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硬件工程師 電子工程師必備知識手冊關鍵字： 電阻 基礎知識 線繞電阻器 薄膜電阻器 實心電阻器 電阻 導電體對電流的阻礙作用稱著電阻，用符號 R 表示，單位為歐姆、千歐、兆歐， 分別用Ω、kΩ、MΩ 表示。 一、電阻的型號命名方法： 國產電阻器的型號由四部分組成（不適用敏感電阻） 第一部分：主稱 ，用字母表示，表示產品的名字。如 R 表示電阻，W 表示電位 器。 第二部分：材料 ，用字母表示，表示電阻體用什么材料組成，T-碳膜、H-合成 碳膜、S-有機實心、N-無機實心、J-金屬膜、Y-氮化膜、C-沉積膜、I-玻璃釉膜、 X-線繞。 第三部分：分類，一般用數字表示，個別類型用字母表示，表示產品屬于什么類 型。1-普通、2-普通、3-超高頻 、4-高阻、5-高溫、6- 精密、7-精密、8-高壓、 9-特殊、G-高功率、T-可調。 第四部分：序號，用數字表示，表示同類產品中不同品種，以
上傳時間： 2022-02-17
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IP2723T 是一款集成多種協議、用于 USB 輸出 端口的快充協議 IC。支持多種快充協議，包括 USB TypeC DFP ， PD2.0/PD3.0/PPS , HVDCP QC4/QC4+/QC3.0/QC2.0 （ Quick Charge ）， FCP （Hisilicon? Fast Charge Protocol），SCP（Super Fast Charge），AFC（Samsung? Adaptive Fast Charge）， MTK PE+ 2.0/1.1（MediaTek Pump Express Plus 2.0/1.1），Apple 2.4A，BC1.2 以及三星 2.0A。為適 配器、車充等單向輸出應用提供完整的 TYPE-C 解決 方案。
標簽： IP2723
上傳時間： 2022-03-04
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IP2326 集成功率MOS，采用同步開關架構，使其在應用時僅需極少的外圍器件，并有效減小整體方案的尺寸，降低BOM 成本。
上傳時間： 2022-03-05
上傳用戶：trh505
居民小區停車場居民小區停車場以居民自用電動汽車，長時間停留為主。需求：充電時間一般6-10小時，電池容量多為2030度電；充電功率要求較小，私人所有無需計費/由物業統管需計費單位內部停車場單位內部停車場充電時間為單位內部停留時間，有緊急補電需求，以及目的地充電需求。需求充電時間4-8小時，直流快充及交流慢充，計費與否可選公共停車場-商業地產商業地產以短時及中時停留為主。充電類型多樣化，需計費。需求：充電時間14小時，直流與一定比例交流需計費，需運營管理公共停車場--交通樞紐交通樞紐停車場一般收取較高停車費，充電以快速補電為主。需求：充電時間較短，多直流，需計費場際公路高速公路服務區城際公路/高速公路服務區多為高速及城際公路間快速補電，停留時間越短越好。車型有多樣性，大巴及乘用均有。需求：充電時間短，電壓200-750V為優，直流大功率，需計費專用停車場-出租車出租車停車場以出租車為主，充電需求以考慮出租車車型，及極速充電為需求充電時間較短，充電功率較大，需計費專用停車場-公交車公交車停車場主要用于公交車隊內部充電。營運特點：白天工作需要快速補電，夜間休息可以慢速充滿。求：充電時間長（夜晚）+短（白天），大功率直流，計費專用停車場-工業園專用停車場以觀光車、通勤車、物流車等切換為電動車后的充電需求為主。需求以觀光車、通勤車、物流車為主，充電電壓低，充電電流大電動汽車充電機組成·充電模塊控制單元·充電機柜
上傳時間： 2022-03-29
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IP2716是一款集成USB TYPE-C輸入輸出協議、USB Power Delivery（PD3.0）輸入輸出協議、QC3.0/2.0輸出快充協議（兼容DCP識別功能，兼容BC1.2、蘋果和三星手機）等多功能。高集成度與豐富功能，使其在應用時僅需極少的外圍器件。如果原有的普通方案輸出功率和輸出電壓范圍滿足需求，只需額外增加外擴的功率MOS就可以實現在原有方案的基礎上升級為支持TYPE-C、PD3.0、QC3.0/2.0的高級快充方案。適當提升DC-DC或AC-DC元件性能，可以輕松實現最高100W（20V 5A）輸出能力，為移動電源、適配器、車充提供完整的TYPE-C解決方案。
標簽： ip2716
上傳時間： 2022-04-09
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本文主要是基于氮化鋅（GaN）器件射頻功率放大電路的設計，在s波段頻率范圍內，應用CREE公司的氮化稼（GaN）高電子遷移速率品體管（CGH40010和CGH40045）進行的寬帶功率放大電路設計.主要工作有以下幾個方面：首先，設計功放匹配電路。在2.7GHz~3.5GHz頻帶范圍內，對中間級和末級功放晶體管進行穩定性分析并設置其靜態工作點，繼而進行寬帶阻抗匹配電路的設計。本文采用雙分支平衡漸變線拓撲電路結構，使用ADS軟件對其進行仿真優化，設計出滿足指標要求的匹配電路。具體指標如下：通帶寬度為800MHz，在通帶范圍內的增益dB（S（2，1）>）10dB、駐波比VSWR1<2.VSWR2<2，3dB輸出功率壓縮點分別大于40dBm46dBm，效率大于40%.其次，設計功放偏置電源電路。電路要求是負電壓控制正電壓并帶有過流保護功能，借助Orcad模擬電路仿真軟件，設計出滿足要求的電源電路。最后，分別運用AutoCAD和Altium Designer Summer 08制圖軟件，繪制了功率放大電路和偏置電源電路的印制電路板，并通過對硬件電路的調試，最終使得整體電路滿足了設計性能的要求。
上傳時間： 2022-06-20
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2011年，Realtek(瑞昱)開發出了業界公認的低功耗，高性能的USB3.0 Hub 主控，RTS5401-GR。它超小的體積(QFN76)和規范化的設計(USB IF認證，BC1.2和支持蘋果設備快充)，贏得了行內一致認可。如今，打磨再打磨，瑞昱在原有的優勢基礎上，又新推一款更具性價比的USB3.0 Hub 主控IC，RTS5411-GR。此款IC的推出目的就是優化功耗，提高性能，降低客戶Bom成本。那么，此款主控到底有何改善和更新呢？ 眾所周知，目前世面上的Hub 主控，諸如創唯(GL3520) 威盛(VL812) 等等，都需要外掛一顆Flash，把配置文件(Bin文件)燒錄其中，才能控制各個下行端口的設置。 而且，還需要一顆降壓IC(5.5~3V to 1.2V)。 如此才能是整塊板子正常工作，達到設計要求。 而現在，RTS5411-GR內置Efuse功能，可把Bin程序燒錄到IC內部，這樣就省去外掛SPI FLASH，使客戶再次Cost Down. 另外，該IC已內置降壓IC(5.5~3V to 1.2V) 因此，在整個Bom設計中，無需再加一顆降壓IC。 上述兩點，可以讓整個Bom節省大約RMB1.00的成本，這使得客戶的Hub產品更具價格優勢！
上傳時間： 2022-06-22
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RTS5411 USB3.0 HUB Controller v1.22011年，Realtek(瑞昱)開發出了業界公認的低功耗，高性能的USB3.0 Hub 主控，RTS5401-GR。它超小的體積(QFN76)和規范化的設計(USB IF認證，BC1.2和支持蘋果設備快充)，贏得了行內一致認可。如今，打磨再打磨，瑞昱在原有的優勢基礎上，又新推一款更具性價比的USB3.0 Hub 主控IC，RTS5411-GR。此款IC的推出目的就是優化功耗，提高性能，降低客戶Bom成本。那么，此款主控到底有何改善和更新呢？ 眾所周知，目前世面上的Hub 主控，諸如創唯(GL3520) 威盛(VL812) 等等，都需要外掛一顆Flash，把配置文件(Bin文件)燒錄其中，才能控制各個下行端口的設置。 而且，還需要一顆降壓IC(5.5~3V to 1.2V)。 如此才能是整塊板子正常工作，達到設計要求。 而現在，RTS5411-GR內置Efuse功能，可把Bin程序燒錄到IC內部，這樣就省去外掛SPI FLASH，使客戶再次Cost Down. 另外，該IC已內置降壓IC(5.5~3V to 1.2V) 因此，在整個Bom設計中，無需再加一顆降壓IC。 上述兩點，可以讓整個Bom節省大約RMB1.00的成本，這使得客戶的Hub產品更具價格優勢！
上傳時間： 2022-06-22
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凌陽GPMW5019B電源方案，節省了LM324、TL431可以節約0.4的成本，轉化效率高。
上傳時間： 2022-06-23
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本文在介紹了氮化嫁材料的基本結構特征及物理化學特性之后，從氮化擦的外延結構的屬性和氮化擦基高性能芯片設計兩個方面對氮化家材料和器件結構展開了討論。其中材料屬性部分，介紹了透射電子顯微鏡的工作原理及其主要應用范圍，然后根據實驗分析了TEM圖片，包括GaN多量子阱，重點分析了V型缺陷和塊狀缺陷的高分辨圖形，分析了他們對材料屬性的影響。然后分析了多種氮化擦樣品的光致發光譜和電致發光譜，并解釋其光譜藍移和紅移現象。在屬性部分最后介紹了基于密度泛函理論和第一性原理的CASTEP程序及其在分析GaN材料屬性上的應用。在芯片結構設計部分，本文提出了三種高效率LED芯片的設計結構，分別是基于雙光子晶體的LED芯片，基于微球模型的LED芯片，基于激光剝離襯底的大功率LED芯片。涉及到光子晶體理論，蒙特卡羅理論及激光剝離理論，本文分別介紹和分析了各類理論基礎，并在此基礎上提出新的設計結構，給出仿真分析結果。雙光子晶體可以提供較完善的反射層，出射層。微球LED可以利用大尺寸表面結構來大大提高LED芯片的外量子效率。基于激光剝離襯底的大功率LED可以實現較好散熱效果和功率。
標簽： led
上傳時間： 2022-06-25
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