微弧氧化是一種新型的表面處理方法，利用該電路可輸出雙端不對稱的高壓脈沖，且脈沖幅值、頻率、占空比均在一定范圍內(nèi)連續(xù)可調(diào)。本文首先介紹了微弧氧化電源技術(shù)的發(fā)展現(xiàn)狀，然后對試驗(yàn)中使用過的幾種IGBT驅(qū)動(dòng)模塊M57959、2ED300、2SD315 3種驅(qū)動(dòng)電路的結(jié)構(gòu)、工作原理和使用性能做了詳細(xì)分析對比。實(shí)驗(yàn)表明，Eupec系列的2ED300驅(qū)動(dòng)電路結(jié)構(gòu)簡單，可靠性高，適用于大功率微弧氧化電源的驅(qū)動(dòng)。
標(biāo)簽： 鎂合金 氧化 可靠性分析 電源驅(qū)動(dòng)電路
上傳時(shí)間： 2014-01-21
上傳用戶：hahayou
氧化溝的設(shè)計(jì)方法討論 首先，氧化溝屬延時(shí)曝氣活性污泥工藝，其原理和參數(shù)已有大量文獻(xiàn)報(bào)道
標(biāo)簽： 氧化 設(shè)計(jì)方法
上傳時(shí)間： 2014-11-12
上傳用戶：lps11188
Matlab利用BP神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)和遺傳算法對煤在鍋爐內(nèi)的燃燒率及一（兒）氧化氮的排放量進(jìn)行優(yōu)化，以獲得最優(yōu)的燃燒率和最少的氧化氮排放
標(biāo)簽： Matlab BP神經(jīng)網(wǎng)絡(luò) 算法 氧化
上傳時(shí)間： 2017-04-24
上傳用戶：小眼睛LSL
聚乙烯（乙烯基取代的Terthiophene-Fullerene）被氣化的綜合在氧化銦電極上，而且它的電子的和光學(xué)的性質(zhì)可以測量。一個(gè)很大的超過3 μA/cm2 的光電流可以通過一個(gè)裝有甲基紫精的碘鎢燈以50 mW/cm2 的照射而被觀察到。
標(biāo)簽： Terthiophene-Fullerene 聚乙烯 氧化 電極
上傳時(shí)間： 2017-07-26
上傳用戶：zhuoying119
柵氧化層中BD的相關(guān)機(jī)制
標(biāo)簽： breakdown
上傳時(shí)間： 2015-05-07
上傳用戶：sunrems
選用8% ( 摩爾分?jǐn)?shù)) 氧化釔穩(wěn)定氧化鋯粉, 制成氧化鋯水系料漿。通過調(diào)節(jié)pH 值和分散劑含量, 利用測試zeta 電位、流變性質(zhì)、沉積實(shí)驗(yàn)、沉積顆粒形貌SEM 觀察等分析手段, 最終得到高分散、穩(wěn)定的氧化鋯料漿。
上傳時(shí)間： 2020-06-20
上傳用戶：xlin01
本書是納米氧化鈦光催化材料及應(yīng)用的一個(gè)專著。書中從氧化鈦晶體結(jié)構(gòu)和光催化基本原理入手，深入淺出地討論了納米氧化鈦品晶相、能帶結(jié)構(gòu)和譜學(xué)特性等多種與材料及光催化活性密切相關(guān)的科學(xué)問題。用較多篇幅介紹了多種制備氧化鈦納米晶薄膜、介孔材料上修飾氧化認(rèn)納米晶、骨架為結(jié)晶態(tài)的氧化鈦及氧化鈦復(fù)合光催化材料的方法以及如何通過控制合成條件制備高活性氧化鈦光催化材料。書中還結(jié)合實(shí)例介紹了光催化技術(shù)及氧化仗光催化材料在污水處理窄氣凈化、太陽能利用抗菌防霧、自清潔功能等方面的應(yīng)用技術(shù)。本書對從事納米氧化怯光催化材料制備和應(yīng)用研究的科技工作者有重要參考價(jià)值。
標(biāo)簽： 光催化材料
上傳時(shí)間： 2022-07-10
上傳用戶：
脈沖電暈法煙氣脫硫脫硝技術(shù)是利用電暈放電產(chǎn)生的高能電子與中性分子碰撞，產(chǎn)生自由基和活性粒子，在有氨加入的條件下，將SO2、NOx轉(zhuǎn)化為硫銨和硝銨。根據(jù)現(xiàn)有脈沖電暈法電源設(shè)備不能大規(guī)模工業(yè)化實(shí)踐應(yīng)用的缺點(diǎn)，設(shè)計(jì)了一種新型的高頻高壓交直流疊加的脫硫脫硝電源。 本文重點(diǎn)介紹了交、直流電源的工作原理，對電源中的串聯(lián)諧振情況進(jìn)行了具體的分析，交流電源采用串聯(lián)負(fù)載串聯(lián)諧振的工作方式，直流電源采用并聯(lián)負(fù)載串聯(lián)諧振的工作方式。通過變壓器升壓和諧振升壓，可使交流電壓的上升率大于200V/us，直流電壓可達(dá)到上萬伏。同時(shí)計(jì)算了電源的主要參數(shù)，為實(shí)驗(yàn)打下基礎(chǔ)。為了進(jìn)一步提高交流電壓的頻率，針對感性負(fù)載，采用全橋移相軟開關(guān)控制策略，為開關(guān)器件提供零電壓關(guān)斷條件。通過理論分析、仿真及實(shí)驗(yàn)對軟、硬開關(guān)過程及損耗進(jìn)行比較，證明軟開關(guān)對提高開關(guān)頻率的促進(jìn)作用。 為方便對交、直流電壓幅值進(jìn)行調(diào)節(jié)，設(shè)計(jì)了電源控制系統(tǒng)，采用兩個(gè)數(shù)字PID控制器，能同時(shí)對二者的幅值進(jìn)行控制，并以液晶和鍵盤作為人機(jī)交互界面，方便用戶的操作。 交直流疊加的電源可以使反應(yīng)器產(chǎn)生穩(wěn)定、寬范圍、有效的流光。交流電壓使放電增強(qiáng)，產(chǎn)生的自由基多，氧化脫除量增加。直流基壓驅(qū)使正離子和電子離開流光通道，自由基分布更廣，與SO2等接觸面增加，增強(qiáng)脫硫脫硝效果。 本文也對脫硫脫硝系統(tǒng)的電磁干擾情況進(jìn)行分析，并采用接地、屏蔽、隔離等方法提高系統(tǒng)的電磁兼容性能。
標(biāo)簽： 脫硫 大容量 控制系統(tǒng)
上傳時(shí)間： 2013-04-24
上傳用戶：6546544
近年來，隨著集成電路工藝技術(shù)的進(jìn)步，電子系統(tǒng)的構(gòu)成發(fā)生了兩個(gè)重要的變化： 一個(gè)是數(shù)字信號(hào)處理和數(shù)字電路成為系統(tǒng)的核心，一個(gè)是整個(gè)電子系統(tǒng)可以集成在一個(gè)芯片上（稱為片上系統(tǒng))。這些變化改變了模擬電路在電子系統(tǒng)中的作用，并且影響著模擬集成電路的發(fā)展。 數(shù)字電路不僅具有遠(yuǎn)遠(yuǎn)超過模擬電路的集成規(guī)模，而且具有可編程、靈活、易于附加功能、設(shè)計(jì)周期短、對噪聲和制造工藝誤差的抗擾性強(qiáng)等優(yōu)點(diǎn)，因而大多數(shù)復(fù)雜系統(tǒng)以數(shù)字信號(hào)處理和數(shù)字電路為核心已成為必然的趨勢。雖然如此，模擬電路仍然是電子系統(tǒng)中非常重要的組成部分。這是因?yàn)槲覀兘佑|到的外部世界的物理量主要都是模擬量，比如圖像、聲音、壓力、溫度、濕度、重量等，要將它們變換為數(shù)字信號(hào)，需要模擬信號(hào)處理和數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換電路，如果這些電路性能不夠高，將會(huì)影響整個(gè)系統(tǒng)的性能。其次，系統(tǒng)中的許多功能不可能或很難用數(shù)字電路完成，如微弱信號(hào)放大，很高頻率和寬頻帶信號(hào)的實(shí)時(shí)處理等。因此，雖然模擬電路在系統(tǒng)中不再是核心，但作為固有的模擬世界與數(shù)字系統(tǒng)的接口，其地位和作用仍然十分重要。 片上系統(tǒng)要求將數(shù)字電路和模擬電路集成在一個(gè)芯片上，這希望模擬電路使用與數(shù)字電路相同的制造工藝。隨著MOS器件的線寬不斷減小，使MOS器件的性能不斷提高，MOS數(shù)字電路成為數(shù)字集成電路的主流，并因此促進(jìn)了MOS模擬集成電路的迅速發(fā)展。為了適應(yīng)電子系統(tǒng)功能的不斷擴(kuò)展和性能的不斷提高，對模擬電路在降低電源電壓、提高工作頻率、擴(kuò)大線性工作范圍和提高性能指標(biāo)的精度和穩(wěn)定度等方面提出更高要求，促進(jìn)了新電路技術(shù)的發(fā)展。 作為研究生課程的教材，本書內(nèi)容是在本科相關(guān)課程基礎(chǔ)上的深化和擴(kuò)展，同時(shí)涉及實(shí)際設(shè)計(jì)中需要考慮的一些問題，重點(diǎn)介紹具有高工作頻率、低電源電壓和高工作穩(wěn)定性的新電路技術(shù)和在電子系統(tǒng)中占有重要地位的功能電路及其中的新技術(shù)。全書共7章，大致可分為三個(gè)部分。第一部分包括第1章和第7章。第1章為MOS模擬集成電路基礎(chǔ)，比較全面地介紹MOS器件的工作原理和特性以及由MOS器件構(gòu)成的基本單元電路，為學(xué)習(xí)本教材其他內(nèi)容提供必要的知識(shí)。由于版圖設(shè)計(jì)與工藝參數(shù)對模擬集成電路性能的影響很大，因此第7章簡單介紹制造MOS模擬集成電路的CMOS工藝過程和版圖設(shè)計(jì)技術(shù)，讀者可以通過對該章所介紹的相關(guān)背景知識(shí)的了解，更深入地理解MOS器件和電路的特性，有助于更好地完成模擬集成電路的可實(shí)現(xiàn)性設(shè)計(jì)。第二部分為新電路技術(shù)，由第2章、第3章和第5章的部分組成，包括近年來逐步獲得廣泛應(yīng)用的電流模電路、抽樣數(shù)據(jù)電路和對數(shù)域電路，它們在提高工作頻率、降低電源電壓、擴(kuò)大線性工作范圍和提高性能指標(biāo)的精度和穩(wěn)定度方面具有明顯的潛力，同時(shí)它們也引入了一些模擬電路的新概念。這些內(nèi)容有助于讀者開拓提高電路性能方面的思路。第2章介紹電流模電路的工作原理、特點(diǎn)和典型電路。與傳統(tǒng)的以電壓作為信號(hào)載體的電路不同，這是一種以電流作為信號(hào)載體的電路，雖然在電路中電壓和電流總是共同存在并相互作用的，但由于信號(hào)載體不同，不僅電路性能不同而且電路結(jié)構(gòu)也不同。第3章介紹抽樣數(shù)據(jù)電路的特點(diǎn)和開關(guān)電容與開關(guān)電流電路的工作原理、分析方法與典型電路。抽樣數(shù)據(jù)電路類似于數(shù)字電路，處理的是時(shí)間離散信號(hào)，又類似于模擬電路，處理的是幅度連續(xù)信號(hào)，它比模擬電路具有穩(wěn)定準(zhǔn)確的時(shí)間常數(shù)，解決了模擬電路實(shí)際應(yīng)用中的一大障礙。對數(shù)域電路在第5章中結(jié)合其在濾波器中的應(yīng)用介紹，這類電路除具有良好的電性能外，還提出了一種利用器件的非線性特性實(shí)現(xiàn)線性電路的新思路。第三部分介紹幾個(gè)模擬電路的功能模塊，它們是電子系統(tǒng)中的關(guān)鍵組成部分，并且與信號(hào)和信號(hào)處理聯(lián)系密切，有助于在信號(hào)和電路間形成整體觀念。這部分包括第4章至第6章。第4章介紹數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換電路的技術(shù)指標(biāo)和高精度與高速度轉(zhuǎn)換電路的構(gòu)成、工作原理、特點(diǎn)和典型電路。第5章介紹模擬集成濾波器的設(shè)計(jì)方法和主要類型，包括連續(xù)時(shí)間濾波器、對數(shù)域?yàn)V波器和抽樣數(shù)據(jù)濾波器。第6章介紹通信系統(tǒng)中的收發(fā)器與射頻前端電路，包括收信器、發(fā)信器的技術(shù)指標(biāo)、結(jié)構(gòu)和典型電路。因?yàn)檩d波通信系統(tǒng)傳輸?shù)氖悄M信號(hào)，射頻前端電路的性能對整個(gè)通信系統(tǒng)有直接的影響，所以射頻集成電路已成為重要的研究課題。 〖〗高等模擬集成電路〖〗〖〗前言〖〗〖〗本書是在為研究生開設(shè)的“高等模擬集成電路”課程講義的基礎(chǔ)上整理而成，由董在望主編，第1、4、7章由李冬梅編寫，第6章由王志華編寫，第5章由李永明和董在望編寫，第2、3章由董在望編寫，李國林參加了部分章節(jié)的校核工作。 本書可作為信息與通信工程和電子科學(xué)與技術(shù)學(xué)科相關(guān)課程的研究生教材或教學(xué)參考書，也可作為本科教學(xué)參考書或選修課教材和供相關(guān)專業(yè)的工程技術(shù)人員參考。 清華大學(xué)出版社多位編輯為本書的出版做了卓有成效的工作，深致謝意。 限于編者水平，難免有錯(cuò)誤和疏漏之處，歡迎批評(píng)指正。 目錄 1.1MOS器件基礎(chǔ)及器件模型 1.1.1結(jié)構(gòu)及工作原理 1.1.2襯底調(diào)制效應(yīng) 1.1.3小信號(hào)模型 1.1.4亞閾區(qū)效應(yīng) 1.1.5短溝效應(yīng) 1.1.6SPICE模型 1.2基本放大電路 1.2.1共源(CS)放大電路 1.2.2共漏(CD)放大電路 1.2.3共柵(CG)放大電路 1.2.4共源共柵(CSCG)放大電路 1.2.5差分放大電路 1.3電流源電路 1.3.1二極管連接的MOS器件 1.3.2基本鏡像電流源 1.3.3威爾遜電流源 1.3.4共源共柵電流源 1.3.5有源負(fù)載放大電路 1.4運(yùn)算放大器 1.4.1運(yùn)算放大器的主要參數(shù) 1.4.2單級(jí)運(yùn)算放大器 1.4.3兩級(jí)運(yùn)算放大器 1.4.4共模反饋(CMFB) 1.4.5運(yùn)算放大器的頻率補(bǔ)償 1.5模擬開關(guān) 1.5.1導(dǎo)通電阻 1.5.2電荷注入與時(shí)鐘饋通 1.6帶隙基準(zhǔn)電壓源 1.6.1工作原理 1.6.2與CMOS工藝兼容的帶隙基準(zhǔn)電壓源 思考題 2電流模電路 2.1概述 2.1.1電流模電路的概念 2.1.2電流模電路的特點(diǎn) 2.2基本電流模電路 2.2.1電流鏡電路 2.2.2電流放大器 2.2.3電流模積分器 2.3電流模功能電路 2.3.1跨導(dǎo)線性電路 2.3.2電流傳輸器 2.4從電壓模電路變換到電流模電路 2.5電流模電路中的非理想效應(yīng) 2.5.1MOSFET之間的失配 2.5.2寄生電容對頻率特性的影響 思考題 3抽樣數(shù)據(jù)電路 3.1開關(guān)電容電路和開關(guān)電流電路的基本分析方法 3.1.1開關(guān)電容電路的時(shí)域分析 3.1.2開關(guān)電流電路的時(shí)域分析 3.1.3抽樣數(shù)據(jù)電路的頻域分析 3.2開關(guān)電容電路 3.2.1開關(guān)電容單元電路 3.2.2開關(guān)電容電路的特點(diǎn) 3.2.3非理想因素的影響 3.3開關(guān)電流電路 3.3.1開關(guān)電流單元電路 3.3.2開關(guān)電流電路的特點(diǎn) 3.3.3非理想因素的影響 思考題 4A/D轉(zhuǎn)換器與D/A轉(zhuǎn)換器 4.1概述 4.1.1電子系統(tǒng)中的A/D與D/A轉(zhuǎn)換 4.1.2A/D與D/A轉(zhuǎn)換器的基本原理 4.1.3A/D與D/A轉(zhuǎn)換器的性能指標(biāo) 4.1.4A/D與D/A轉(zhuǎn)換器的分類 4.1.5A/D與D/A轉(zhuǎn)換器中常用的數(shù)碼類型 4.2高速A/D轉(zhuǎn)換器 4.2.1全并行結(jié)構(gòu)A/D轉(zhuǎn)換器 4.2.2兩步結(jié)構(gòu)A/D轉(zhuǎn)換器 4.2.3插值與折疊結(jié)構(gòu)A/D轉(zhuǎn)換器 4.2.4流水線結(jié)構(gòu)A/D轉(zhuǎn)換器 4.2.5交織結(jié)構(gòu)A/D轉(zhuǎn)換器 4.3高精度A/D轉(zhuǎn)換器 4.3.1逐次逼近型A/D轉(zhuǎn)換器 4.3.2雙斜率積分型A/D轉(zhuǎn)換器 4.3.3過采樣ΣΔA/D轉(zhuǎn)換器 4.4D/A轉(zhuǎn)換器 4.4.1電阻型D/A轉(zhuǎn)換器 4.4.2電流型D/A轉(zhuǎn)換器 4.4.3電容型D/A轉(zhuǎn)換器 思考題 5集成濾波器 5.1引言 5.1.1濾波器的數(shù)學(xué)描述 5.1.2濾波器的頻率特性 5.1.3濾波器設(shè)計(jì)的逼近方法 5.2連續(xù)時(shí)間濾波器 5.2.1連續(xù)時(shí)間濾波器的設(shè)計(jì)方法 5.2.2跨導(dǎo)電容（GmC）連續(xù)時(shí)間濾波器 5.2.3連續(xù)時(shí)間濾波器的片上自動(dòng)調(diào)節(jié)電路 5.3對數(shù)域?yàn)V波器 5.3.1對數(shù)域電路概念及其特點(diǎn) 5.3.2對數(shù)域電路基本單元 5.3.3對數(shù)域?yàn)V波器 5.4抽樣數(shù)據(jù)濾波器 5.4.1設(shè)計(jì)方法 5.4.2SZ域映射 5.4.3開關(guān)電容電路轉(zhuǎn)換為開關(guān)電流電路的方法 思考題 6收發(fā)器與射頻前端電路 6.1通信系統(tǒng)中的射頻收發(fā)器 6.2集成收信器 6.2.1外差式接收與鏡像信號(hào) 6.2.2復(fù)數(shù)信號(hào)處理 6.2.3收信器前端結(jié)構(gòu) 6.3集成發(fā)信器 6.3.1上變換器 6.3.2發(fā)信器結(jié)構(gòu) 6.4收發(fā)器的技術(shù)指標(biāo) 6.4.1噪聲性能 6.4.2靈敏度 6.4.3失真特性與線性度 6.4.4動(dòng)態(tài)范圍 6.5射頻電路設(shè)計(jì) 6.5.1晶體管模型與參數(shù) 6.5.2噪聲 6.5.3集成無源器件 6.5.4低噪聲放大器 6.5.5混頻器 6.5.6頻率綜合器 6.5.7功率放大器 思考題 7CMOS集成電路制造工藝及版圖設(shè)計(jì) 7.1集成電路制造工藝簡介 7.1.1單晶生長與襯底制備 7.1.2光刻 7.1.3氧化 7.1.4擴(kuò)散及離子注入 7.1.5化學(xué)氣相淀積（CVD） 7.1.6接觸與互連 7.2CMOS工藝流程與集成電路中的元件 7.2.1硅柵CMOS工藝流程 7.2.2CMOS集成電路中的無源元件 7.2.3CMOS集成電路中的寄生效應(yīng) 7.3版圖設(shè)計(jì) 7.3.1硅柵CMOS集成電路的版圖構(gòu)成 7.3.2版圖設(shè)計(jì)規(guī)則 7.3.3CMOS版圖設(shè)計(jì)技術(shù) 思考題
標(biāo)簽： 模擬集成電路
上傳時(shí)間： 2013-11-13
上傳用戶：chengxin
AL-BNR系列變壓器中性點(diǎn)接地電阻柜 中性點(diǎn)經(jīng)電阻接地可有效限制間歇弧光接地過電壓、降低系統(tǒng)操作過電壓、消除系統(tǒng)諧振過電壓、方便配置單相接地故障保護(hù)、可在短時(shí)間內(nèi)有效切除故障線路。從而降低系統(tǒng)設(shè)備的絕緣水平，延遲系統(tǒng)設(shè)備的使用壽命，提高系統(tǒng)運(yùn)行的安全可靠性。 保定市奧蘭電氣設(shè)備有限公司擁有一流的研發(fā)隊(duì)伍和精良的專用設(shè)備，專注于配電系統(tǒng)中性點(diǎn)接地保護(hù)系列產(chǎn)品、繼電保護(hù)裝置、過電壓保護(hù)裝置的研發(fā)、生產(chǎn)、銷售。公司所開發(fā)的系列AL-BNR變壓器中性點(diǎn)接地電阻柜是6-35KV配電網(wǎng)中變壓器中性點(diǎn)接地保護(hù)專用成套設(shè)備，目前已廣泛應(yīng)用于以電纜線路為主的城市配電網(wǎng)、大型工業(yè)企業(yè)、工廠、機(jī)場、港口、地鐵等重要電力用戶配電網(wǎng)以及發(fā)電廠廠用電系統(tǒng)。 產(chǎn)品采用優(yōu)質(zhì)進(jìn)口不銹鋼或國產(chǎn)不銹鋼電熱金屬材料，具有電導(dǎo)率高、溫度系數(shù)高、耐腐蝕、耐高溫、抗氧化能力強(qiáng)、抗拉強(qiáng)度高及阻值穩(wěn)定等優(yōu)良特點(diǎn)，產(chǎn)品運(yùn)行安全可靠。 中壓配電系統(tǒng)中，如果變壓器為三角形接法，則需加裝Z型接地變壓器，以便為系統(tǒng)人為引出中性點(diǎn)，以加裝中性點(diǎn)接地電阻。 1、針對性強(qiáng)，保護(hù)到位 AL-BNR變壓器中性點(diǎn)接地電阻柜適用于系統(tǒng)中性點(diǎn)采用小電阻或中電阻接地的場合。此時(shí)，電網(wǎng)出現(xiàn)單相接地故障時(shí)需立即跳閘切除故障線路。當(dāng)電網(wǎng)出現(xiàn)單相接地時(shí)，接地電阻向接地點(diǎn)提供附加阻性電流，使接地電流呈阻容性質(zhì)，從而保證產(chǎn)生的過電壓不超過2.6倍的相電壓。 2、結(jié)構(gòu)緊湊，便于安裝 AL-BNR變壓器中性點(diǎn)接地電阻柜將零散的Z型接地變壓器（如系統(tǒng)無中性點(diǎn)引出則需加裝）、電阻器、電流互感器、測量儀表、接地保護(hù)輸出端子等電器設(shè)備整體組合在一個(gè)封閉金屬柜內(nèi)，而且可以選配隔離開關(guān)、避雷器，成套供貨，安全可靠性高，布置清晰整齊，便于安裝調(diào)試及操作維護(hù)。 3、選材考究，充分保證產(chǎn)品質(zhì)量 AL-BNR變壓器中性點(diǎn)接地電阻柜內(nèi)的接地變壓器為優(yōu)質(zhì)干式變壓器，其一次繞組為“Z”形接線；電阻器采用不銹鋼鎳鉻合金（Cr20Ni80）材料制成，導(dǎo)電率高、通流能力強(qiáng)、耐高溫、最高使用溫度可達(dá)1600℃；溫度系數(shù)≤ -0.045% /℃、阻值穩(wěn)定、耐腐蝕、防燃防爆、可靠性高。用合金材料組成的電阻全部采用電阻單元，以 多個(gè)單元采用亞弧焊接而成框架式結(jié)構(gòu)，電阻單元采用耐高溫絕緣子（高分子）支撐連接。根據(jù)不同的客戶要求我公司可提供進(jìn)口電阻器。 4、監(jiān)測功能齊全，并提供模擬量輸出 AL-BNR變壓器中性點(diǎn)接地電阻柜可加裝智能監(jiān)控裝置，可監(jiān)測電阻柜正常運(yùn)行狀態(tài)下中性點(diǎn)不平衡電流、電阻片、電阻柜內(nèi)的溫度，也可以監(jiān)測發(fā)生單相接地故障瞬間的電流以及記錄接地動(dòng)作次數(shù)，并預(yù)留通訊接口，可將檢測、記錄的信息傳遞至主控室，使運(yùn)行人員在第一時(shí)間內(nèi)得到信息。 5、技術(shù)力量雄厚，服務(wù)周到 我公司為專業(yè)生產(chǎn)廠家，技術(shù)力量雄厚，售前的技術(shù)交流咨詢可隨時(shí)到位。售后的安裝技術(shù)指導(dǎo)可按用戶要求及時(shí)進(jìn)行
標(biāo)簽： 變壓器 中性點(diǎn)接地 電阻柜
上傳時(shí)間： 2014-12-24
上傳用戶：shinesyh
蟲蟲下載站版權(quán)所有 京ICP備2021023401號(hào)-1
