N系列射頻同軸連接器
標簽： 射頻 同軸連接器
上傳時間： 2013-06-29
上傳用戶：eeworm
高中壓斷路器是電力系統(tǒng)中最重要的開關(guān)設(shè)備，用高中壓斷路器保護電力系統(tǒng)至今已經(jīng)歷了一段漫長歷史。從最初的油斷路器發(fā)展到壓縮空氣斷路器，再到目前作為無油化開關(guān)的真空斷路器和SF6斷路器。其中真空斷路器以其小型化和高可靠性等優(yōu)點，已在高中壓領(lǐng)域得到愈來愈廣泛的應(yīng)用。作為真空斷路器的核心部件，真空滅弧室的研究和開發(fā)顯得尤為重要。 真空滅弧室的小型化是國外關(guān)注的問題，我國很多相關(guān)的研究所和高等院校都曾作過不少研制工作，研究的方向是采用各種縱向磁場結(jié)構(gòu)電極的真空滅弧室和尋求新的觸頭材料。由于縱向磁場結(jié)構(gòu)的電極開斷能力強，在額定短路開斷電流、設(shè)計裕度和工藝水平相同的情況下，縱向磁場的電極比橫向磁場的電極小得多。因此，采用縱向磁場結(jié)構(gòu)電極的真空滅弧室可以縮小整體尺寸。 本設(shè)計從真空滅弧室的具體模型出發(fā)，應(yīng)用ANSYS8.1的電磁場分析軟件，對600A的真空滅弧室觸頭間的縱磁場進行計算與分析，可得到接近實際的動、靜觸頭電流流向矢量分布圖，線圈磁感應(yīng)強度與線圈幾何尺寸的關(guān)系，觸頭開距對磁場分布的影響及電弧在不同位置時的受力分析等。由不同線圈截面積與縱磁磁場強度的關(guān)系分布，可得出在分斷電流不變的情況下，線圈愈小磁場強度愈強。由觸頭開距與磁場強度的關(guān)系，可見觸頭間距越小，兩觸頭間越能獲得較大的磁感應(yīng)強度。對真空滅弧室極問磁場分布以及電弧在觸頭上不同位置受力進行分析，結(jié)果表明隨著磁感應(yīng)強度變小，電弧受力也相對的變小。 通過ANSYS仿真分析，為真空斷路器滅弧室的設(shè)計提供了比較準確的數(shù)據(jù)資料。進而使產(chǎn)品的設(shè)計、開發(fā)建立在較為科學的基礎(chǔ)上，為產(chǎn)品實際研制提供理論依據(jù)。
標簽： 滅弧 分 磁場
上傳時間： 2013-06-20
上傳用戶：dba1592201
一個采用.NET SOCKET技術(shù)的在聊天室
標簽： Socket Net
上傳時間： 2013-04-24
上傳用戶：mopdzz
用于FPGA的N+0.5分頻代碼，可以用來進行非整數(shù)分頻！
標簽： FPGA 0.5 分頻 代碼
上傳時間： 2013-08-06
上傳用戶：weixiao99
多路18b20測溫顯示系統(tǒng),可同時測量n個第三18b20
標簽： 18b20 多路 測溫 顯示系統(tǒng)
上傳時間： 2013-08-21
上傳用戶：zhangchu0807
8051工作于11.0592MHZ,RAM擴展為128KB的628128,FlashRom擴展為128KB的AT29C010A\r\n 128KB的RAM分成4個區(qū)(Bank) 地址分配為0x0000-0x7FFF\r\n 128KB的FlashRom分成8個區(qū)(Bank) 地址分配為0x8000-0xBFFF\r\n 為了使8051能訪問整個128KB的RAM空間和128KB的FlashRom空間,在CPLD內(nèi)建兩個寄存器\r\n RamBankReg和FlashRomBankReg用于存放高位地址
標簽： 128 FlashRom 8051 KB
上傳時間： 2013-08-30
上傳用戶：cainaifa
自己現(xiàn)在用的CPLD下載線，用74HC244芯片\r\n要注意設(shè)置下載模式
標簽： CPLD 244 74 HC
上傳時間： 2013-08-31
上傳用戶：dancnc
\r\n經(jīng)典的Protel99se入門教程，孫輝著北京郵電大學出版社出版
標簽： Protel 99 se
上傳時間： 2013-09-11
上傳用戶：Yukiseop
用于定量表示ADC動態(tài)性能的常用指標有六個，分別是：SINAD(信納比)、ENOB(有效位 數(shù))、SNR(信噪比)、THD(總諧波失真)、THD + N(總諧波失真加噪聲)和SFDR(無雜散動態(tài) 范圍)
標簽： THD SINAD ENOB SFDR
上傳時間： 2014-01-22
上傳用戶：魚哥哥你好
基于N溝道MOS管H橋驅(qū)動電路設(shè)計與制作
標簽： MOS N溝道 H橋驅(qū)動 電路設(shè)計
上傳時間： 2014-08-01
上傳用戶：1109003457
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