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氮化鎵功率器件

  • 寬帶射頻功率放大器的數字預失真技術研究

    本課題主要研究對象為數字預失真技術中的功放模型的建立及數字預失真算法的研究。功放的數學模型主要分為無記憶模型和記憶模型,分析了不同模型的參數估計的方法。針對以往常見的模型反轉數字預失真算法,課題分析并使用了新穎的間接學習(indirect learning)數字預失真算法,從而有效避免了無法對功放模型進行求逆的缺陷,并在此架構下仿真了不同功放模型的參數估計對于數字預失真效果的影響。針對WCDMA移動通信基站系統中使用的寬帶功率放大器,使用ADS和MATLAB軟件聯合仿真的形式來評估整個DPD系統的性能并使用實際功放進行了測試。

    標簽: 寬帶 射頻功率放大器 數字預失真 技術研究

    上傳時間: 2013-10-12

    上傳用戶:問題問題

  • 基于小信號S參數的功率放大器設計

    首先把功率管的小信號S參數制成S2P文件,然后將其導入ADS軟件中,在ADS中搭建功率管的輸入輸出端口匹配電路,按照最大增益目標對整個電路進行優化,最后完成電路的設計。

    標簽: 小信號 S參數 功率 放大器設計

    上傳時間: 2013-10-21

    上傳用戶:zhangfx728

  • 5-12GHz新型復合管寬帶功率放大器設計

    采用微波仿真軟件AWR對電路結構進行了優化和仿真,結果顯示,在5~12 GHz頻帶內,復合晶體管結構的輸出阻抗值更穩定,帶寬得到有效擴展,最高增益達到11 dB,帶內波動<0.5 dB,在9 GHz工作頻率時,其1 dB壓縮點處的輸出功率為26 dBm。

    標簽: GHz 12 復合管 功率

    上傳時間: 2013-11-04

    上傳用戶:marten

  • CMOS器件抗靜電措施的研究

    由于CMOS器件靜電損傷90%是延遲失效,對整機應用的可靠性影響太大,因而有必要對CMOS器件進行抗靜電措施。本文描述了CMOS器件受靜電損傷的機理,從而對設計人員提出了幾種在線路設計中如何抗靜電,以保護CMOS器件不受損傷。

    標簽: CMOS 器件 抗靜電

    上傳時間: 2013-11-05

    上傳用戶:yupw24

  • 模電應知應會200問

    1、半導體材料制作電子器件與傳統的真空電子器件相比有什么特點? 答:頻率特性好、體積小、功耗小,便于電路的集成化產品的袖珍化,此外在堅固抗震可靠等方面也特別突出;但是在失真度和穩定性等方面不及真空器件。 2、什么是本征半導體和雜質半導體? 答:純凈的半導體就是本征半導體,在元素周期表中它們一般都是中價元素。在本征半導體中按極小的比例摻入高一價或低一價的雜質元素之后便獲得雜質半導體。

    標簽: 200 模電

    上傳時間: 2014-12-23

    上傳用戶:lilei900512

  • 水聲信號功率放大器的設計與實現

    設計了水聲信號發生系統中的功率放大電路,可將前級電路產生的方波信號轉換為正弦信號,同時進行濾波、功率放大,使其滿足換能器對輸入信號的要求。該電路以單片機AT89C52,集成6階巴特沃思低通濾波芯片MF6以及大功率運算放大器LM12為核心,通過標準RS232接口與PC進行通信,實現信號增益的程控調節,對干擾信號具有良好的抑制作用。經調試該電路工作穩定正常,輸出波形無失真,在輸出功率以及放大增益、波紋系數等方面均滿足設計要求。    This paper presented a design and implementation of underwater acoustic power amplifer. This circuit converted the rectangle signal generated by frontend circuit into the sine signal, then filtered and power amplification, it meets the requirements of the transducer.Included AT89C52, 6th order Butterworth filter MF6, hipower amplififier LM12.Communication with PC through the RS232 port. The signal gain is adjustable and could be remote controlled. It has a good inhibitory effect on the interference signal. After debugged, this circuit works stable, the output waveform has no distortion, it meets the design requirement in outprt power, amplifier gain and ripple factor.

    標簽: 水聲信號 功率放大器

    上傳時間: 2013-11-20

    上傳用戶:qwe1234

  • 寬頻帶高功率射頻脈沖功率放大器

    利用MOS場效應管(MOSFET),采取AB類推挽式功率放大方式,采用傳輸線變壓器寬帶匹配技術,設計出一種寬頻帶高功率射頻脈沖功率放大器模塊,其輸出脈沖功率達1200W,工作頻段0.6M~10MHz。調試及實用結果表明,該放大器工作穩定,性能可靠

    標簽: 寬頻帶 高功率 射頻 脈沖功率放大器

    上傳時間: 2013-11-17

    上傳用戶:waitingfy

  • BUCK變換中的尖峰問題

    BucK變換器在開關轉換瞬間.由于線路上存在感抗,會在主功率管和二極管上產生電壓尖峰,使之承受較大的電壓應力和電流沖擊,從而導致器件熱損壞及電擊穿 因此,為避免此現象,有必要對電壓尖峰的原因進行分析研究,找出有效的解決辦法。

    標簽: BUCK 變換 尖峰

    上傳時間: 2013-10-15

    上傳用戶:youth25

  • 電子學名詞介紹

    電子學名詞1、 電阻率---又叫電阻系數或叫比電阻。是衡量物質導電性能好壞的一個物理量,以字母ρ表示,單位為歐姆*毫米平方/米。在數值上等于用那種物質做的長1米截面積為1平方毫米的導線,在溫度20C時的電阻值,電阻率越大,導電性能越低。則物質的電阻率隨溫度而變化的物理量,其數值等于溫度每升高1C時,電阻率的增加與原來的電阻電阻率的比值,通常以字母α表示,單位為1/C。2、 電阻的溫度系數----表示物質的電阻率隨溫度而變化的物理量,其數值等于溫度每升高1C時,電阻率的增加量與原來的電阻率的比值,通常以字母α表示,單位為1/C。3、 電導----物體傳導電流的本領叫做電導。在直流電路里,電導的數值就是電阻值的倒數,以字母ɡ表示,單位為歐姆。4、 電導率----又叫電導系數,也是衡量物質導電性能好壞的一個物理量。大小在數值上是電阻率的倒數,以字母γ表示,單位為米/歐姆*毫米平方。5、 電動勢----電路中因其他形式的能量轉換為電能所引起的電位差,叫做電動勢或者簡稱電勢。用字母E表示,單位為伏特。6、 自感----當閉合回路中的電流發生變化時,則由這電流所產生的穿過回路本身磁通也發生變化,因此在回路中也將感應電動勢,這現象稱為自感現象,這種感應電動勢叫自感電動勢。7、 互感----如果有兩只線圈互相靠近,則其中第一只線圈中電流所產生的磁通有一部分與第二只線圈相環鏈。當第一線圈中電流發生變化時,則其與第二只線圈環鏈的磁通也發生變化,在第二只線圈中產生感應電動勢。這種現象叫做互感現象。8、 電感----自感與互感的統稱。9、 感抗----交流電流過具有電感的電路時,電感有阻礙交流電流過的作用,這種作用叫做感抗,以Lx表示,Lx=2πfL。10、容抗----交流電流過具有電容的電路時,電容有阻礙交流電流過的作用,這種作用叫做容抗,以Cx表示,Cx=1/12πfc。11、脈動電流----大小隨時間變化而方向不變的電流,叫做脈動電流。12、振幅----交變電流在一個周期內出現的最大值叫振幅。13、平均值----交變電流的平均值是指在某段時間內流過電路的總電荷與該段時間的比值。正弦量的平均值通常指正半周內的平均值,它與振幅值的關系:平均值=0.637*振幅值。14、有效值----在兩個相同的電阻器件中,分別通過直流電和交流電,如果經過同一時間,它們發出的熱量相等,那么就把此直流電的大小作為此交流電的有效值。正弦電流的有效值等于其最大值的0.707倍。15、有功功率----又叫平均功率。交流電的瞬時功率不是一個恒定值,功率在一個周期內的平均值叫做有功功率,它是指在電路中電阻部分所消耗的功率,以字母P表示,單位瓦特。16、視在功率----在具有電阻和電抗的電路內,電壓與電流的乘積叫做視在功率,用字母Ps來表示,單位為瓦特。17、無功功率----在具有電感和電容的電路里,這些儲能元件在半周期的時間里把電源能量變成磁場(或電場)的能量存起來,在另半周期的時間里對已存的磁場(或電場)能量送還給電源。它們只是與電源進行能量交換,并沒有真正消耗能量。我們把與電源交換能量的速率的振幅值叫做無功功率。用字母Q表示,單位為芝。

    標簽: 電子學

    上傳時間: 2013-11-23

    上傳用戶:zhoujunzhen

  • 高頻功率MOSFET驅動電路及并聯特性研究

    本文主要研究高頻功率MOSFET的驅動電路和在動態開關模式下的并聯均流特性。首先簡要介紹功率MOSFET的基本工作原理及靜態及動態特性,然后根據功率MOSFET對驅動電路的要求,對驅動電路進行了參數計算并且選擇應用了實用可靠的驅動電路。此外,對功率MOSFET在兆赫級并聯山于不同的參數影響而引起的電流分配不均衡問題做了仿真研究及分析。

    標簽: MOSFET 高頻 功率 驅動電路

    上傳時間: 2013-11-22

    上傳用戶:lijinchuan

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