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流動分析

  • 被動組件之電感設(shè)計與分析

    隨著高頻微波在日常生活上的廣泛應(yīng)用,例如行動電話、無線個人計算機、無線網(wǎng)絡(luò)等,高頻電路的技術(shù)也日新月異。良好的高頻電路設(shè)計的實現(xiàn)與改善,則建立在于精確的組件模型的基礎(chǔ)上。被動組件如電感、濾波器等的電路模型與電路制作的材料、制程有緊密的關(guān)系,而建立這些組件等效電路模型的方法稱為參數(shù)萃取。 早期的電感制作以金屬繞線為主要的材料與技術(shù),而近年來,由于高頻與高速電路的應(yīng)用日益廣泛,加上電路設(shè)計趨向輕薄短小,電感制作的材質(zhì)與技術(shù)也不斷的進步。例如射頻機體電路(RFIC)運用硅材質(zhì),微波集成電路則廣泛的運用砷化鎵(GaAs)技術(shù);此外,在低成本的無線通訊射頻應(yīng)用上,如混合(Hybrid)集成電路則運用有機多芯片模塊(MCMs)結(jié)合傳統(tǒng)的玻璃基板制程,以及低溫共燒陶瓷(LTCC)技術(shù),制作印刷式平面電感等,以提升組件的質(zhì)量與效能,并減少體積與成本。 本章的重點包涵探討電感的原理與專有名詞,以及以常見的電感結(jié)構(gòu),并分析影響電感效能的主要因素與其電路模型,最后將以電感的模擬設(shè)計為例,說明電感參數(shù)的萃取。

    標簽: 被動組件 電感 設(shè)計與分析

    上傳時間: 2013-11-20

    上傳用戶:yuanxiaoqiang

  • 高速電路信號完整性分析之應(yīng)用篇

    高速電路信號完整性分析之應(yīng)用篇

    標簽: 高速電路 信號完整性

    上傳時間: 2013-11-19

    上傳用戶:小寶愛考拉

  • 電路板維修相關(guān)技術(shù)資料

    電路板故障分析 維修方式介紹 ASA維修技術(shù) ICT維修技術(shù) 沒有線路圖,無從修起 電路板太複雜,維修困難 維修經(jīng)驗及技術(shù)不足 無法維修的死板,廢棄可惜 送電中作動態(tài)維修,危險性極高 備份板太多,積壓資金 送國外維修費用高,維修時間長 對老化零件無從查起無法預(yù)先更換 維修速度及效率無法提升,造成公司負擔(dān),客戶埋怨 投資大量維修設(shè)備,操作複雜,績效不彰

    標簽: 電路板維修 技術(shù)資料

    上傳時間: 2013-10-26

    上傳用戶:neu_liyan

  • 電傳動車輛用高功率鋰離子電池性能分析研究

    為研究功率型鋰離子電池性能,對某35 Ah功率型鋰離子電池單體進行了充放電特性試驗和分析,由此獲得功率型電池在不同溫度和不同倍率下的充放電特性、內(nèi)阻特性和溫升特性。研究結(jié)果表明,低溫下電池的充放電內(nèi)阻較大,充放電性能衰減顯著;常溫下電池的內(nèi)阻較小,充放電溫升較小,大電流充放電的容量穩(wěn)定性好,質(zhì)量比能量高,作為電傳動車輛主要或輔助動力源具有良好的應(yīng)用前景。

    標簽: 電傳 性能分析 高功率 鋰離子電池

    上傳時間: 2013-11-13

    上傳用戶:清風(fēng)冷雨

  • 開關(guān)電源中功率MOSFET管損壞模式及分析

    結(jié)合功率MOSFET管不同的失效形態(tài),論述了功率MOSFET管分別在過電流和過電壓條件下?lián)p壞的模式,并說明了產(chǎn)生這樣的損壞形態(tài)的原因,也分析了功率MOSFET管在關(guān)斷及開通過程中發(fā)生失效形態(tài)的差別,從而為失效在關(guān)斷或在開通過程中發(fā)生損壞提供了判斷依據(jù)。給出了測試過電流和過電壓的電路圖。同時分析了功率MOSFET管在動態(tài)老化測試中慢速開通、在電池保護電路應(yīng)用中慢速關(guān)斷及較長時間工作在線性區(qū)時損壞的形態(tài)。最后,結(jié)合實際應(yīng)用,論述了功率MOSFET通常會產(chǎn)生過電流和過電壓二種混合損壞方式損壞機理和過程。

    標簽: MOSFET 開關(guān)電源 功率

    上傳時間: 2013-11-14

    上傳用戶:dongqiangqiang

  • 基于串聯(lián)諧振的高頻逆變電源設(shè)計

    串聯(lián)高頻逆變電源的逆變橋一定要遵守先關(guān)斷后導(dǎo)通的原則,即上下橋臂存在一定的死區(qū)時間。本文基于對全橋逆變換流分析的基礎(chǔ)上,以設(shè)計最佳死區(qū)為目的,最終通過計算得出了使開關(guān)器件工作于零電壓開關(guān)(ZVS)條件時的死區(qū)時間,且設(shè)計了以CD4046和SG3525為核心的控制電路,給出了諧振網(wǎng)絡(luò)參數(shù)的計算。

    標簽: 串聯(lián)諧振 高頻逆變 電源設(shè)計

    上傳時間: 2013-10-20

    上傳用戶:stella2015

  • 鎂合金微弧氧化電源驅(qū)動電路的可靠性分析

    微弧氧化是一種新型的表面處理方法,利用該電路可輸出雙端不對稱的高壓脈沖,且脈沖幅值、頻率、占空比均在一定范圍內(nèi)連續(xù)可調(diào)。本文首先介紹了微弧氧化電源技術(shù)的發(fā)展現(xiàn)狀,然后對試驗中使用過的幾種IGBT驅(qū)動模塊M57959、2ED300、2SD315 3種驅(qū)動電路的結(jié)構(gòu)、工作原理和使用性能做了詳細分析對比。實驗表明,Eupec系列的2ED300驅(qū)動電路結(jié)構(gòu)簡單,可靠性高,適用于大功率微弧氧化電源的驅(qū)動。

    標簽: 鎂合金 氧化 可靠性分析 電源驅(qū)動電路

    上傳時間: 2014-01-21

    上傳用戶:hahayou

  • 一種無片外電容LDO的穩(wěn)定性分析

    電路如果存在不穩(wěn)定性因素,就有可能出現(xiàn)振蕩。本文對比分析了傳統(tǒng)LDO和無片電容LDO的零極點,運用電流緩沖器頻率補償設(shè)計了一款無片外電容LDO,電流緩沖器頻率補償不僅可減小片上補償電容而且可以增加帶寬。對理論分析結(jié)果在Cadence平臺基上于CSMC0.5um工藝對電路進行了仿真驗證。本文無片外電容LDO的片上補償電容僅為3 pF,減小了制造成本。它的電源電壓為3.5~6 V,輸出電壓為3.5 V。當(dāng)在輸入電源電壓6 V時輸出電流從100 μA到100 mA變化時,最小相位裕度為830,最小帶寬為4.58 MHz

    標簽: LDO 無片外電容 穩(wěn)定性分析

    上傳時間: 2014-12-24

    上傳用戶:wangjin2945

  • A3機芯開關(guān)電源電路分析與檢修

    A3機芯開關(guān)電源電路分析與檢修

    標簽: A3機芯 開關(guān)電源 電路分析 檢修

    上傳時間: 2013-10-14

    上傳用戶:yimoney

  • RC橋式正弦波振蕩電路的輸出幅值分析

    在RC橋式正弦波振蕩電路的研究中,一般文獻只給出電路的振蕩條件、起振條件、振蕩頻率等技術(shù)指標,而不涉及電路輸出幅值的大小。本文通過理論分析、Multisim仿真實驗測試,研究了決定電路輸出幅值的因素,即輸出電壓的幅值與電路起振時電壓放大倍數(shù)的大小有關(guān),在電路的線性工作范圍內(nèi),起振時電壓放大倍數(shù)比3大得越多,最后的穩(wěn)定輸出電壓幅值也越大。研究結(jié)論有利于系統(tǒng)地研究振蕩電路的構(gòu)成及電路元件參數(shù)的選擇。

    標簽: RC橋 正弦波 振蕩電路 幅值

    上傳時間: 2013-11-03

    上傳用戶:潛水的三貢

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