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模式探討

  • STM32 PWM輸入模式

    在本站下載的一個文檔,講的是STM32的PWM輸入模式,并不是我想找的文檔,貢獻(xiàn)出來,對別人也許有用。

    標(biāo)簽: STM PWM 32 輸入

    上傳時間: 2013-07-13

    上傳用戶:咔樂塢

  • Spartan-3E 系列中的串行外設(shè)接口 (SPI) 配置模式

    本應(yīng)用指南講述 Spartan-3E 系列中的串行外設(shè)接口 (SPI) 配置模式。SPI 配置模式拓寬了SpartanTM-3E 設(shè)計人員可以使用的配置解決方案。SPI Flash 存儲器件引腳少、封裝外形小而且貨源廣泛。本指南討論用 SPI Flash 存儲器件配置 Spartan-3E FPGA 所需的連接

    標(biāo)簽: Spartan SPI 串行 外設(shè)接口

    上傳時間: 2013-08-08

    上傳用戶:helmos

  • 8051對FPGA的讀寫操作(FPGA和總線模式下的通信)

    主要實現(xiàn)FPGA和總線模式下的通信可以實現(xiàn)8051對FPGA的讀寫操作

    標(biāo)簽: FPGA 8051 讀寫操作 總線

    上傳時間: 2013-08-09

    上傳用戶:chendawei

  • 基于QUARTUSII軟件 實現(xiàn)FPGA(ATERA CYCLONE II系列)與SD卡SD模式通信源碼

    基于QUARTUSII軟件 實現(xiàn)FPGA(ATERA CYCLONE II系列)與SD卡SD模式通信\r\n所用語言位verilog HDL

    標(biāo)簽: QUARTUSII CYCLONE ATERA FPGA

    上傳時間: 2013-08-20

    上傳用戶:it男一枚

  • 并口epp模式下與fpga通信例子

    并口epp模式下與fpga通信例子,附源碼

    標(biāo)簽: fpga epp 并口 模式

    上傳時間: 2013-09-03

    上傳用戶:caiqinlin

  • 基于新型CCCII電流模式二階帶通濾波器設(shè)計

    針對傳統(tǒng)第二代電流傳輸器(CCII)電壓跟隨不理想的問題,提出了新型第二代電流傳輸器(CCCII)并通過采用新型第二代電流傳輸器(CCCII)構(gòu)成二階電流模式帶通濾波器,此濾波器只需使用2個電流傳輸器和2個電容即可完成設(shè)計。設(shè)計結(jié)構(gòu)簡單,其中心頻率可由電流傳輸器的偏置電流控制。利用HSpice軟件仿真分析并驗證了理論設(shè)計的準(zhǔn)確性和可行性。

    標(biāo)簽: CCCII 電流模式 二階 帶通濾波器設(shè)計

    上傳時間: 2013-11-15

    上傳用戶:jqy_china

  • HHT方法在探地雷達(dá)回波信號特征提取上的應(yīng)用

    探地雷達(dá)回波信號是一種非平穩(wěn)非線性信號,其中不僅包含地下埋藏物的目標(biāo)信號,還包含有可能掩藏目標(biāo)信號的直達(dá)波信號,給目標(biāo)的識別帶來困難。文中采用HHT方法對探地雷達(dá)回波信號進(jìn)行特征分析,提取回波信號的IMF分量的瞬時頻率作為特征向量。實驗結(jié)果表明,用HHT方法提取特征可較好的避免直達(dá)波影響,該方法是可行而有效的,為進(jìn)一步鑒別地下埋藏物提供了新的思想和方法。

    標(biāo)簽: HHT 探地雷達(dá) 回波信號 特征提取

    上傳時間: 2013-10-22

    上傳用戶:hjkhjk

  • 基于新型CCCII的電流模式積分電路

    介紹了廣泛應(yīng)用于各種電流模式電路的第二代電流控制電流傳輸器原件的跨導(dǎo)線性環(huán)特性和端口特性,以及其基本組成共源共柵電流鏡,并提出了基于共源共柵電流鏡的新型COMS電流傳輸器。在此基礎(chǔ)上,設(shè)計了基于電流控制電流傳輸器的電流模式積分電路,并利用Hspice軟件進(jìn)行輸入為正弦波和方波時的輸出波形的仿真驗證。

    標(biāo)簽: CCCII 電流模式 積分電路

    上傳時間: 2013-10-22

    上傳用戶:wtrl

  • 開關(guān)電源中功率MOSFET管損壞模式及分析

    結(jié)合功率MOSFET管不同的失效形態(tài),論述了功率MOSFET管分別在過電流和過電壓條件下?lián)p壞的模式,并說明了產(chǎn)生這樣的損壞形態(tài)的原因,也分析了功率MOSFET管在關(guān)斷及開通過程中發(fā)生失效形態(tài)的差別,從而為失效在關(guān)斷或在開通過程中發(fā)生損壞提供了判斷依據(jù)。給出了測試過電流和過電壓的電路圖。同時分析了功率MOSFET管在動態(tài)老化測試中慢速開通、在電池保護(hù)電路應(yīng)用中慢速關(guān)斷及較長時間工作在線性區(qū)時損壞的形態(tài)。最后,結(jié)合實際應(yīng)用,論述了功率MOSFET通常會產(chǎn)生過電流和過電壓二種混合損壞方式損壞機(jī)理和過程。

    標(biāo)簽: MOSFET 開關(guān)電源 功率

    上傳時間: 2013-11-14

    上傳用戶:dongqiangqiang

  • 峰值電流模式的單片式DCDC變換器設(shè)計

    峰值電流模式的單片式DCDC變換器設(shè)計

    標(biāo)簽: DCDC 峰值電流 單片式 變換器

    上傳時間: 2014-12-24

    上傳用戶:debuchangshi

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