電路板裝配、PCB 布局和數(shù)字 IC 集成的進(jìn)步造就了新一代的高密度安裝、高性能繫統(tǒng)。
標(biāo)簽： DCDC 10A 性能 微型模塊
上傳時間： 2013-10-17
上傳用戶：RQB123
HT45F23 MCU 含有兩個運(yùn)算放大器，OPA1 和OPA2，可用於用戶特定的模擬信號處理，通 過控制暫存器，OPA 相關(guān)的應(yīng)用可以很容易實(shí)現(xiàn)。本文主要介紹OPA 的操作，暫存器設(shè)定 以及基本OPA 應(yīng)用，例如：同相放大器、反相放大器和電壓跟隨器。 HT45F23 運(yùn)算放大器OPA1/OPA2 具有多個開關(guān)，輸入路徑可選以及多種參考電壓選擇，此 外OPA2 內(nèi)部有8 種增益選項(xiàng)，直接通過軟體設(shè)定。適應(yīng)於各種廣泛的應(yīng)用。
標(biāo)簽： 45F F23 OPA HT
上傳時間： 2013-11-21
上傳用戶：immanuel2006
多路電壓采集系統(tǒng)一、實(shí)驗(yàn)?zāi)康模保煜た删幊绦酒珹DC0809，8253的工作過程，掌握它們的編程方法。２．加深對所學(xué)知識的理解并學(xué)會應(yīng)用所學(xué)的知識，達(dá)到在應(yīng)用中掌握知識的目的。 二、實(shí)驗(yàn)內(nèi)容與要求1．基本要求通過一個A/D轉(zhuǎn)換器循環(huán)采樣4路模擬電壓，每隔一定時間去采樣一次，一次按順序采樣4路信號。A/D轉(zhuǎn)換器芯片AD0809將采樣到的模擬信號轉(zhuǎn)換為數(shù)字信號，轉(zhuǎn)換完成后，CPU讀取數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換結(jié)果，并將結(jié)果送入外設(shè)即CRT/LED顯示，顯示包括電壓路數(shù)和數(shù)據(jù)值。2． 提高要求 (1) 可以實(shí)現(xiàn)循環(huán)采集和選擇采集2種方式。（2）在CRT上繪制電壓變化曲線。 三、實(shí)驗(yàn)報告要求 １．設(shè)計目的和內(nèi)容 ２．總體設(shè)計 ３．硬件設(shè)計：原理圖（接線圖）及簡要說明 ４．軟件設(shè)計框圖及程序清單５．設(shè)計結(jié)果和體會（包括遇到的問題及解決的方法） 四、總體設(shè)計設(shè)計思路如下：1) 4路模擬電壓信號通過4個電位器提供0-5V的電壓信號。2) 選擇ADC0809芯片作為A/D轉(zhuǎn)換器，4路輸入信號分別接到ADC0809的IN0—IN4通道，每隔一定的時間采樣一次，采完一路采集下一路，4路電壓循環(huán)采集。3) 利用3個LED數(shù)碼管顯示數(shù)據(jù)，1個數(shù)碼管用來顯示輸入電壓路數(shù)，3個數(shù)碼管用來顯示電壓采樣值。4) 延時由8253定時/計數(shù)器來實(shí)現(xiàn)。 五、硬件電路設(shè)計根據(jù)設(shè)計思路，硬件主要利用了微機(jī)實(shí)驗(yàn)平臺上的ADC0809模數(shù)轉(zhuǎn)換器、8253定時/計數(shù)器以及LED顯示輸出等模塊。電路原理圖如下：1．基本接口實(shí)驗(yàn)板部分1) 電位計模塊，4個電位計輸出4路1－5V的電壓信號。2) ADC0809模數(shù)轉(zhuǎn)換器，將4路電壓信號接到IN0－IN3，ADD_A、ADD_B、ADD_C分別接A0、A1、A2，CS_AD接CS0時，4個采樣通道對應(yīng)的地址分別為280H—283H。3) 延時模塊，8253和8255組成延時電路。8255的PA0接到8253的OUT0，程序中查詢計數(shù)是否結(jié)束。硬件電路圖如圖1所示。 圖1 基本實(shí)驗(yàn)板上的電路圖實(shí)驗(yàn)板上的LED顯示部分實(shí)驗(yàn)板上主要用到了LED數(shù)碼管顯示電路，插孔CS1用于數(shù)碼管段碼的輸出選通，插孔CS2用于數(shù)碼管位選信號的輸出選通。電路圖如圖2所示。
標(biāo)簽： 多路 電壓采集
上傳時間： 2013-11-06
上傳用戶：sunchao524
摘要: 串行傳輸技術(shù)具有更高的傳輸速率和更低的設(shè)計成本, 已成為業(yè)界首選, 被廣泛應(yīng)用于高速通信領(lǐng)域。提出了一種新的高速串行傳輸接口的設(shè)計方案, 改進(jìn)了Aurora 協(xié)議數(shù)據(jù)幀格式定義的弊端, 并采用高速串行收發(fā)器Rocket I/O, 實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)率為2.5 Gbps的高速串行傳輸。關(guān)鍵詞: 高速串行傳輸; Rocket I/O; Aurora 協(xié)議 為促使FPGA 芯片與串行傳輸技術(shù)更好地結(jié)合以滿足市場需求, Xilinx 公司適時推出了內(nèi)嵌高速串行收發(fā)器RocketI/O 的Virtex II Pro 系列FPGA 和可升級的小型鏈路層協(xié)議———Aurora 協(xié)議。Rocket I/O支持從622 Mbps 至3.125 Gbps的全雙工傳輸速率, 還具有8 B/10 B 編解碼、時鐘生成及恢復(fù)等功能, 可以理想地適用于芯片之間或背板的高速串行數(shù)據(jù)傳輸。Aurora 協(xié)議是為專有上層協(xié)議或行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的上層協(xié)議提供透明接口的第一款串行互連協(xié)議, 可用于高速線性通路之間的點(diǎn)到點(diǎn)串行數(shù)據(jù)傳輸, 同時其可擴(kuò)展的帶寬, 為系統(tǒng)設(shè)計人員提供了所需要的靈活性[4]。但該協(xié)議幀格式的定義存在弊端,會導(dǎo)致系統(tǒng)資源的浪費(fèi)。本文提出的設(shè)計方案可以改進(jìn)Aurora 協(xié)議的固有缺陷,提高系統(tǒng)性能, 實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)率為2.5 Gbps 的高速串行傳輸, 具有良好的可行性和廣闊的應(yīng)用前景。
標(biāo)簽： Rocket 2.5 高速串行 收發(fā)器
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上傳時間： 2013-10-13
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特點(diǎn) 精確度0.05%滿刻度 可顯示與產(chǎn)生精密直流毫安電流,直流電壓,頻率(脈波) 可模擬90度相位差脈波輸出功能 高解析度類比輸出功能(15bit DAC) 類比輸出范圍0至20.000毫安培(0至10.000伏特) 寬范圍頻率輸出功能10Hz至4KHz 寬范圍脈波輸出功能1至10000個 尺寸小,穩(wěn)定性高
標(biāo)簽： 微電腦 產(chǎn)生器 精密直流 電流
上傳時間： 2013-11-03
上傳用戶：yy_cn
LVDS技術(shù)： 低電壓差分訊號(LVDS)在對訊號完整性、低抖動及共模特性要求較高的系統(tǒng)中得到了廣泛的應(yīng)用。本文針對LVDS與其他幾種介面標(biāo)準(zhǔn)之間的連接，對幾種典型的LVDS介面電路進(jìn)行了討論
標(biāo)簽： LVDS 差分 模 系統(tǒng)
上傳時間： 2014-01-13
上傳用戶：stvnash
在互補(bǔ)式金氧半(CMOS)積體電路中，隨著量產(chǎn)製程的演進(jìn)，元件的尺寸已縮減到深次微 米(deep-submicron)階段，以增進(jìn)積體電路(IC)的性能及運(yùn)算速度，以及降低每顆晶片的製造 成本。但隨著元件尺寸的縮減，卻出現(xiàn)一些可靠度的問題。 在次微米技術(shù)中，為了克服所謂熱載子(Hot-Carrier)問題而發(fā)展出 LDD(Lightly-Doped Drain) 製程與結(jié)構(gòu); 為了降低 CMOS 元件汲極(drain)與源極(source)的寄生電阻(sheet resistance) Rs 與 Rd，而發(fā)展出 Silicide 製程; 為了降低 CMOS 元件閘級的寄生電阻 Rg，而發(fā)展出 Polycide 製 程 ; 在更進(jìn)步的製程中把 Silicide 與 Polycide 一起製造，而發(fā)展出所謂 Salicide 製程
標(biāo)簽： Protection CMOS ESD ICs in
上傳時間： 2020-06-05
上傳用戶：shancjb
盡量全面地敘述CMOS圖像傳感器集成電路芯片的原理、結(jié)構(gòu)、應(yīng)用、設(shè)計方法和流程。第1章講述有關(guān)技術(shù)背景和發(fā)展歷程、CMOS圖像傳感器的特點(diǎn)和應(yīng)用。第2章講述CMOS圖像傳感器集成電路的基本結(jié)構(gòu)和主要技術(shù)指標(biāo)，簡述CMOS工藝技術(shù)和VLSI設(shè)計方法和流程。面向從事CMOS圖像傳感器集成電路芯片設(shè)計的工程師和圖像應(yīng)用系統(tǒng)的項(xiàng)目設(shè)計規(guī)劃者，以及電子電路與系統(tǒng)專業(yè)的學(xué)生、模數(shù)混合CMOS VLSI設(shè)計人員和關(guān)心現(xiàn)代電子科技發(fā)展的人士。
標(biāo)簽： cmos 圖像傳感器 集成電路
上傳時間： 2022-04-20
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CCD 和CMOS 的區(qū)別一、CCD 和CMOS 在制造上的主要區(qū)別是CCD 是集成在半導(dǎo)體單晶材料上，而CMOS 是集成在被稱做金屬氧化物的半導(dǎo)體材料上，工作原理沒有本質(zhì)的區(qū)別。CCD 只有少數(shù)幾個廠商例如索尼、松下等掌握這種技術(shù)。而且CCD 制造工藝較復(fù)雜，采用CCD 的攝像頭價格都會相對比較貴。事實(shí)上經(jīng)過技術(shù)改造，目前CCD 和CMOS 的實(shí)際效果的差距已經(jīng)減小了不少。而且CMOS 的制造成本和功耗都要低于CCD 不少，所以很多攝像頭生產(chǎn)廠商采用的CMOS 感光元件。成像方面：在相同像素下CCD 的成像通透性、明銳度都很好，色彩還原、曝光可以保證基本準(zhǔn)確。而CMOS 的產(chǎn)品往往通透性一般，對實(shí)物的色彩還原能力偏弱， 曝光也都不太好， 由于自身物理特性的原因， CMOS 的成像質(zhì)量和CCD還是有一定距離的。但由于低廉的價格以及高度的整合性， 因此在攝像頭領(lǐng)域還是得到了廣泛的應(yīng)用。
標(biāo)簽： ccd cmos 攝像機(jī)
上傳時間： 2022-06-23
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