amplifi er designshave incorporated differential inputs and outputs to regainand maximize total output signal swing. Since many lowvoltageapplications are single-ended, the questions arise,“How can I use a differential I/O amplifi er in a single-endedapplication?” and “What are the implications of suchuse?” This Design Note addresses some of the practicalimplications and demonstrates specifi c single-endedapplications using the 3GHz gain-bandwidth LTC6406differential I/O amplifi er.

    標簽: 單端應用 差分 放大器

    上傳時間: 2013-11-23

    上傳用戶:rocketrevenge

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