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流量分析

  • 光電二極管檢測電路噪聲分析

    使用光電二極管檢測光電信號。由于光電信號一般比較微弱,容易受到干擾,所以需要對信號的噪聲特征進行分析,并在所得出結(jié)論的基礎(chǔ)上設(shè)計出相應(yīng)噪聲處理電路,以解決噪聲的問題。

    標(biāo)簽: 光電二極管 檢測電路 噪聲分析

    上傳時間: 2014-11-24

    上傳用戶:zhaoman32

  • 50個典型經(jīng)典應(yīng)用電路實例分析

    50個典型經(jīng)典應(yīng)用電路實例分析

    標(biāo)簽: 典型 應(yīng)用電路

    上傳時間: 2013-11-04

    上傳用戶:冇尾飛鉈

  • 史上最全的運放典型應(yīng)用電路及分析

    二十種電路分析。

    標(biāo)簽: 運放 典型 應(yīng)用電路

    上傳時間: 2013-10-13

    上傳用戶:Yukiseop

  • 時鐘抖動時域分析(下)

    時鐘抖動時域分析(下):

    標(biāo)簽: 時鐘抖動 時域分析

    上傳時間: 2013-11-18

    上傳用戶:rocketrevenge

  • ESD電熱模擬分析

    靜電放電(ESD)是造成大多數(shù)電子元器件或電路系統(tǒng)破壞的主要因素。因此,電子產(chǎn)品中必須加上ESD保護,提供ESD電流泄放路徑。電路模擬可應(yīng)用于設(shè)計和優(yōu)化新型ESD保護電路,使ESD保護器件的設(shè)計不再停留于舊的設(shè)計模式。文中討論了器件由ESD引起的熱效應(yīng)的失效機理及研究熱效應(yīng)所使用的模型。介紹用于ESD模擬的軟件,并對一些相關(guān)模擬結(jié)果進行了分析比較。

    標(biāo)簽: ESD 電熱 模擬分析

    上傳時間: 2013-11-05

    上傳用戶:二十八號

  • 室內(nèi)線陣CCD交匯測量捕獲率分析

    針對室內(nèi)CCD交匯測量的試驗環(huán)境,通過添加輔助光源照明,在基于CCD立靶測量原理的條件下,分析了室內(nèi)立靶影響捕獲率的原因,并建立了室內(nèi)立靶的捕獲率模型。該模型能夠為室內(nèi)立靶測量系統(tǒng)的捕獲率計算和研究提供依據(jù)。同時,對立靶捕獲率進行了仿真分析,仿真結(jié)果表明,該系統(tǒng)的捕獲率能夠達到90%。

    標(biāo)簽: CCD 線陣 測量

    上傳時間: 2013-10-17

    上傳用戶:13160677563

  • 主成分分析的圖像壓縮與重構(gòu)

    針對圖像占用空間大,特征表示時維數(shù)較高等的缺點,系統(tǒng)介紹了主成分分析(PCA)的基本原理。提出了利用PCA進行圖像數(shù)據(jù)壓縮與重建的基本模型。實驗結(jié)果表明,利用PCA能有效的減少數(shù)據(jù)的維數(shù),進行特征提取,實現(xiàn)圖像壓縮,同時并根據(jù)實際需要重建圖像。

    標(biāo)簽: 主成分分析 圖像壓縮

    上傳時間: 2013-10-29

    上傳用戶:JGR2013

  • 針對JPEG圖像的通用隱寫分析算法

    提出了一種針對JPEG圖像的通用隱寫分析算法。該算法提取了15個具有良好分類特性的特征參數(shù),輸入構(gòu)建的LS-SVM分類器,以達到檢測載密圖像的目的。實驗結(jié)果表明,該算法的檢測正確率較高,檢測速度快,能夠?qū)崿F(xiàn)針對各類JPEG載密圖像的有效檢測。

    標(biāo)簽: JPEG 圖像 分析算法

    上傳時間: 2014-12-23

    上傳用戶:dddddd55

  • 虛擬實現(xiàn)技術(shù)在典型差動放大電路特性分析中的應(yīng)用

    介紹了差動放大電路演變歷程,理論上分析了典型差動放大的工作原理以及特性參數(shù)的計算公式:應(yīng)用虛擬實現(xiàn)技術(shù)一Pmteus軟件進行了靜態(tài)特性、差模輸入信號、共模輸入信號的實驗研究,并對實驗現(xiàn)象進行了分析。

    標(biāo)簽: 虛擬實現(xiàn)技術(shù) 典型 中的應(yīng)用 差動放大電路

    上傳時間: 2013-11-14

    上傳用戶:zukfu

  • SiCOI MESFET的特性分析

    使用ISE-TCAD二維器件仿真軟件,對SiCOI MESFET的電學(xué)特性進行模擬分析。結(jié)果表明,通過調(diào)整器件結(jié)構(gòu)參數(shù),例如門極柵長、有源層摻雜濃度、有源區(qū)厚度等,對器件轉(zhuǎn)移特性、輸出特性有較大影響。

    標(biāo)簽: MESFET SiCOI 特性分析

    上傳時間: 2013-10-23

    上傳用戶:PresidentHuang

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