電磁兼容 試驗(yàn)和測量技術(shù)浪涌（沖擊）抗擾度試驗(yàn)，GB17626.5-1999，等同采用IEC61000-4-5:1995《電磁兼容 第4部分：試驗(yàn)和測量技術(shù) 第5分部分：浪涌 （沖擊）抗擾度試驗(yàn)》。從事相關(guān)工作的朋友值得參考。
標(biāo)簽： 17626.5 1999 GB 標(biāo)準(zhǔn)
上傳時(shí)間： 2013-05-19
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雪崩光電二極管 (APD) 接收器模塊在光纖通信繫統(tǒng)中被廣泛地使用。APD 模塊包含 APD 和一個(gè)信號(hào)調(diào)理放大器，但並不是完全獨(dú)立。它仍舊需要重要的支持電路，包括一個(gè)高電壓、低噪聲電源和一個(gè)用於指示信號(hào)強(qiáng)度的精準(zhǔn)電流監(jiān)視器
上傳時(shí)間： 2013-11-22
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半導(dǎo)體的產(chǎn)品很多，應(yīng)用的場合非常廣泛，圖一是常見的幾種半導(dǎo)體元件外型。半導(dǎo)體元件一般是以接腳形式或外型來劃分類別，圖一中不同類別的英文縮寫名稱原文為 PDID：Plastic Dual Inline Package SOP：Small Outline Package SOJ：Small Outline J-Lead Package PLCC：Plastic Leaded Chip Carrier QFP：Quad Flat Package PGA：Pin Grid Array BGA：Ball Grid Array 雖然半導(dǎo)體元件的外型種類很多，在電路板上常用的組裝方式有二種，一種是插入電路板的銲孔或腳座，如PDIP、PGA，另一種是貼附在電路板表面的銲墊上，如SOP、SOJ、PLCC、QFP、BGA。 從半導(dǎo)體元件的外觀，只看到從包覆的膠體或陶瓷中伸出的接腳，而半導(dǎo)體元件真正的的核心，是包覆在膠體或陶瓷內(nèi)一片非常小的晶片，透過伸出的接腳與外部做資訊傳輸。圖二是一片EPROM元件，從上方的玻璃窗可看到內(nèi)部的晶片，圖三是以顯微鏡將內(nèi)部的晶片放大，可以看到晶片以多條銲線連接四周的接腳，這些接腳向外延伸並穿出膠體，成為晶片與外界通訊的道路。請注意圖三中有一條銲線從中斷裂，那是使用不當(dāng)引發(fā)過電流而燒毀，致使晶片失去功能，這也是一般晶片遭到損毀而失效的原因之一。 圖四是常見的LED，也就是發(fā)光二極體，其內(nèi)部也是一顆晶片，圖五是以顯微鏡正視LED的頂端，可從透明的膠體中隱約的看到一片方型的晶片及一條金色的銲線，若以LED二支接腳的極性來做分別，晶片是貼附在負(fù)極的腳上，經(jīng)由銲線連接正極的腳。當(dāng)LED通過正向電流時(shí)，晶片會(huì)發(fā)光而使LED發(fā)亮，如圖六所示。 半導(dǎo)體元件的製作分成兩段的製造程序，前一段是先製造元件的核心─晶片，稱為晶圓製造；後一段是將晶中片加以封裝成最後產(chǎn)品，稱為IC封裝製程，又可細(xì)分成晶圓切割、黏晶、銲線、封膠、印字、剪切成型等加工步驟，在本章節(jié)中將簡介這兩段的製造程序。
上傳時(shí)間： 2014-01-20
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LT3474 是一款支持多種電源的降壓型 1ALED 驅(qū)動(dòng)器，具有一個(gè) 4V 至 36V 的寬輸入電壓範(fàn)圍，並可通過編程以高達(dá) 88% 的效率來輸送 35mA 至1A 的 LED 電流
上傳時(shí)間： 2013-11-09
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一直以來， 電子電路斷路器( E C B ) 都是由一個(gè)MOSFET、一個(gè) MOSFET 控制器和一個(gè)電流檢測電阻器所組成的。
上傳時(shí)間： 2013-10-18
上傳用戶：qwerasdf
許多電信和計(jì)算應(yīng)用都需要一個(gè)能夠從非常低輸入電壓獲得工作電源的高效率降壓型 DC/DC 轉(zhuǎn)換器。高輸出功率同步控制器 LT3740 就是這些應(yīng)用的理想選擇，該器件能把 2.2V 至 22V 的輸入電源轉(zhuǎn)換為低至 0.8V 的輸出，並提供 2A 至 20A 的負(fù)載電流。其應(yīng)用包括分布式電源繫統(tǒng)、負(fù)載點(diǎn)調(diào)節(jié)和邏輯電源轉(zhuǎn)換。
上傳時(shí)間： 2013-12-30
上傳用戶：arnold
在電源設(shè)計(jì)中，工程人員時(shí)常會(huì)面臨控制 IC 驅(qū)動(dòng)電流不足的問題，或者因?yàn)殚l極驅(qū)動(dòng)損耗導(dǎo)致控制 IC 功耗過大。為解決這些問題，工程人員通常會(huì)採用外部驅(qū)動(dòng)器。目前許多半導(dǎo)體廠商都有現(xiàn)成的 MOSFET 積體電路驅(qū)動(dòng)器解決方案，但因?yàn)槌杀究剂?，工程師往往?huì)選擇比較低價(jià)的獨(dú)立元件。
上傳時(shí)間： 2013-11-19
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透過增加輸入電容，可以在獲得更多鏈波電流的同時(shí)，還能藉由降低輸入電容的壓降來縮小電源的工作輸入電壓範(fàn)圍。這會(huì)影響電源的變壓器圈數(shù)比以及各種電壓與電流應(yīng)力(current stresscurrent stress current stresscurrent stress current stress current stress )。電容鏈波電流額定值越大，應(yīng)力越小，電源效率也就越高。
上傳時(shí)間： 2013-11-11
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ADuM320x是采用ADI公司iCoupler® 技術(shù)的雙通道數(shù)字隔離器。這些隔離器件將高速CMOS與單芯片變壓器技術(shù)融為一體，具有優(yōu)于光耦合器等替代器件的出色性能特征。 iCoupler器件不用LED和光電二極管，因而不存在一般與光耦合器相關(guān)的設(shè)計(jì)困難。簡單的iCoupler 數(shù)字接口和穩(wěn)定的性能特征，可消除光耦合器通常具有的電流傳輸比不確定、非線性傳遞函數(shù)以及溫度和使用壽命影響等問題。這些iCoupler 產(chǎn)品不需要外部驅(qū)動(dòng)器和其它分立器件。此外，在信號(hào)數(shù)據(jù)速率相當(dāng)?shù)那闆r下，iCoupler 器件的功耗只有光耦合器的1/10至1/6。 ADuM320x隔離器提供兩個(gè)獨(dú)立的隔離通道，支持多種通道配置和數(shù)據(jù)速率（請參考數(shù)據(jù)手冊“訂購指南”部分）。兩款器件均可采用2.7 V至5.5 V電源電壓工作，與低壓系統(tǒng)兼容，并且能夠跨越隔離柵實(shí)現(xiàn)電壓轉(zhuǎn)換功能。ADuM320x隔離器具有已取得專利的刷新特性，可確保不存在輸入邏輯轉(zhuǎn)換時(shí)及上電/關(guān)斷條件下的直流正確性。 與ADuM120x隔離器相比，ADuM320x隔離器包含多項(xiàng)電路和布局改進(jìn)，系統(tǒng)級(jí)IEC 61000-4-x測試（ESD、突波和浪涌）顯示其性能大大增強(qiáng)。對于ADuM120x或ADuM320x產(chǎn)品，這些測試的精度主要取決于用戶電路板或模塊的設(shè)計(jì)與布局。 應(yīng)用 --尺寸至關(guān)重要的多通道隔離 --SPI 接口/數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器隔離 --RS-232/RS-422/RS-485收發(fā)器隔離 --數(shù)字現(xiàn)場總線隔離 特性： 增強(qiáng)的系統(tǒng)級(jí)ESD保護(hù)性能，符合IEC 61000-4-x標(biāo)準(zhǔn) 工作溫度最高可達(dá)：125℃ 8引腳窄體SOIC封裝，符合RoHS標(biāo)準(zhǔn) 技術(shù)指標(biāo)： 高共模瞬變抗擾度：>25 kV/μs 雙向通信 - 3 V/5 V 電平轉(zhuǎn)換 - 高數(shù)據(jù)速率：dc 至 25 Mbps（NRZ）
標(biāo)簽： ADUM 3200 雙通道 數(shù)字隔離器
上傳時(shí)間： 2013-10-11
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工業(yè)常用的電氣投切開關(guān)有普通接觸器和電力電子開關(guān)器件兩種, 前者容易造成切入涌流過大和斷開時(shí)咬死的現(xiàn)象, 而后者導(dǎo)通壓降大, 增加額外損耗。提出了一種新型的混合無觸點(diǎn)開關(guān), 通過數(shù)字模擬電路的時(shí)序控制, 利用輔助的電力電子開關(guān)來承受通、斷電瞬間的強(qiáng)電瞬態(tài)過程, 穩(wěn)態(tài)后投入普通接觸器代替前者運(yùn)行。實(shí)驗(yàn)證明這種新型開關(guān)不僅在通、斷電瞬間避免了火花、浪涌電流和電弧的產(chǎn)生, 而且在穩(wěn)態(tài)運(yùn)行時(shí)消除了導(dǎo)通壓降, 達(dá)到了過零投切、低功耗和延長使用壽命的目的。
標(biāo)簽： 無觸點(diǎn)開關(guān)
上傳時(shí)間： 2013-11-17
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