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沖突問(wèn)題

  • vbsql學(xué)習(xí)源碼

    vbsql學(xué)習(xí)源碼,適合一般初學(xué)者,如有問題,麻煩請指教一下

    標(biāo)簽: vbsql

    上傳時(shí)間: 2017-07-04

    上傳用戶:himbly

  • 這是個(gè)prolog程式

    這是個(gè)prolog程式,能解決4x4的數(shù)獨(dú)問題 例: ?- sudoku ([4,2,0,0]/[0,1,0,2]/[0,0,1,0]/[1,0,0,4], Solution). Solution = [[4,2,3,1]/[3,1,4,2]/[2,4,1,3]/[1,3,2,4]]

    標(biāo)簽: prolog 程式

    上傳時(shí)間: 2017-07-21

    上傳用戶:rocwangdp

  • ACM 第10125 題 Sumsets

    ACM 第10125 題 Sumsets

    標(biāo)簽: Sumsets 10125 ACM

    上傳時(shí)間: 2017-07-30

    上傳用戶:manlian

  • ACM 第10318題 Solve It

    ACM 第10318題 Solve It

    標(biāo)簽: 10318 Solve ACM It

    上傳時(shí)間: 2013-12-19

    上傳用戶:陽光少年2016

  • C的有理數(shù)的複數(shù)算法 一般資訊學(xué)院要求 一般來說會(huì)是考題之一

    C的有理數(shù)的複數(shù)算法 一般資訊學(xué)院要求 一般來說會(huì)是考題之一

    標(biāo)簽: 算法

    上傳時(shí)間: 2013-12-16

    上傳用戶:jqy_china

  • 關(guān)於組合數(shù)學(xué)及離散數(shù)學(xué)的題目

    關(guān)於組合數(shù)學(xué)及離散數(shù)學(xué)的題目,有g(shù)ary碼、分割方式、排列方式、組合方式

    標(biāo)簽:

    上傳時(shí)間: 2014-08-24

    上傳用戶:lizhen9880

  • C語言教學(xué)手冊第三版 習(xí)題答案

    習(xí)題答案習(xí)題答案習(xí)題答案習(xí)題答案習(xí)題答案習(xí)題答案習(xí)題答案習(xí)題答案習(xí)題答案

    標(biāo)簽: 習(xí)題答案

    上傳時(shí)間: 2015-04-22

    上傳用戶:wxwxwxc11

  • Pro_ENGINEER應(yīng)用技巧100問 550頁 16.5M

    Pro/E教程及相關(guān)資料專輯 134冊 38.9GPro_ENGINEER應(yīng)用技巧100問 550頁 16.5M.PDF

    標(biāo)簽:

    上傳時(shí)間: 2014-05-05

    上傳用戶:時(shí)代將軍

  • ESD Protection in CMOS ICs

    在互補(bǔ)式金氧半(CMOS)積體電路中,隨著量產(chǎn)製程的演進(jìn),元件的尺寸已縮減到深次微 米(deep-submicron)階段,以增進(jìn)積體電路(IC)的性能及運(yùn)算速度,以及降低每顆晶片的製造 成本。但隨著元件尺寸的縮減,卻出現(xiàn)一些可靠度的問題。 在次微米技術(shù)中,為了克服所謂熱載子(Hot-Carrier)問題而發(fā)展出 LDD(Lightly-Doped Drain) 製程與結(jié)構(gòu); 為了降低 CMOS 元件汲極(drain)與源極(source)的寄生電阻(sheet resistance) Rs 與 Rd,而發(fā)展出 Silicide 製程; 為了降低 CMOS 元件閘級的寄生電阻 Rg,而發(fā)展出 Polycide 製 程 ; 在更進(jìn)步的製程中把 Silicide 與 Polycide 一起製造,而發(fā)展出所謂 Salicide 製程

    標(biāo)簽: Protection CMOS ESD ICs in

    上傳時(shí)間: 2020-06-05

    上傳用戶:shancjb

  • ESD_Technology

    在互補(bǔ)式金氧半(CMOS)積體電路中,隨著量產(chǎn)製程 的演進(jìn),元件的尺寸已縮減到深次微米(deep-submicron)階 段,以增進(jìn)積體電路(IC)的性能及運(yùn)算速度,以及降低每 顆晶片的製造成本。但隨著元件尺寸的縮減,卻出現(xiàn)一些 可靠度的問題。

    標(biāo)簽: ESD_Technology

    上傳時(shí)間: 2020-06-05

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