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關(guān)於宏晶STC89C51單片機(jī)IC芯片的詳細(xì)資料，內(nèi)有很多簡(jiǎn)單電路。
上傳時(shí)間： 2013-12-02
上傳用戶：佳期如夢(mèng)
這次把真正的把源程序公開(kāi)了，而且還有詳細(xì)的原理教程，希望大家?guī)兔Π阉龅母茫С值钠骷唷? 這個(gè)下載線電路是我做過(guò)的中最穩(wěn)定的，成功率很高。你也可以直接使用現(xiàn)有的下載線或者Atmel的原版下 載線。Easy 51Pro串行編程器也支持AT89C2051了。《Easy 51Pro的製作及使用說(shuō)明》中有詳細(xì)介紹。 有何問(wèn)題或者發(fā)現(xiàn)了BUG請(qǐng)?jiān)谶@裡給我留言: http://enkj.com/gbook/guestbook.asp?user=digiboy
上傳時(shí)間： 2013-12-12
上傳用戶：xieguodong1234
一篇來(lái)自臺(tái)灣中華大學(xué)的論文--《無(wú)線射頻系統(tǒng)標(biāo)簽晶片設(shè)計(jì)》，彩色版。其摘要為：本論文討論使用於無(wú)線射頻辨識(shí)系統(tǒng)(RFID)之標(biāo)籤晶片系統(tǒng)的電路設(shè)計(jì)和晶片製作，初步設(shè)計(jì)標(biāo)籤晶片的基本功能，設(shè)計(jì)流程包含數(shù)位軟體及功能的模擬、基本邏輯閘及類比電路的設(shè)計(jì)與晶片電路的佈局考量。 論文的第一部份是序論、射頻辨識(shí)系統(tǒng)的規(guī)劃、辨識(shí)系統(tǒng)的規(guī)格介紹及制定，而第二部份是標(biāo)籤晶片設(shè)計(jì)、晶片量測(cè)、結(jié)論。 電路的初步設(shè)計(jì)功能為:使用電容作頻率緩衝的Schmitt trigger Clock、CRC-16的錯(cuò)誤偵測(cè)編碼、Manchester編碼及使用單一電路做到整流、振盪及調(diào)變的功能，最後完成晶片的實(shí)作。
上傳時(shí)間： 2016-08-27
上傳用戶：tb_6877751
本文是以數(shù)位訊號(hào)處理器DSP（Digital Singal Processor）之核心架構(gòu)為主體的數(shù)位式溫度控制器開(kāi)發(fā)，而其主要分為硬體電路與軟體程式兩部分來(lái)完成。而就硬體電路來(lái)看分為量測(cè)電路模組、DSP周邊電路及RS232通訊模組、輸出模組三個(gè)部分，其中在輸出上可分為電流輸出、電壓輸出以及binary command給加熱驅(qū)動(dòng)裝置, RS232 除了可以與PC聯(lián)絡(luò)外也可以與具有CPU的熱能驅(qū)動(dòng)器做命令傳輸。在計(jì)畫(huà)中分析現(xiàn)有工業(yè)用加熱驅(qū)動(dòng)裝置和溫度曲線的關(guān)係，並瞭解其控制情況。軟體方面即是溫控器之中央處理器程式，亦即DSP控制程式，其中包括控制理論、感測(cè)器線性轉(zhuǎn)換程式、I/O介面及通訊協(xié)定相關(guān)程式。在控制法則上，提出一個(gè)新的加熱體描述模型，然後以前饋控制為主並輔以PID控制，得到不錯(cuò)的控制結(jié)果。
標(biāo)簽： Processor Digital Singal DSP
上傳時(shí)間： 2013-12-24
上傳用戶：zjf3110
在通訊系統(tǒng)中常見(jiàn)到的cordic，是個(gè)用很少複雜度就能實(shí)現(xiàn)三角函數(shù)的電路，檔案中有C語(yǔ)言的CORDIC程式
上傳時(shí)間： 2017-03-07
上傳用戶：lepoke
一份射頻PCB設(shè)計(jì)的經(jīng)驗(yàn)總結(jié)。涉及到手機(jī)，GPS，等高頻電路的PCB設(shè)計(jì)方法。
標(biāo)簽： PCB
上傳時(shí)間： 2017-07-21
上傳用戶：sssl
理想的放大器 目前，廠商在線性IC研發(fā)上都有重大的突破。使IC型運(yùn)算放大器的特性和理想相當(dāng)接近。尤其在低頻操作下，OP Amp電路的工作情形實(shí)在太像一個(gè)理想放大器，幾乎與理論的推測(cè)完全相符?！硐氲姆糯笃髟摼邆涫颤N特性？
標(biāo)簽： 算放大器原理
上傳時(shí)間： 2016-07-16
上傳用戶：WALTER
在互補(bǔ)式金氧半(CMOS)積體電路中，隨著量產(chǎn)製程的演進(jìn)，元件的尺寸已縮減到深次微 米(deep-submicron)階段，以增進(jìn)積體電路(IC)的性能及運(yùn)算速度，以及降低每顆晶片的製造 成本。但隨著元件尺寸的縮減，卻出現(xiàn)一些可靠度的問(wèn)題。 在次微米技術(shù)中，為了克服所謂熱載子(Hot-Carrier)問(wèn)題而發(fā)展出 LDD(Lightly-Doped Drain) 製程與結(jié)構(gòu); 為了降低 CMOS 元件汲極(drain)與源極(source)的寄生電阻(sheet resistance) Rs 與 Rd，而發(fā)展出 Silicide 製程; 為了降低 CMOS 元件閘級(jí)的寄生電阻 Rg，而發(fā)展出 Polycide 製 程 ; 在更進(jìn)步的製程中把 Silicide 與 Polycide 一起製造，而發(fā)展出所謂 Salicide 製程
標(biāo)簽： Protection CMOS ESD ICs in
上傳時(shí)間： 2020-06-05
上傳用戶：shancjb
在互補(bǔ)式金氧半(CMOS)積體電路中，隨著量產(chǎn)製程 的演進(jìn)，元件的尺寸已縮減到深次微米(deep-submicron)階 段，以增進(jìn)積體電路(IC)的性能及運(yùn)算速度，以及降低每 顆晶片的製造成本。但隨著元件尺寸的縮減，卻出現(xiàn)一些 可靠度的問(wèn)題。
標(biāo)簽： ESD_Technology
上傳時(shí)間： 2020-06-05
上傳用戶：shancjb
印刷電路板（PCB ）設(shè)計(jì)佈局指南，主要應(yīng)用註釋
上傳時(shí)間： 2021-11-30
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