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機(jī)(jī)架電源

  • X波段低相噪跳頻源的設(shè)計(jì)

    結(jié)合直接數(shù)字頻率合成(DDS)和鎖相環(huán)(PLL)技術(shù)完成了X波段低相噪本振跳頻源的設(shè)計(jì)。文章通過(guò)軟件仿真重點(diǎn)分析了本振跳頻源的低相噪設(shè)計(jì)方法,同時(shí)給出了主要的硬件選擇和詳細(xì)電路設(shè)計(jì)過(guò)程。最后對(duì)樣機(jī)的測(cè)試結(jié)果表明,本方案具有相位噪聲低、頻率控制靈活等優(yōu)點(diǎn),滿足了實(shí)際工程應(yīng)用。

    標(biāo)簽: X波段 跳頻源

    上傳時(shí)間: 2013-11-12

    上傳用戶:jiwy

  • 共源共柵兩級(jí)運(yùn)放中兩種補(bǔ)償方法的比較

    給出了兩種應(yīng)用于兩級(jí)CMOS 運(yùn)算放大器的密勒補(bǔ)償技術(shù)的比較,用共源共柵密勒補(bǔ)償技術(shù)設(shè)計(jì)出的CMOS 運(yùn)放與直接密勒補(bǔ)償相比,具有更大的單位增益帶寬、更大的擺率和更小的信號(hào)建立時(shí)間等優(yōu)點(diǎn),還可以在達(dá)到相同補(bǔ)償效果的情況下極大地減小版圖尺寸. 通過(guò)電路級(jí)小信號(hào)等效電路的分析和仿真,對(duì)兩種補(bǔ)償技術(shù)進(jìn)行比較,結(jié)果驗(yàn)證了共源共柵密勒補(bǔ)償技術(shù)相對(duì)于直接密勒補(bǔ)償技術(shù)的優(yōu)越性.

    標(biāo)簽: 共源共柵 運(yùn)放 補(bǔ)償 比較

    上傳時(shí)間: 2013-10-14

    上傳用戶:gengxiaochao

  • CMOS工藝下高擺幅共源共柵偏置電路

    共源共柵級(jí)放大器可提供較高的輸出阻抗和減少米勒效應(yīng),在放大器領(lǐng)域有很多的應(yīng)用。本文提出一種COMS工藝下簡(jiǎn)單的高擺幅共源共柵偏置電路,且能應(yīng)用于任意電流密度。根據(jù)飽和電壓和共源共柵級(jí)電流密度的定義,本文提出器件寬長(zhǎng)比與輸出電壓擺幅的關(guān)系,并設(shè)計(jì)一種高擺幅的共源共柵級(jí)偏置電路。

    標(biāo)簽: CMOS 工藝 共源共柵 偏置電路

    上傳時(shí)間: 2013-10-08

    上傳用戶:debuchangshi

  • 二階有源低通濾波電路分析

    設(shè)計(jì)一種壓控電壓源型二階有源低通濾波電路,并利用Multisim10仿真軟件對(duì)電路的頻率特性、特征參量等進(jìn)行了仿真分析,仿真結(jié)果與理論設(shè)計(jì)一致,為有源濾波器的電路設(shè)計(jì)提供了EDA手段和依據(jù)。

    標(biāo)簽: 二階 有源低通濾波 電路分析

    上傳時(shí)間: 2013-11-12

    上傳用戶:名爵少年

  • 使用時(shí)鐘PLL的源同步系統(tǒng)時(shí)序分析

    使用時(shí)鐘PLL的源同步系統(tǒng)時(shí)序分析一)回顧源同步時(shí)序計(jì)算Setup Margin = Min Clock Etch Delay – Max Data Etch Delay – Max Delay Skew – Setup TimeHold Margin = Min Data Etch Delay – Max Clock Etch Delay + Min Delay Skew + Data Rate – Hold Time下面解釋以上公式中各參數(shù)的意義:Etch Delay:與常說(shuō)的飛行時(shí)間(Flight Time)意義相同,其值并不是從仿真直接得到,而是通過(guò)仿真結(jié)果的后處理得來(lái)。請(qǐng)看下面圖示:圖一為實(shí)際電路,激勵(lì)源從輸出端,經(jīng)過(guò)互連到達(dá)接收端,傳輸延時(shí)如圖示Rmin,Rmax,F(xiàn)min,F(xiàn)max。圖二為對(duì)應(yīng)輸出端的測(cè)試負(fù)載電路,測(cè)試負(fù)載延時(shí)如圖示Rising,F(xiàn)alling。通過(guò)這兩組值就可以計(jì)算得到Etch Delay 的最大和最小值。

    標(biāo)簽: PLL 時(shí)鐘 同步系統(tǒng) 時(shí)序分析

    上傳時(shí)間: 2013-11-05

    上傳用戶:VRMMO

  • 時(shí)鐘分相技術(shù)應(yīng)用

    摘要: 介紹了時(shí)鐘分相技術(shù)并討論了時(shí)鐘分相技術(shù)在高速數(shù)字電路設(shè)計(jì)中的作用。 關(guān)鍵詞: 時(shí)鐘分相技術(shù); 應(yīng)用 中圖分類號(hào): TN 79  文獻(xiàn)標(biāo)識(shí)碼:A   文章編號(hào): 025820934 (2000) 0620437203 時(shí)鐘是高速數(shù)字電路設(shè)計(jì)的關(guān)鍵技術(shù)之一, 系統(tǒng)時(shí)鐘的性能好壞, 直接影響了整個(gè)電路的 性能。尤其現(xiàn)代電子系統(tǒng)對(duì)性能的越來(lái)越高的要求, 迫使我們集中更多的注意力在更高頻率、 更高精度的時(shí)鐘設(shè)計(jì)上面。但隨著系統(tǒng)時(shí)鐘頻率的升高。我們的系統(tǒng)設(shè)計(jì)將面臨一系列的問(wèn) 題。 1) 時(shí)鐘的快速電平切換將給電路帶來(lái)的串?dāng)_(Crosstalk) 和其他的噪聲。 2) 高速的時(shí)鐘對(duì)電路板的設(shè)計(jì)提出了更高的要求: 我們應(yīng)引入傳輸線(T ransm ission L ine) 模型, 并在信號(hào)的匹配上有更多的考慮。 3) 在系統(tǒng)時(shí)鐘高于100MHz 的情況下, 應(yīng)使用高速芯片來(lái)達(dá)到所需的速度, 如ECL 芯 片, 但這種芯片一般功耗很大, 再加上匹配電阻增加的功耗, 使整個(gè)系統(tǒng)所需要的電流增大, 發(fā) 熱量增多, 對(duì)系統(tǒng)的穩(wěn)定性和集成度有不利的影響。 4) 高頻時(shí)鐘相應(yīng)的電磁輻射(EM I) 比較嚴(yán)重。 所以在高速數(shù)字系統(tǒng)設(shè)計(jì)中對(duì)高頻時(shí)鐘信號(hào)的處理應(yīng)格外慎重, 盡量減少電路中高頻信 號(hào)的成分, 這里介紹一種很好的解決方法, 即利用時(shí)鐘分相技術(shù), 以低頻的時(shí)鐘實(shí)現(xiàn)高頻的處 理。 1 時(shí)鐘分相技術(shù) 我們知道, 時(shí)鐘信號(hào)的一個(gè)周期按相位來(lái)分, 可以分為360°。所謂時(shí)鐘分相技術(shù), 就是把 時(shí)鐘周期的多個(gè)相位都加以利用, 以達(dá)到更高的時(shí)間分辨。在通常的設(shè)計(jì)中, 我們只用到時(shí)鐘 的上升沿(0 相位) , 如果把時(shí)鐘的下降沿(180°相位) 也加以利用, 系統(tǒng)的時(shí)間分辨能力就可以 提高一倍(如圖1a 所示)。同理, 將時(shí)鐘分為4 個(gè)相位(0°、90°、180°和270°) , 系統(tǒng)的時(shí)間分辨就 可以提高為原來(lái)的4 倍(如圖1b 所示)。 以前也有人嘗試過(guò)用專門的延遲線或邏輯門延時(shí)來(lái)達(dá)到時(shí)鐘分相的目的。用這種方法產(chǎn)生的相位差不夠準(zhǔn)確, 而且引起的時(shí)間偏移(Skew ) 和抖動(dòng) (J itters) 比較大, 無(wú)法實(shí)現(xiàn)高精度的時(shí)間分辨。 近年來(lái)半導(dǎo)體技術(shù)的發(fā)展, 使高質(zhì)量的分相功能在一 片芯片內(nèi)實(shí)現(xiàn)成為可能, 如AMCC 公司的S4405, CY2 PRESS 公司的CY9901 和CY9911, 都是性能優(yōu)異的時(shí)鐘 芯片。這些芯片的出現(xiàn), 大大促進(jìn)了時(shí)鐘分相技術(shù)在實(shí)際電 路中的應(yīng)用。我們?cè)谶@方面作了一些嘗試性的工作: 要獲得 良好的時(shí)間性能, 必須確保分相時(shí)鐘的Skew 和J itters 都 比較小。因此在我們的設(shè)計(jì)中, 通常用一個(gè)低頻、高精度的 晶體作為時(shí)鐘源, 將這個(gè)低頻時(shí)鐘通過(guò)一個(gè)鎖相環(huán)(PLL ) , 獲得一個(gè)較高頻率的、比較純凈的時(shí)鐘, 對(duì)這個(gè)時(shí)鐘進(jìn)行分相, 就可獲得高穩(wěn)定、低抖動(dòng)的分 相時(shí)鐘。 這部分電路在實(shí)際運(yùn)用中獲得了很好的效果。下面以應(yīng)用的實(shí)例加以說(shuō)明。2 應(yīng)用實(shí)例 2. 1 應(yīng)用在接入網(wǎng)中 在通訊系統(tǒng)中, 由于要減少傳輸 上的硬件開(kāi)銷, 一般以串行模式傳輸 圖3 時(shí)鐘分為4 個(gè)相位 數(shù)據(jù), 與其同步的時(shí)鐘信號(hào)并不傳輸。 但本地接收到數(shù)據(jù)時(shí), 為了準(zhǔn)確地獲取 數(shù)據(jù), 必須得到數(shù)據(jù)時(shí)鐘, 即要獲取與數(shù) 據(jù)同步的時(shí)鐘信號(hào)。在接入網(wǎng)中, 數(shù)據(jù)傳 輸?shù)慕Y(jié)構(gòu)如圖2 所示。 數(shù)據(jù)以68MBös 的速率傳輸, 即每 個(gè)bit 占有14. 7ns 的寬度, 在每個(gè)數(shù)據(jù) 幀的開(kāi)頭有一個(gè)用于同步檢測(cè)的頭部信息。我們要找到與它同步性好的時(shí)鐘信號(hào), 一般時(shí)間 分辨應(yīng)該達(dá)到1ö4 的時(shí)鐘周期。即14. 7ö 4≈ 3. 7ns, 這就是說(shuō), 系統(tǒng)時(shí)鐘頻率應(yīng)在300MHz 以 上, 在這種頻率下, 我們必須使用ECL inp s 芯片(ECL inp s 是ECL 芯片系列中速度最快的, 其 典型門延遲為340p s) , 如前所述, 這樣對(duì)整個(gè)系統(tǒng)設(shè)計(jì)帶來(lái)很多的困擾。 我們?cè)谶@里使用鎖相環(huán)和時(shí)鐘分相技術(shù), 將一個(gè)16MHz 晶振作為時(shí)鐘源, 經(jīng)過(guò)鎖相環(huán) 89429 升頻得到68MHz 的時(shí)鐘, 再經(jīng)過(guò)分相芯片AMCCS4405 分成4 個(gè)相位, 如圖3 所示。 我們只要從4 個(gè)相位的68MHz 時(shí)鐘中選擇出與數(shù)據(jù)同步性最好的一個(gè)。選擇的依據(jù)是: 在每個(gè)數(shù)據(jù)幀的頭部(HEAD) 都有一個(gè)8bit 的KWD (KeyWord) (如圖1 所示) , 我們分別用 這4 個(gè)相位的時(shí)鐘去鎖存數(shù)據(jù), 如果經(jīng)某個(gè)時(shí)鐘鎖存后的數(shù)據(jù)在這個(gè)指定位置最先檢測(cè)出這 個(gè)KWD, 就認(rèn)為下一相位的時(shí)鐘與數(shù)據(jù)的同步性最好(相關(guān))。 根據(jù)這個(gè)判別原理, 我們?cè)O(shè)計(jì)了圖4 所示的時(shí)鐘分相選擇電路。 在板上通過(guò)鎖相環(huán)89429 和分相芯片S4405 獲得我們所要的68MHz 4 相時(shí)鐘: 用這4 個(gè) 時(shí)鐘分別將輸入數(shù)據(jù)進(jìn)行移位, 將移位的數(shù)據(jù)與KWD 作比較, 若至少有7bit 符合, 則認(rèn)為檢 出了KWD。將4 路相關(guān)器的結(jié)果經(jīng)過(guò)優(yōu)先判選控制邏輯, 即可輸出同步性最好的時(shí)鐘。這里, 我們運(yùn)用AMCC 公司生產(chǎn)的 S4405 芯片, 對(duì)68MHz 的時(shí)鐘進(jìn)行了4 分 相, 成功地實(shí)現(xiàn)了同步時(shí)鐘的獲取, 這部分 電路目前已實(shí)際地應(yīng)用在某通訊系統(tǒng)的接 入網(wǎng)中。 2. 2 高速數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)中的應(yīng)用 高速、高精度的模擬- 數(shù)字變換 (ADC) 一直是高速數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)的關(guān)鍵部 分。高速的ADC 價(jià)格昂貴, 而且系統(tǒng)設(shè)計(jì) 難度很高。以前就有人考慮使用多個(gè)低速 圖5 分相技術(shù)應(yīng)用于采集系統(tǒng) ADC 和時(shí)鐘分相, 用以替代高速的ADC, 但由 于時(shí)鐘分相電路產(chǎn)生的相位不準(zhǔn)確, 時(shí)鐘的 J itters 和Skew 比較大(如前述) , 容易產(chǎn)生較 大的孔徑晃動(dòng)(Aperture J itters) , 無(wú)法達(dá)到很 好的時(shí)間分辨。 現(xiàn)在使用時(shí)鐘分相芯片, 我們可以把分相 技術(shù)應(yīng)用在高速數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)中: 以4 分相后 圖6 分相技術(shù)提高系統(tǒng)的數(shù)據(jù)采集率 的80MHz 采樣時(shí)鐘分別作為ADC 的 轉(zhuǎn)換時(shí)鐘, 對(duì)模擬信號(hào)進(jìn)行采樣, 如圖5 所示。 在每一采集通道中, 輸入信號(hào)經(jīng)過(guò) 緩沖、調(diào)理, 送入ADC 進(jìn)行模數(shù)轉(zhuǎn)換, 采集到的數(shù)據(jù)寫入存儲(chǔ)器(M EM )。各個(gè) 采集通道采集的是同一信號(hào), 不過(guò)采樣 點(diǎn)依次相差90°相位。通過(guò)存儲(chǔ)器中的數(shù) 據(jù)重組, 可以使系統(tǒng)時(shí)鐘為80MHz 的采 集系統(tǒng)達(dá)到320MHz 數(shù)據(jù)采集率(如圖6 所示)。 3 總結(jié) 靈活地運(yùn)用時(shí)鐘分相技術(shù), 可以有效地用低頻時(shí)鐘實(shí)現(xiàn)相當(dāng)于高頻時(shí)鐘的時(shí)間性能, 并 避免了高速數(shù)字電路設(shè)計(jì)中一些問(wèn)題, 降低了系統(tǒng)設(shè)計(jì)的難度。

    標(biāo)簽: 時(shí)鐘 分相 技術(shù)應(yīng)用

    上傳時(shí)間: 2013-12-17

    上傳用戶:xg262122

  • 電流源和電壓源的區(qū)別

    電壓源電流源名字上僅差一個(gè)字…HE HE.有一些朋友對(duì)此不太明白.所以特此說(shuō)明下…并以軟件仿真…詳細(xì)介紹工作原理…以及注意事項(xiàng)….下面就是電壓源和電流的符號(hào)…左邊是電流源,右邊是電壓源. 電壓源…電壓源其實(shí)就是我們普通經(jīng)常用的一種電源.比如說(shuō)電池呀電瓶或自己做的穩(wěn)壓電路.一般屬于電壓源… 電壓源的特性是: 輸出端,可以開(kāi)路,但不能短路…總而言之電壓源的輸出電壓是恒定的…比如5V 電壓源輸出的電壓就是5V.隨不同的負(fù)載會(huì)改變電流…比如在5V 的電壓源上加一個(gè)1 歐的負(fù)載… 流過(guò)的電流就是5/1=5A 電流… 如果接的電阻為2 歐.流過(guò)電流就等于5/2=2.5A….這個(gè)簡(jiǎn)單的計(jì)算相信誰(shuí)都會(huì)…電流源電流源和電壓源區(qū)別比較大…電流源輸出端不能開(kāi)路,但可以短路…為什么不能開(kāi)路呢…HE HE…是因?yàn)殚_(kāi)路了…電流源輸出的電壓就為無(wú)限高了…(實(shí)際上電壓也是有一定值的)總而言之電流源的輸出電流是恒定的.不管你負(fù)載的大小…就是你短路了.他的電流還是保持不變.改變的是電壓…比如一個(gè)1A的恒流源…你接上一個(gè)1歐的負(fù)載…他輸出的電壓是.1x1=1V 電壓…當(dāng)你接上一個(gè)10 歐電阻的時(shí)候…他就是1x10=10V電壓輸出…

    標(biāo)簽: 電流源 電壓源

    上傳時(shí)間: 2013-10-08

    上傳用戶:kaixinxin196

  • 有源濾波器建模與控制策略研究

    合理利用有效的控制策略提高有源濾波器的本身的補(bǔ)償性能越來(lái)越成為各國(guó)學(xué)者研究重點(diǎn)。本文從有源濾波器的數(shù)學(xué)模型出發(fā),詳述有源濾波器的數(shù)學(xué)建模過(guò)程。并且針對(duì)諧波電流的檢測(cè)需要較高的準(zhǔn)確度和較好的實(shí)時(shí)性以及有源濾波器工作時(shí)的非線性與不確定性的特點(diǎn),基于瞬時(shí)無(wú)功功率補(bǔ)償法的諧波電流檢測(cè)方法。有效的計(jì)算出電網(wǎng)中諧波電流、無(wú)功以及負(fù)序電流。并根據(jù)該算法的特點(diǎn),將實(shí)時(shí)檢測(cè)出的畸變電流通過(guò)控制算法,研制的有源濾波器可對(duì)不對(duì)稱三相負(fù)載起到平衡作用。在MATLAB/simulink平臺(tái)下搭建仿真模型,與傳統(tǒng)的有源濾波器進(jìn)行對(duì)比,仿真結(jié)果表明這種有源濾波器能夠更加迅速、精確的補(bǔ)償諧波電流。

    標(biāo)簽: 有源濾波器 建模 控制策略

    上傳時(shí)間: 2013-10-10

    上傳用戶:風(fēng)行天下

  • PCB被動(dòng)組件的隱藏特性解析

    PCB 被動(dòng)組件的隱藏特性解析 傳統(tǒng)上,EMC一直被視為「黑色魔術(shù)(black magic)」。其實(shí),EMC是可以藉由數(shù)學(xué)公式來(lái)理解的。不過(guò),縱使有數(shù)學(xué)分析方法可以利用,但那些數(shù)學(xué)方程式對(duì)實(shí)際的EMC電路設(shè)計(jì)而言,仍然太過(guò)復(fù)雜了。幸運(yùn)的是,在大多數(shù)的實(shí)務(wù)工作中,工程師并不需要完全理解那些復(fù)雜的數(shù)學(xué)公式和存在于EMC規(guī)范中的學(xué)理依據(jù),只要藉由簡(jiǎn)單的數(shù)學(xué)模型,就能夠明白要如何達(dá)到EMC的要求。本文藉由簡(jiǎn)單的數(shù)學(xué)公式和電磁理論,來(lái)說(shuō)明在印刷電路板(PCB)上被動(dòng)組件(passivecomponent)的隱藏行為和特性,這些都是工程師想讓所設(shè)計(jì)的電子產(chǎn)品通過(guò)EMC標(biāo)準(zhǔn)時(shí),事先所必須具備的基本知識(shí)。導(dǎo)線和PCB走線導(dǎo)線(wire)、走線(trace)、固定架……等看似不起眼的組件,卻經(jīng)常成為射頻能量的最佳發(fā)射器(亦即,EMI的來(lái)源)。每一種組件都具有電感,這包含硅芯片的焊線(bond wire)、以及電阻、電容、電感的接腳。每根導(dǎo)線或走線都包含有隱藏的寄生電容和電感。這些寄生性組件會(huì)影響導(dǎo)線的阻抗大小,而且對(duì)頻率很敏感。依據(jù)LC 的值(決定自共振頻率)和PCB走線的長(zhǎng)度,在某組件和PCB走線之間,可以產(chǎn)生自共振(self-resonance),因此,形成一根有效率的輻射天線。在低頻時(shí),導(dǎo)線大致上只具有電阻的特性。但在高頻時(shí),導(dǎo)線就具有電感的特性。因?yàn)樽兂筛哳l后,會(huì)造成阻抗大小的變化,進(jìn)而改變導(dǎo)線或PCB 走線與接地之間的EMC 設(shè)計(jì),這時(shí)必需使用接地面(ground plane)和接地網(wǎng)格(ground grid)。導(dǎo)線和PCB 走線的最主要差別只在于,導(dǎo)線是圓形的,走線是長(zhǎng)方形的。導(dǎo)線或走線的阻抗包含電阻R和感抗XL = 2πfL,在高頻時(shí),此阻抗定義為Z = R + j XL j2πfL,沒(méi)有容抗Xc = 1/2πfC存在。頻率高于100 kHz以上時(shí),感抗大于電阻,此時(shí)導(dǎo)線或走線不再是低電阻的連接線,而是電感。一般而言,在音頻以上工作的導(dǎo)線或走線應(yīng)該視為電感,不能再看成電阻,而且可以是射頻天線。

    標(biāo)簽: PCB 被動(dòng)組件

    上傳時(shí)間: 2013-10-09

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  • 磁芯電感器的諧波失真分析

    磁芯電感器的諧波失真分析 摘  要:簡(jiǎn)述了改進(jìn)鐵氧體軟磁材料比損耗系數(shù)和磁滯常數(shù)ηB,從而降低總諧波失真THD的歷史過(guò)程,分析了諸多因數(shù)對(duì)諧波測(cè)量的影響,提出了磁心性能的調(diào)控方向。 關(guān)鍵詞:比損耗系數(shù), 磁滯常數(shù)ηB ,直流偏置特性DC-Bias,總諧波失真THD  Analysis on THD of the fer rite co res u se d i n i nductancShi Yan Nanjing Finemag Technology Co. Ltd., Nanjing 210033   Abstract:    Histrory of decreasing THD by improving the ratio loss coefficient and hysteresis constant of soft magnetic ferrite is briefly narrated. The effect of many factors which affect the harmonic wave testing is analysed. The way of improving the performance of ferrite cores is put forward.  Key words: ratio loss coefficient,hysteresis constant,DC-Bias,THD  近年來(lái),變壓器生產(chǎn)廠家和軟磁鐵氧體生產(chǎn)廠家,在電感器和變壓器產(chǎn)品的總諧波失真指標(biāo)控制上,進(jìn)行了深入的探討和廣泛的合作,逐步弄清了一些似是而非的問(wèn)題。從工藝技術(shù)上采取了不少有效措施,促進(jìn)了質(zhì)量問(wèn)題的迅速解決。本文將就此熱門話題作一些粗淺探討。  一、 歷史回顧 總諧波失真(Total harmonic distortion) ,簡(jiǎn)稱THD,并不是什么新的概念,早在幾十年前的載波通信技術(shù)中就已有嚴(yán)格要求<1>。1978年郵電部公布的標(biāo)準(zhǔn)YD/Z17-78“載波用鐵氧體罐形磁心”中,規(guī)定了高μQ材料制作的無(wú)中心柱配對(duì)罐形磁心詳細(xì)的測(cè)試電路和方法。如圖一電路所示,利用LC組成的150KHz低通濾波器在高電平輸入的情況下測(cè)量磁心產(chǎn)生的非線性失真。這種相對(duì)比較的實(shí)用方法,專用于無(wú)中心柱配對(duì)罐形磁心的諧波衰耗測(cè)試。 這種磁心主要用于載波電報(bào)、電話設(shè)備的遙測(cè)振蕩器和線路放大器系統(tǒng),其非線性失真有很嚴(yán)格的要求。  圖中  ZD   —— QF867 型阻容式載頻振蕩器,輸出阻抗 150Ω, Ld47 —— 47KHz 低通濾波器,阻抗 150Ω,阻帶衰耗大于61dB,       Lg88 ——并聯(lián)高低通濾波器,阻抗 150Ω,三次諧波衰耗大于61dB Ld88 ——并聯(lián)高低通濾波器,阻抗 150Ω,三次諧波衰耗大于61dB FD   —— 30~50KHz 放大器, 阻抗 150Ω, 增益不小于 43 dB,三次諧波衰耗b3(0)≥91 dB, DP  —— Qp373 選頻電平表,輸入高阻抗, L ——被測(cè)無(wú)心罐形磁心及線圈, C  ——聚苯乙烯薄膜電容器CMO-100V-707APF±0.5%,二只。 測(cè)量時(shí),所配用線圈應(yīng)用絲包銅電磁線SQJ9×0.12(JB661-75)在直徑為16.1mm的線架上繞制 120 匝, (線架為一格) , 其空心電感值為 318μH(誤差1%) 被測(cè)磁心配對(duì)安裝好后,先調(diào)節(jié)振蕩器頻率為 36.6~40KHz,  使輸出電平值為+17.4 dB, 即選頻表在 22′端子測(cè)得的主波電平 (P2)為+17.4 dB,然后在33′端子處測(cè)得輸出的三次諧波電平(P3), 則三次諧波衰耗值為:b3(+2)= P2+S+ P3 式中:S 為放大器增益dB 從以往的資料引證, 就可以發(fā)現(xiàn)諧波失真的測(cè)量是一項(xiàng)很精細(xì)的工作,其中測(cè)量系統(tǒng)的高、低通濾波器,信號(hào)源和放大器本身的三次諧波衰耗控制很嚴(yán),阻抗必須匹配,薄膜電容器的非線性也有相應(yīng)要求。濾波器的電感全由不帶任何磁介質(zhì)的大空心線圈繞成,以保證本身的“潔凈” ,不至于造成對(duì)磁心分選的誤判。 為了滿足多路通信整機(jī)的小型化和穩(wěn)定性要求, 必須生產(chǎn)低損耗高穩(wěn)定磁心。上世紀(jì) 70 年代初,1409 所和四機(jī)部、郵電部各廠,從工藝上改變了推板空氣窯燒結(jié),出窯后經(jīng)真空罐冷卻的落后方式,改用真空爐,并控制燒結(jié)、冷卻氣氛。技術(shù)上采用共沉淀法攻關(guān)試制出了μQ乘積 60 萬(wàn)和 100 萬(wàn)的低損耗高穩(wěn)定材料,在此基礎(chǔ)上,還實(shí)現(xiàn)了高μ7000~10000材料的突破,從而大大縮短了與國(guó)外企業(yè)的技術(shù)差異。當(dāng)時(shí)正處于通信技術(shù)由FDM(頻率劃分調(diào)制)向PCM(脈沖編碼調(diào)制) 轉(zhuǎn)換時(shí)期, 日本人明石雅夫發(fā)表了μQ乘積125 萬(wàn)為 0.8×10 ,100KHz)的超優(yōu)鐵氧體材料<3>,其磁滯系數(shù)降為優(yōu)鐵

    標(biāo)簽: 磁芯 電感器 諧波失真

    上傳時(shí)間: 2014-12-24

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