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測(cè)(cè)距

  • 基于粒子群模糊C均值聚類的快速圖像分割

    模糊C-均值聚類算法是一種無(wú)監(jiān)督圖像分割技術(shù),但存在著初始隸屬度矩陣隨機(jī)選取的影響,可能收斂到局部最優(yōu)解的缺點(diǎn)。提出了一種粒子群優(yōu)化與模糊C-均值聚類相結(jié)合的圖像分割算法,根據(jù)粒子群優(yōu)化算法強(qiáng)大的全局搜索能力,有效地避免了傳統(tǒng)的FCM對(duì)隨機(jī)初始值的敏感,容易陷入局部最優(yōu)的缺點(diǎn)。實(shí)驗(yàn)表明,該算法加快了收斂速度,提高了圖像的分割精度。

    標(biāo)簽: 粒子群 模糊 均值聚類 圖像分割

    上傳時(shí)間: 2013-10-25

    上傳用戶:llandlu

  • pcb layout design(臺(tái)灣硬件工程師15年經(jīng)驗(yàn)

    PCB LAYOUT 術(shù)語(yǔ)解釋(TERMS)1. COMPONENT SIDE(零件面、正面)︰大多數(shù)零件放置之面。2. SOLDER SIDE(焊錫面、反面)。3. SOLDER MASK(止焊膜面)︰通常指Solder Mask Open 之意。4. TOP PAD︰在零件面上所設(shè)計(jì)之零件腳PAD,不管是否鑽孔、電鍍。5. BOTTOM PAD:在銲錫面上所設(shè)計(jì)之零件腳PAD,不管是否鑽孔、電鍍。6. POSITIVE LAYER:?jiǎn)巍㈦p層板之各層線路;多層板之上、下兩層線路及內(nèi)層走線皆屬之。7. NEGATIVE LAYER:通常指多層板之電源層。8. INNER PAD:多層板之POSITIVE LAYER 內(nèi)層PAD。9. ANTI-PAD:多層板之NEGATIVE LAYER 上所使用之絕緣範(fàn)圍,不與零件腳相接。10. THERMAL PAD:多層板內(nèi)NEGATIVE LAYER 上必須零件腳時(shí)所使用之PAD,一般稱為散熱孔或?qū)住?1. PAD (銲墊):除了SMD PAD 外,其他PAD 之TOP PAD、BOTTOM PAD 及INNER PAD 之形狀大小皆應(yīng)相同。12. Moat : 不同信號(hào)的 Power& GND plane 之間的分隔線13. Grid : 佈線時(shí)的走線格點(diǎn)2. Test Point : ATE 測(cè)試點(diǎn)供工廠ICT 測(cè)試治具使用ICT 測(cè)試點(diǎn) LAYOUT 注意事項(xiàng):PCB 的每條TRACE 都要有一個(gè)作為測(cè)試用之TEST PAD(測(cè)試點(diǎn)),其原則如下:1. 一般測(cè)試點(diǎn)大小均為30-35mil,元件分布較密時(shí),測(cè)試點(diǎn)最小可至30mil.測(cè)試點(diǎn)與元件PAD 的距離最小為40mil。2. 測(cè)試點(diǎn)與測(cè)試點(diǎn)間的間距最小為50-75mil,一般使用75mil。密度高時(shí)可使用50mil,3. 測(cè)試點(diǎn)必須均勻分佈於PCB 上,避免測(cè)試時(shí)造成板面受力不均。4. 多層板必須透過(guò)貫穿孔(VIA)將測(cè)試點(diǎn)留於錫爐著錫面上(Solder Side)。5. 測(cè)試點(diǎn)必需放至於Bottom Layer6. 輸出test point report(.asc 檔案powerpcb v3.5)供廠商分析可測(cè)率7. 測(cè)試點(diǎn)設(shè)置處:Setup􀃆pads􀃆stacks

    標(biāo)簽: layout design pcb 硬件工程師

    上傳時(shí)間: 2013-10-22

    上傳用戶:pei5

  • 小型DFN封裝的電子電路斷路器免除了檢測(cè)電阻器

    一直以來(lái), 電子電路斷路器( E C B ) 都是由一個(gè)MOSFET、一個(gè) MOSFET 控制器和一個(gè)電流檢測(cè)電阻器所組成的。

    標(biāo)簽: DFN 封裝 電子電路 斷路器

    上傳時(shí)間: 2013-10-18

    上傳用戶:qwerasdf

  • PC電源測(cè)試系統(tǒng)chroma8000

    PC電源測(cè)試系統(tǒng)chroma8000簡(jiǎn)介

    標(biāo)簽: chroma 8000 電源測(cè)試系統(tǒng)

    上傳時(shí)間: 2013-11-08

    上傳用戶:xiehao13

  • 2012TI杯陜西賽題C題--簡(jiǎn)易直流電子負(fù)載

    2012TI杯陜西賽題H題,2012TI杯陜西賽題C題--簡(jiǎn)易直流電子負(fù)載。

    標(biāo)簽: 2012 TI 直流電子負(fù)載

    上傳時(shí)間: 2013-10-17

    上傳用戶:wangfei22

  • 微距無(wú)線充電器的設(shè)計(jì)

    微距無(wú)線充電器的設(shè)計(jì) DIY

    標(biāo)簽: 微距 無(wú)線充電器

    上傳時(shí)間: 2014-12-01

    上傳用戶:shenlan

  • 空間微小間隙放電的伏距特性

        電阻電壓降的空氣擊穿強(qiáng)度為 500KV/m 已是共識(shí),然而筆者在研制“低壓電源避雷絕緣子”專利產(chǎn)品過(guò)程中,發(fā)現(xiàn)小間隙的電阻電壓降的空氣擊穿強(qiáng)度大大高于此值,于是就對(duì)空氣微小間隙放電的伏距特性進(jìn)行了測(cè)試研究。發(fā)現(xiàn)了空氣間隙放電的伏距特性隨著間隙的增大由非線性變化區(qū)段發(fā)展到線性變化區(qū)段的規(guī)律。500KV/m 只是間隙無(wú)限增大時(shí)空氣擊穿強(qiáng)度無(wú)限趨近的最低值,與小間隙的空氣擊穿強(qiáng)度嚴(yán)重不符。

    標(biāo)簽: 微小間隙放電 伏距特性

    上傳時(shí)間: 2013-10-20

    上傳用戶:togetsomething

  • PIC16F876A制作數(shù)控電源(完整C程序+HEX+仿真+

    PIC16F876A制作數(shù)控電源(完整C程序+HEX+仿真+電路圖)

    標(biāo)簽: F876 876A PIC 16F

    上傳時(shí)間: 2014-01-08

    上傳用戶:dumplin9

  • 51單片機(jī)C語(yǔ)言全新教程

    c語(yǔ)言學(xué)習(xí)教程

    標(biāo)簽: 51單片機(jī)C語(yǔ)言 教程

    上傳時(shí)間: 2014-12-24

    上傳用戶:Ants

  • 單片機(jī)c語(yǔ)言資料

    62157843單片機(jī)c語(yǔ)言資料

    標(biāo)簽: 單片機(jī)c語(yǔ)言

    上傳時(shí)間: 2013-10-11

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